APM4429
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -13A ，R
DS （ ON）
= 8mΩ （典型值） @ V
GS
= -20V
R
DS （ ON）
= 9mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 13mΩ （典型值） @ V
GS
= -4.5V
引脚说明
5
5
5
＆放大器;
%
,
,
,
,
!
＆ QUOT ;
$
#
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SO- 8封装
/
SO
8
S
S S
应用
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
G
订购和标识信息
APM 4429
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
TEM页。 法兰
P ackage 颂歌
D D D D
P沟道MOSFET
P ackage 颂歌
K： S 0 -8
P·Eラ蒂奥N·J加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5 5月5日至一日0 ℃，
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
L E A D楼Re式C D E
L： L E A D楼Re ê D E V IC ê
B LA N D ：在A L D E V IC ê RG
X X X X X - D上TE C 0 D E
APM 4429 K：
APM 4429
XXXXX
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±20
T
A
= 25°C
-13
-50
单位
V
A
参数
漏源电压
栅源电压
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
I
DM
*表面装在FR4板，T
≤
10秒。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 九月， 2003
1
www.anpec.com.tw
APM4429
绝对最大额定值
符号
P
D
T
J
)
T
英镑
R
θJA
*
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
T
A
= 25°C
T
A
= 100°C
2.5
1.0
-55到150
62.5
单位
W
°C
° C / W
参数
最大功率耗散
最大工作和存储结温
热阻 - 结到环境
电气特性
S YM B○升
S tatic
B V
DSS
I
S S小
V
的s （次）
I
摹S S小
R
S（O N）
V
SD
YN上午IC
=
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
（O N）
T
r
t
（O F F ）
T
f
C
国际空间站
C
SS
C
RSS
总摹吃哈耶
摹吃-S环境允许哈耶
摹吃-D雨哈耶
打开- D上ELA 蒂姆· ê
打开- R上伊势添é
关闭 ELA 蒂姆· ê
关闭女不限蒂姆· ê
输入的C apacitance
本安输出 apacitance
雨-S环境允许B reak道琼斯
电压
主任摹吃的电压D雨
urren吨
摹吃牛逼hreshold沃尔特GE
摹勒吃AK年龄 urren吨
雨-S环境允许正态
esista NCE
＆ GT ;
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
测试C 0 N D ITIO
AP男性44 29
典型值
=
.
M AX 。
M IN 。
-30
-1
-1
-1.5
8
9
13
-0.7
105
10.8
13.6
15
20
55
40
4730
800
240
pF
30
30
85
65
ns
-2
±100
11
12
17
-1.3
135
nC
V
m
加利IT
P ARAM ETER
V
的s
= 0V时，我
S
=-250
A
V
S
=-24V , V
的s
=0V
V
S
=V
的s
, I
S
=-250
A
V
的s
=±20V , V
S
=0V
V
的s
= -20V ，我
S
=-13A
V
的s
= -10V ，我
S
=-13A
V
的s
= -4.5V ，我
D
=-12A
V
A
V
nA
IODE F ORW ARD Voltag ê
＆ GT ;
I
S.D。
= -3A ，V
的s
=0V
V
S
=-15V , V
的s
= -10V
l
D
= -13A
V
D D
= -15V ，我
D
=-1A ,
V
摹简
= -10V ，R
G
=6
R
L
=15
V
的s
=0V
V
S
=-25V
埃弗斯E传送℃的pacitance F requen CY = 1.0MH
笔记
a
b
：脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
≤
2%
：由设计保证，不受生产测试
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茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 九月， 2003
2
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