RAD TOLERANT
ACT- RS128K32高速
4兆位的SRAM多芯片模块
特点
s
整体结构为128K ×32
s
耐30KRad （SI ）
s
闭锁抗扰度112MeV / （毫克/平方厘米
2
)
s
输入和输出TTL兼容
s
35 &为45nS访问时间
s
整个军用（ -55 ° C至+ 125°C ）温度范围
s
对于每MIL -PRF- 38534 K类设备 - 联系工厂
s
+ 5V电源
s
选择4全密封共烧包：
q
68引脚，薄型CQFP （ F1 ） ， 1.56"SQ X .140"max
q
68引脚，双腔CQFP （ F2 ） ， .88"SQ X .20"max （ .18"max厚度
可用，请与工厂联系获取详细信息）
（落入68引脚JEDEC .99"SQ
CQFJ足迹）
q
66引脚， PGA型（ P1 ） ， 1.385"SQ X .245"max
s
内部去耦电容
www.aeroflex.com/act1.htm
初步
s
4低功耗CMOS 128K ×8的SRAM在一个MCM
电路科技
概述
在ACT - RS128K32是高
速度4兆位CMOS SRAM
多芯片
模块
（ MCM ）
专为全温度
范围，军用，太空，或高
可靠性，大容量存储器和
快速缓存的应用程序。
所述MCM可以组织
作为一个128K ×32位， 256K ×16
位或512K ×8位的设备和
是输入和输出的TTL
兼容。在执行写
当写使能（WE ）
和芯片使能（ CE ）输入是
低。读完成
当我们高， CE和
输出使能（OE ）都
低。访问时间等级
为35ns ，并为45nS最大的是
标准。
+5伏电源
版本为标准。
该产品被设计为
工作在温度
范围为-55 ° C至+ 125 ° C和
在整个军用屏蔽
环境。 DESC标准
军事图纸（ SMD ）的一部分
数字仍在进行中。
该
ACT-RS128K32
is
在Aeroflex的制造
80,000ft
2
MIL-PRF-38534
在Plainview的认证机构，
纽约州
框图 - PGA型封装（ P1 ） & CQFP （ F2 ）
引脚说明
WE
1
CE
1
WE
2
CE
2
WE
3
CE
3
WE
4
CE
4
I / O
0-31
A
0
– A
16
OE
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
A
0–16
WE
1–4
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写入启用
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
框图 - CQFP （ F1 ）
引脚说明
CE
1
WE
OE
A
0
– A
16
128Kx8
128Kx8
128Kx8
128Kx8
CE
2
CE
3
CE
4
I / O
0-31
A
0–16
WE
CE
1–4
OE
V
cc
8
I / O
0-7
8
I / O
8-15
8
I / O
16-23
8
I / O
24-31
GND
NC
数据I / O
地址输入
写使能
芯片使
OUTPUT ENABLE
电源
地
没有连接
eroflex电路技术 - 先进的多芯片模块 SCD3659 REV 3 98年12月17日
绝对最大额定值
符号
T
C
T
英镑
P
D
储存温度
最大封装功耗
F1 & P1套装
F2套餐
J-
最热门的模具，最大热阻 - 结到管壳
F1 & P1套装
F2套餐
V
G
T
L
最大信号电压对地
最大焊接温度（ 10秒）
2.0
8.0
-0.5到+7
300
° C / W
° C / W
V
°C
4.4
3.3
W
W
等级
情况下的工作温度
范围
-55到+125
-65到+150
单位
°C
°C
正常工作条件
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
最低
+4.5
+2.2
-0.5
最大
+5.5
V
CC
+ 0.3
+0.8
单位
V
V
V
真值表
模式
待机
读
读
写
CE
H
L
L
L
OE
X
L
H
X
WE
X
H
H
L
数据I / O
高Z
数据输出
高Z
DATA IN
动力
待机（取消/省电）
活跃
主动（未选中）
活跃
电容
(
F = 1MHz的，T
C
= 25°C
)
符号参数
C
AD
C
OE
C
WE
C
CE
C
I
/
O
A
0
–
A
16
电容
OE电容
CQFP （ F1 ）套餐
PGA （ P1）和CQFP （ F2 ）包
芯片使能电容
I / O
0
- I / O
31
电容
最大
50
50
50
20
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
电容设计保证，但未经测试。
（ 4.5Vdc< V
CC
< 5.5VDC ，V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
条件
V
CC
=最大，
V
IN
= 0或V
CC
CE = V
IH
， OE = V
IH
,
V
OUT
= 0或V
CC
–035
最小最大
10
10
–045
最小最大
10
10
单位
A
A
DC特性
工作电源电流32位模式
Aeroflex公司电路技术ACT- RS128K32
CE = V
IL
， OE = V
IH
,
I
CC
X32 F = 5兆赫，V
CC
=最大，
CMOS兼容
2
SCD3659 REV 3
500
600
mA
98年12月17日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
（ 4.5Vdc< V
CC
< 5.5VDC ，V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ，除非另有规定）
参数
符号
条件
CE = V
IH
， OE = V
IH
,
F = 5兆赫，V
CC
=最大，
CMOS兼容
I
OL
= 8毫安， V
CC
=分钟
I
OH
= -4.0毫安，V
CC
=分钟
2.4
–035
最小最大
30
0.4
2.4
–045
最小最大
30
0.4
单位
直流特性（续）
待机电流
输出低电压
输出高电压
I
SB
V
OL
V
OH
mA
V
V
(V
CC
= 5.0V, V
SS
= 0V ，T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
芯片使能到输出低Z *
输出使能到输出低Z *
芯片取消选择到输出高Z *
输出禁止到输出高Z *
*这些参数保证了设计，但没有测试
AC特性
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
–035
最小最大
35
35
35
3
0
20
10
–045
最小最大
45
45
45
3
0
20
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
参数
写周期时间
芯片使能写操作的结束
地址有效到写结束
数据有效到写结束
把脉冲宽度
地址建立时间
写入输出高Z *
从时间写数据保持
地址保持时间
*这些参数保证了设计，但没有测试
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
DW
t
WP
t
AS
t
WHZ
t
DH
t
AH
–045
–035
最小值最大值最小值最大值
35
25
25
18
25
0
10
0
0
0
0
45
35
35
20
35
0
15
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持电气特性（仅特殊订货）
(T
C
= -55 ° C至+ 125°C ）
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
符号
V
DR
I
CCDR1
测试条件
CE
≥
V
CC
– 0.2V
V
CC
= 3V ， 35 &为45nS
所有速度
民
最大
2
5.5
4
单位
V
mA
Aeroflex公司电路技术ACT- RS128K32
3
SCD3659 REV 3
98年12月17日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
时序图
读周期时序图
读周期1 （ CE = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
t
OH
D
I / O
以前的数据有效
数据有效
CE
t
AS
WE
S
EE
N
OTE
写周期时序图
写周期1 （我们控制， OE = V
IL
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CW
t
AH
t
WP
S
EE
N
OTE
t
OW
t
WHZ
t
DW
数据有效
t
DH
D
I / O
读周期2 （WE = V
IH
)
t
RC
A
0-16
t
AA
CE
t
ACE
t
CLZ
S
EE
N
OTE
写周期2 （ CE控制， OE = V
IH
)
t
WC
A
0-16
t
AW
t
CHZ
S
EE
N
OTE
t
AH
t
CW
t
AS
CE
OE
t
OE
t
OLZ
S
EE
N
OTE
t
OHZ
S
EE
N
OTE
t
WP
WE
t
DW
D
I / O
数据有效
t
DH
D
I / O
高Z
数据有效
未定义
不在乎
注：由设计保证，但未经测试。
注：由设计保证，但未经测试。
AC测试电路
电流源
I
OL
参数
为了测试设备
C
L
=
50 pF的
I
OH
电流源
V
Z
1.5 V（双极性电源供电）
典型
0 – 3.0
5
1.5
50
单位
V
ns
V
pF
输入脉冲电平
输入兴衰
输入和输出时序参考电平
输出引线电容
注意事项：
1) V
Z
的可编程范围为-2V至+ 7V 。 2 ）I
OL
我
OH
可编程从0到16毫安。 3 ）阻抗测试仪
Z
O
= 75
. 4)
V
Z
通常Ⅴ的中点
OH
和V
OL
. 5) I
OL
我
OH
被调整，以模拟典型的电阻
负载电路。 6 ） ATE测试仪包括夹具电容。
Aeroflex公司电路技术ACT- RS128K32
4
SCD3659 REV 3
98年12月17日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
引脚数&功能
66引脚 - PGA型
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
功能
I / O
8
I / O
9
I / O
10
A
13
A
14
A
15
A
16
NC
I / O
0
I / O
1
I / O
2
WE
2
CE
2
GND
I / O
11
A
10
A
11
针＃
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
功能
A
12
VCC
CE
1
NC
I / O
3
I / O
15
I / O
14
I / O
13
I / O
12
OE
NC
WE
1
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
I / O
24
针＃
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
功能
I / O
25
I / O
26
A
6
A
7
NC
A
8
A
9
I / O
16
I / O
17
I / O
18
V
CC
CE
4
WE
4
I / O
27
A
3
A
4
A
5
针＃
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
功能
WE
3
CE
3
GND
I / O
19
I / O
31
I / O
30
I / O
29
I / O
28
A
0
A
1
A
2
I / O
23
I / O
22
I / O
21
I / O
20
"P1" - 1.385" SQ PGA型封装标准
SIDE VIEW
底部视图
1.400 SQ
最大
1.000
典型值
.600
典型值
引脚56
.245
最大
.025
.035
销1
.100
典型值
.020
.016
引脚66
.145
民
1.000
典型值
引脚11
.100典型值
以英寸所有尺寸
Aeroflex公司电路技术ACT- RS128K32
5
SCD3659 REV 3
98年12月17日纽约州Plainview的（ 516 ） 694-6700
