添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1312页 > APT13003EZTR-E1
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
APT13003E
概述
该APT13003E系列是高电压，高转速
开关NPN功率晶体管专
离线开关模式电源的低输出
把权力。
该APT13003E系列提供TO- 92和TO -
126包。
特点
·
·
·
·
高开关速度
高集电极 - 发射极电压
低成本
散装和弹药包装TO- 92封装，
TO- 126封装
应用
·
·
电池充电器为BCD的手机
解
电源的BCD解决方案的DVD /机顶盒
TO-92
（散装
包装）
TO-92
（弹药
包装）
APT13003E图1.包装类型
TO-126
引脚配置
包装
TO-92
3
2
1
BASE
3
集热器
辐射源
2
1
辐射源
集热器
BASE
ü套餐
TO-126
（ TOP VIEW ）
（前视图）
图2. APT13003E的引脚配置
2008年5月修订版1.2
1
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
APT13003E
订购信息
APT13003
电路类型
-
E1 ：无铅
TR ：弹药
空白：散装
包
Z： TO- 92
U： TO- 126
E： APT13003E
包
TO-92
TO-126
产品型号
APT13003EZ-E1
APT13003EZTR-E1
APT13003EU-E1
标记ID
13003EZ-E1
13003EZ-E1
EU13003E
包装类型
体积
弹药
体积
BCD半导体的无铅产品，如标有"E1"后缀的型号，均符合RoHS标准。
绝对最大额定值（注1 ）
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
发射极 - 基极电压（I
C
=0)
集电极电流
集电极峰值电流（脉冲） （注2 ）
基极电流
基地峰值电流（脉冲） （注2 ）
功耗，T
A
=25
o
C
功耗，T
C
=25
o
C
工作结温
存储温度范围
为TO-92
对于TO- 126
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
P
合计
T
J
T
英镑
价值
700
465
9
1.5
3
0.75
1.5
1.1
20
150
-65到150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
W
o
o
C
C
注1 ：应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只，设备的这些功能操作或超出任何其他条件表示
"Recommended下运行Conditions"是不是暗示。置身于"Absolute最大Ratings"长时间
可能会影响器件的可靠性。
注2 ：脉冲宽度<为5ms ，占空比脉冲测试
≤
10%.
2008年5月修订版1.2
2
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
APT13003E
热特性
参数
热阻（结到外壳）
为TO-92
对于TO- 126
为TO-92
热阻（结到环境）
对于TO- 126
R
θJA
符号
R
θ
JC
价值
83.3
6.25
113.6
96
o
C / W
单位
o
C / W
电气特性
( T
C
=25
o
C，除非另有规定）。
参数
集电极截止电流
(V
BE
=-1.5V)
集电极 - 发射极可持续
电压（I
B
=0)
集电极 - 发射极饱和
电压（注3）
基射极饱和电压
（注3）
符号
I
CEV
V
首席执行官
（ SUS）的
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
条件
V
CE
=700V
I
C
=100μA
I
C
= 0.5A ，我
B
=0.1A
I
C
= 1.0A ，我
B
=0.25A
I
C
= 0.5A ，我
B
=0.1A
I
C
= 1.0A ，我
B
=0.25A
I
C
= 0.3A ，V
CE
=2V
DC电流增益（注3）
h
FE
I
C
= 0.5A ，V
CE
=2V
I
C
= 1.0A ，V
CE
=2V
输出电容
电流增益带宽积
开启时间与阻性负载
贮存时间与阻性负载
下降时间有阻性负载
C
ob
f
T
吨
ts
tf
I
C
= 1A ，V
CC
= 125V ，我
B1
=0.2A,
I
B2
= -0.2A ，T
P
=25μS
V
CB
= 10V ， F = 0.1MH
Z
V
CE
= 10V ，我
C
=0.1A
4
0.3
1.8
0.28
1
3
0.4
μs
15
13
5
16
17
30
25
pF
兆赫
465
0.17
0.29
0.3
0.4
1.0
1.2
V
民
典型值
最大
10
单位
μA
V
V
注3：脉冲宽度脉冲测试
≤
300μS ，占空比
≤
2%.
2008年5月修订版1.2
3
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
APT13003E
典型性能特性
10
10
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
1
0.1
DC
DC
0.1
0.01
1E-3
1
10
100
1000
0.01
1
10
100
1000
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极钳位电压V
CE
(V)
图3.安全工作区（ TO- 92封装）
图4.安全工作区（ TO- 126封装）
125
2.00
1.75
I
B
=400mA
I
B
=300mA
I
B
=250mA
I
B
=200mA
I
B
=150mA
I
B
=100mA
I
B
=50mA
100
功率降额系数（ ％ ）
集电极电流I
C
(A)
1.50
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
75
50
25
0
0
25
50
75
100
125
o
0.00
150
175
200
0
1
2
3
4
5
案例温度T
C
( C)
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
图5.功率降额曲线
图6.静态特性
2008年5月修订版1.2
4
BCD半导体制造有限公司
数据表
高压快速开关NPN功率晶体管
APT13003E
典型性能特性（续）
40
35
30
10
T
A
=125 C
o
V
CE
=5V
V
CE
=1V
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
1
直流电流增益
25
T
A
=25 C
20
15
10
5
0
0.01
o
T
J
=125 C
0.1
o
T
J
=25 C
o
h
FE
=5
0.01
0.1
0.1
1
1
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
图7.直流电流增益
图8.集电极 - 发射极饱和电压
1.1
20
V
CE
= 2V ，我
C
=0.5A
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
1.0
18
0.9
T
J
=25 C
0.8
o
16
h
FE
14
0.7
T
J
=125 C
12
o
0.6
h
FE
=5
0.5
0.1
1
10
25
50
75
100
o
125
150
集电极电流I
C
(A)
外壳温度（ C）
图9.基射极饱和电压
图10.
FE
与外壳温度
2008年5月修订版1.2
5
BCD半导体制造有限公司
查看更多APT13003EZTR-E1PDF信息
推荐型号
AD7582BD
AD9511
AG1170P-D3
AM7201-50
AME8501BEFVDD16
ATA5771
AD9886KS-100
ACT8342
AKA1000
AM28F020-200JI
A2TPMI336L5.5GXXOCV
APM4431K
ADM824LYKS-R7
AME8501CEFVDF46
ASMC-PAB9-TX5C5
A42MX24-3PL100
AN1768
APA06_02
ATS-56008-C4-R0
ADE7756EB
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    APT13003EZTR-E1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市鑫远鹏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885741998 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885742022 复制
电话：15112667855
联系人：谌小姐
地址：深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
APT13003EZTR-E1
DIODES/美台
21+
662
原装现货
深圳市欧立现代科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ：1950791264 复制

电话：0755-83222787/23999932
联系人：林小姐 胡先生 张先生
地址：深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
APT13003EZTR-E1
BCD
24+
16800
TO-92
全新原装现货，欢迎询购！！
深圳市力索微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：370883777 复制 点击这里给我发消息 QQ：839051306 复制
电话：0755-83587431
联系人：钟彩香
地址：深圳市福田区深南中路世纪汇.都会轩3216室
APT13003EZTR-E1
DIODES
2023+
226000
TO-92
绝对原装正品/假一罚十/现货***
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881936556 复制 点击这里给我发消息 QQ：1838629145 复制 点击这里给我发消息 QQ：1366534167 复制

电话：0755-88917652分机801-83200050
联系人：柯
地址：深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
APT13003EZTR-E1
BCD
1922+
9852
TO-92
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市格雷迪电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ：962143175 复制

电话：15914072177
联系人：林先生
地址：深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
APT13003EZTR-E1
BCD
24+
62885
TO-92
公司现货，全新原厂原装正品！
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
APT13003EZTR-E1
DIODES/美台
2443+
23000
20
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
APT13003EZTR-E1
BCD
24+
12300
TO-92
全新原装现货，原厂代理。
深圳市科恒伟业电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2236823936 复制

电话：0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人：李小姐
地址：深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票！！
APT13003EZTR-E1
DIODES/美台
1922+
9825
SMD
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险！！
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APT13003EZTR-E1
BCD
21+22+
12600
TO-92
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
APT13003EZTR-E1
BCD
1136+
6850
原装正品，支持实单
查询更多APT13003EZTR-E1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！