APM4429K
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -12A ，
R
DS （ ON）
= 9mΩ （典型值） @ V
GS
=-20V
R
DS （ ON）
=为10mΩ （典型值） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 12mΩ （典型值） @ V
GS
=-4.5V
引脚说明
超级高密度电池设计
可靠，坚固耐用
SOP- 8封装
无铅可用（符合RoHS ）
SOP的顶视图
8
( 1, 2, 3 )
S S S
应用
(4)
G
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
D DDD
(5,6,7,8)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM4429
无铅代码
处理代码
TEMP 。 RANGE
封装代码
封装代码
K： SOP - 8
工作结点温度。范围
C： -55 150
°
C
处理代码
TR ：带卷&
无铅代码
L：无铅设备空白：原始设备
XXXXX - 日期代码
APM4429 K：
APM4429
XXXXX
注： ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡板
终止完成;这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅兼容当兵
操作。 ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD-020C标准的无铅要求
为MSL分类，在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年9月
1
www.anpec.com.tw
APM4429K
典型特征（续）
输出特性
50
45
40
-3V
V
GS
= -4,-5-6,-7,-8,-9,-10V
16
18
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
- 在 - 电阻（ m ）
-I
D
- 漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
-2V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-2.5V
14
V
GS
= -4.5V
12
10
8
6
4
V
GS
= -10V
V
GS
= -20V
0
10
20
30
40
50
-V
DS
- 漏极 - 源极电压（ V）
-I
D
- 漏电流（ A）
传输特性
50
45
40
1.8
1.6
栅极阈值电压
I
DS
= -250
A
归一化阈值电压
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- 漏电流（ A）
35
30
25
20
15
10
5
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
T
j
=25 C
o
T
j
=125 C
T
j
=-55 C
o
o
0
25
50
75 100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压（ V）
T
j
- 结温（ ° C）
版权
茂达电子股份有限公司
启示录B.2 - 2005年9月
5
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