AO4609
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.5A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
T
J
=125°C
1
30
15.5
22.3
23
23
0.75
18
27
28
1
3
1040
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
180
110
0.7
19.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
9.36
2.6
4.2
5.2
4.4
17.3
3.3
16.7
6.7
1.8
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何一个给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4609
P沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
-0.6
-10
102
154
128
3
187
4.5
-0.85
130
200
180
260
-1
-2
-1
民
-30
-1
-5
±100
-1.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
409
55
42
12
4.4
0.8
1.32
5.3
4.4
31.5
8
15.8
8
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-3A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5,
R
根
=3
I
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4609
N沟道：典型的电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
100.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率（W）的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/(T
on
+T
关闭
)
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
关闭
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4609
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.5A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
T
J
=125°C
1
30
15.5
22.3
23
23
0.75
18
27
28
1
3
1040
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
180
110
0.7
19.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
9.36
2.6
4.2
5.2
4.4
17.3
3.3
16.7
6.7
1.8
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何一个给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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P沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
-0.6
-10
102
154
128
3
187
4.5
-0.85
130
200
180
260
-1
-2
-1
民
-30
-1
-5
±100
-1.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
409
55
42
12
4.4
0.8
1.32
5.3
4.4
31.5
8
15.8
8
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-3A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5,
R
根
=3
I
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4609
N沟道：典型的电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
100.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率（W）的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/(T
on
+T
关闭
)
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
关闭
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
模拟电源
飞思卡尔
P & N通道30 -V （D -S ）的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用
高细胞密度的过程。低R
DS （ ON）
保证
最小的功率损耗并节省能源，使
该器件非常适用于电源管理应用
电路。典型的应用是PWMDC直流
转换器，电源管理在便携式和
电池供电的产品，如计算机，
打印机，充电器，通信电源
系统和电话电源系统。
低R
DS （ ON）
提供了更高的效率和
延长电池寿命
小型SO- 8表面贴装封装
节省电路板空间
高功率和电流处理能力
低压侧大电流DC- DC转换器
应用
AM4528C
AO4609 / MC4609
产品概述
V
DS
(V)
r
DS （ ON）
m()
28 @ V
GS
= 4.5V
30
18 @ V
GS
= 10V
250 @ V
GS
= -2.5V
-20
170 @ V
GS
= -4.5V
I
D
(A)
7.2
8.5
-2.6
-3.2
1
2
3
4
8
7
6
5
绝对最大额定值（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
符号N沟道P沟道单位
漏源电压
30
-20
V
DS
V
栅源电压
20
-12
V
GS
连续漏电流
漏电流脉冲
b
连续源电流（二极管传导）
a
功耗
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
10
7
±
50
2.3
2.1
1.3
-3.5
-2.3
±
50
-2.1
2.1
1.3
-55到150
o
A
A
W
C
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
热电阻额定值
参数
最大结到外壳
a
a
符号
R
θJC
R
θJA
最大
40
60
单位
o
o
吨< = 5秒
吨< = 5秒
C / W
C / W
最大结点到环境
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
www.freescale.net.cn
1
模拟电源
飞思卡尔
AM4528C
AO4609 / MC4609
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
帕拉梅德
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
漏源导通电阻
A
转发Tranconductance
A
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
V
GS
= V
DS
, I
D
= -250微安
V
GS
= -12 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= 20 V, V
DS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
DS
= -5 V, V
GS
= -10 V
VGS = 10 V，I
D
= 8.5 A
VGS = 4.5 V，I
D
= 7.2 A
VGS = -4.5 V，I
D
= -3.2 A
VGS = -2.5 V，I
D
= -2.6 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 10 A
V
DS
= -15 V，I
D
= -9.5 A
N
P
P
N
P
N
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N
P
N-二Chaneel
V
DD
=15V, V
GS
= 10V ，我
D
=1A ,
R
GE
=25,
P -Channel
V
DD
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-1A
R
根
=15
40
31
20
4
7
0.8
7
1
1
-0.7
±
100
±
100
-1
1
30
-10
18
28
170
250
V
o
符号
特S T条件
范围
CH最小值典型值
最大单位
nA
uA
A
m
S
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
RIS E时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
N沟道V
DS
=15V,
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A P -
通道
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-5A
nC
N
P
N
P
N
P
N
P
20
5
9
4
70
31
20
28
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证，声明
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不FREESCALE承担所产生的任何法律责任
应用或使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或
附带损失。可在FREESCALE数据表和/或规格提供“典型”参数，并会根据不同的
应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户进行验证
应用程序由客户的技术专家。 FREESCALE不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
FREESCALE产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或
意其他应用程序，以支持或维持生命，或任何其他应用程序中，飞思卡尔产品的故障可能造成
情况下的人身伤害或死亡的发生。如果买方购买或使用产品FREESCALE任何意外或
未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有飞思卡尔及其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，任何索赔无害
人身伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， FREESCALE是疏忽
关于该部分的设计或制造。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
www.freescale.net.cn
2
AO4609
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4609采用先进的沟槽技术
MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
低
栅极电荷。互补的MOSFET
可被用于形成一个电平移位的高侧
开关，以及用于许多其它的应用程序。
标准产品AO4609是Pb-free （符合
ROHS &索尼259规格） 。 AO4609L是
绿色产品订购选项。 AO4609和
AO4609L是电相同。
特点
N沟道
P沟道
-30V
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8.5A
(V
GS
=10V)
-3A
(V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
< 18MΩ （V
GS
=10V)
< 130mΩ （V
GS
=
-10V)
< 28mΩ （V
GS
=4.5V)
< 180mΩ （V
GS
=
-4.5V)
< 260mΩ （V
GS
=
-2.5V)
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
G2
S2
G1
S1
SOIC-8
N沟道
P沟道
最大的p沟道
-30
±12
-3
-2.4
-6
2
1.28
-55到150
W
°C
A
单位
V
V
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
最大的n沟道
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
8.5
6.6
40
2
1.28
-55到150
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
48
74
35
56
81
40
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
62.5 ° C / W
110℃ / W
48 ° C / W
AO4609
N沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
40
15.5
22.3
23
23
0.75
1
3
1040
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
180
110
0.7
19.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
9.36
2.6
4.2
5.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.5A ，的di / dt = 100A / μs的
4.4
17.3
3.3
16.7
6.7
7.5
6.5
25
5
21
10
0.85
23
11.2
1250
18
27
28
1.8
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
启4 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4609
N沟道：典型的电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=8.5A
电容（pF）
1250
C
国际空间站
1000
750
500
250
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
100s
10s
功率（W）的
50
40
30
20
10
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
1s
10s
DC
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4609
P沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
3
-0.6
-10
102
154
128
187
4.5
-0.85
130
200
180
260
-1
-2
409
55
42
12
4.4
0.8
1.32
5.3
4.4
31.5
8
15.8
8
-1
民
-30
-1
-5
±100
-1.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-3A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-3A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=5,
R
根
=3
I
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -3A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
启4 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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