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APM4220KA
N沟道增强型MOSFET
特点
25V/16A,
R
DS ( ON)
= 7.5mΩ (典型值) @ V
GS
=10V
R
DS ( ON)
=为10mΩ (典型值) @ V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
额定雪崩
可靠,坚固耐用
暴露与标准的SOP- 8的散热垫
概要
无铅可用(符合RoHS )
引脚说明
SOP
8外露
=散热垫
(连接到漏平面为更好的热
耗散)
( 5,6,7,8 )
D D DD
应用
在笔记本电脑的电源管理,
便携式设备和电池供电
系统
(4)
G
S S S
(1, 2, 3)
N沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 4220
无铅代码
处理代码
TEM页。范围
封装代码
封装代码
KA : SOP-8 -P的
工作结TEM页。范围
C: -55 ℃150℃
处理代码
TU :管
TR :带卷&
无铅代码
L:无铅设备空白:O型riginal设备
XXXXX - 日期代码
APM 4220 KA :
APM 4220
XXXXX
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月, 2005年
1
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APM4220KA
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
T
J
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
最高结温
存储温度范围
等级
25
±20
150
-55到150
50
20
2.5
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
50
25
16
8
3
1.2
40
W
° C / W
° C / W
V
°C
°C
单位
通用等级
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
安装在大型散热片
P
D
R
θJC
最大功率耗散
T
C
=25°C
T
C
=100°C
热阻,结到管壳
j
安装在印刷电路板的
1in
2
垫区
I
DP
I
D
P
D
R
θJA
300μS脉冲漏极电流测试
W
A
连续漏电流
最大功率耗散
A
热阻,结到环境
k
安装在PCB上最小的足迹
I
DP
I
D
P
D
R
θJA
注意事项:
300μS脉冲漏极电流测试
连续漏电流
最大功率耗散
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=100°C
50
25
13
6
2.5
1
50
A
A
W
° C / W
热阻,结到最小足迹
j
的R .The价值
θJA
是当该装置安装在
1in
2
垫2盎司铜,T
10s.
k
。 R的值
θJA
是当该装置安装在
最小焊盘与2盎司铜,T
10s.
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月, 2005年
2
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APM4220KA
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM4220KA
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源雪崩额定值
E
AS
雪崩能量,单脉冲
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
I
D
= 15A ,V
DD
=15V
25
50
mJ
V
GS
= 0V时,我
DS
=250A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
A
=25°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=250A
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ,我
DS
=16A
V
GS
= 4.5V ,我
DS
=14A
I
SD
= 3A ,V
GS
=0V
V
1
30
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
1.3
1.8
7.5
10
0.8
2.5
±100
9
12
1.3
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
b
20
V
DS
=10V, V
GS
=4.5V,
I
DS
=12A
4.8
8.4
26
nC
栅极 - 源电荷
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
V
GS
=0V,
V
DS
=15V,
Frequency=1.0MHz
2
1785
500
300
10
19
13
95
46
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 15V ,R
L
=15,
I
DS
= 1A ,V
=10V,
R
G
=6
7
69
32
ns
注意事项:
一:脉冲测试;脉冲宽度
≤300s,
占空比
2%.
B:由设计保证,不受生产测试。
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3
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APM4220KA
典型特征
功耗
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
18
漏电流
15
P
合计
- 功率(W )
I
D
- 漏电流( A)
0
20
40
60
80 100 120 140 160
12
9
6
3
0
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
j
- 结温( ° C)
T
j
- 结温( ° C)
安全工作区
100
im
it
瞬态热阻抗
归一化瞬态热阻
2
1
占空比= 0.5
0.2
0.1
I
D
- 漏电流( A)
10
Rd
s(
on
)L
300
s
1ms
0.1
0.05
0.02
0.01
1
10ms
100ms
1s
0.01
单脉冲
0.1
DC
0.01
0.01
T
A
=25 C
0.1
1
10
100
O
1E-3
1E-4
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
: 40℃ / W
2
1E-3
0.01
0.1
1
10 30
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
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4
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APM4220KA
典型特征(续)
输出特性
50
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
40
18
16
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
3V
14
12
10
8
6
4
2
0
V
GS
=10V
I
D
- 漏电流( A)
30
V
GS
=4.5V
20
2.5V
10
0
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
I
D
- 漏电流( A)
传输特性
50
1.6
1.4
40
栅极阈值电压
I
DS
=250
A
归一化阈值电压
5
I
D
- 漏电流( A)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
30
T
j
=125 C
20
o
10
T
j
=25 C
o
T
j
=-55 C
o
0
0
1
2
3
4
0
25
50
75
100 125 150
V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
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