【a特点44 V电源最大额定值15 V模拟信号范围低导通电阻（ <24 ）超低功耗（ 3.9 W】,IC型号ADG433ABR,ADG433ABR PDF资料,ADG433ABR经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

44 V电源最大额定值

15 V模拟信号范围

低导通电阻（ <24 ）

超低功耗（ 3.9 W）

低漏（ <0.25 NA）

快速开关时间

<165 NS

关闭

<130 NS

先开后合式开关动作

TTL / CMOS兼容

插件替换为DG411 / DG412 / DG413

应用

音频和视频切换

自动测试设备

精密数据采集

电池供电系统

采样保持系统

通信系统

LC MOS

精密四路SPST开关

ADG431/ADG432/ADG433

功能方框图

IN1

IN2

IN3

IN4

IN1

IN2

IN4

开关所对于逻辑"1"输入

IN4

IN1

ADG431

IN3

ADG432

ADG433

IN3

概述

该ADG431 ， ADG432和ADG433均为单芯片CMOS

设备包括四个独立可选的开关。他们

在增强型LC的设计

MOS工艺提供

低功耗，高开关速度和低导通

性。

导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入

范围确保卓越的线性度和低失真的时候

切换音频信号。开关速度快加上高

信号的带宽也使零件适合视频信号

切换。 CMOS结构确保了超低功耗耗散

化因而非常适合于便携式和电池部件

电动器械。

该ADG431 ， ADG432和ADG433包含四个indepen-

凹痕SPST开关。该ADG431和ADG432的区别仅在于

该数字控制逻辑相反。该ADG431开关

导通与逻辑低的适当的控制输入，

同时要求逻辑高电平为ADG432 。该ADG433

有两个开关与数字控制逻辑类似的

ADG431而逻辑相反的其它两个开关。

每个开关进行同样在两个方向开启时，

并具有延伸到电源的输入信号范围。在

在OFF状态下，信号电平的电源被阻止。

所有开关的开关动作，使用前表现出突破

在多路复用器应用。固有的设计是低电荷

注射最小的瞬变切换数字输入时。

产品亮点

1.扩展信号范围

该ADG431 ， ADG432和ADG433是制造上的

增强LC

MOS工艺给人一种增加了信号范围

这充分延伸到电源轨。

2.超低功耗

3.低R

4.先开后合式开关

这可以防止信道短路时的开关都被配置

被保险作为一个多路转换器。

5.单电源供电

对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该

ADG431 ， ADG432和ADG433可以从操作

单轨电源供电。的部分均采用全指定

单路+ 12V供电，并会继续与功能

单电源低至5 V.

版本B

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这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

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联系电话： 781 / 329-4700

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传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1998年

ADG431/ADG432/ADG433–SPECIFICATIONS

双电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

与V

)

漂移

MATCH

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

, I

（上）

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

= +15 V

10%, V

= –15 V

10%, V

= +5 V

的10％，GND = 0伏，除非另有说明）

B版本

-40 ℃

+25 C +85 C

到V

0.5

0.05

0.25

0.05

0.25

0.1

0.35

牛逼版本

-55 ℃

+25 C +125 C

到V

0.5

0.05

0.25

0.05

0.25

0.1

0.35

单位

测试条件/评论

典型值

8.5 V，I

= -10毫安;

最大

= +13.5 V, V

= –13.5 V

％（典型值）

％/℃ （典型值）

％（典型值）

= 0 V，I

= -10毫安

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

= V

INL

或V

INH

= +16.5 V, V

= –16.5 V

15.5 V, V

= 15.5 V;

测试电路2

15.5 V, V

= 15.5 V;

测试电路2

= V

15.5 V;

测试电路3

2.4

0.8

2.4

0.8

0.005

0.02

0.005

0.02

165

130

突破前先延时，T

（仅ADG433 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

（关闭）

, C

（上）

电源要求

功耗

0.0001

0.1

0.2

0.0001

0.1

0.2

0.0001

0.1

0.2

7.7

175

145

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

= +15 V, V

= –15 V

= 300

= 35 pF的;

10 V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的;

10 V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的;

= V

= +10 V;

测试电路5

= 0 V ，R

= 0

= 10nF的;

测试电路6

= 50

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

= +16.5 V, V

= –16.5 V

数字输入= 0 V或5 V

0.0001

0.1

0.2

0.0001

0.1

0.2

0.0001

0.1

0.2

7.7

典型值

最大

典型值

最大

典型值

最大

笔记

温度范围如下： B版本： -40

°C

至+ 85°C ;牛逼版本： -55 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本B

ADG431/ADG432/ADG433

单电源

参数

模拟开关

模拟信号范围

与V

)

漂移

MATCH

漏电流

来源OFF漏我

（关闭）

流掉泄漏我

（关闭）

渠道渗漏我

，是（ON）的

数字输入

输入高电压，V

INH

输入低电压，V

INL

输入电流

INL

还是我

INH

数字输入电容

动态特性

关闭

= +12 V

10%, V

= O V ，V

= +5 V

B版本

-40 ℃

+25 C +85 C

0 V至V

0.5

0.04

0.25

0.04

0.25

0.01

0.3

的10％，GND = 0伏，除非另有说明）

牛逼版本

-55 ℃

+25 C +125 C

0 V至V

0.5

0.04

0.25

0.04

0.25

0.01

0.3

单位

测试条件/评论

典型值

0℃， V

< 8.5 V，I

= -10毫安;

最大

= +10.8 V

％（典型值）

％/℃ （典型值）

％（典型值）

= 0 V，I

= -10毫安

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

nA的典型值

nA的最大

V分钟

V最大

典型值

最大

pF的典型值

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

ns（最大值）

纳秒（典型值）

= V

INL

或V

INH

= +13.2 V

= 12.2/1 V, V

= 1/12.2 V;

测试电路2

= 12.2/1 V, V

= 1/12.2 V;

测试电路2

= V

= +12.2 V/+1 V;

测试电路3

2.4

0.8

2.4

0.8

0.005

165

0.01

0.005

165

0.01

240

115

突破前先延时，T

（仅ADG433 ）

电荷注入

关断隔离

通道到通道的串扰

（关闭）

, C

（上）

电源要求

功耗

0.0001

0.03

0.1

0.0001

0.03

0.1

1.9

240

115

pC的典型值

dB典型值

pF的典型值

= +12 V, V

= 0 V

= 300

= 35 pF的;

= + 8V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的;

= + 8V ;测试电路4

= 300

= 35 pF的;

= V

= +10 V;

测试电路5

= 0 V ，R

= 0

= 10nF的;

测试电路6

= 50

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路7

= 50

= 5 PF， F = 1MHz的;

测试电路8

F = 1 MHz的

= +13.2 V

数字输入= 0 V或5 V

0.0001

0.03

0.1

0.0001

0.03

0.1

1.9

典型值

最大

典型值

最大

= +5.25 V

笔记

温度范围如下： B版本： -40

°C

至+ 85°C ;牛逼版本： -55 ° C至+ 125°C 。

通过设计保证，不受生产测试。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

真值表（ ADG431 / ADG432 ）

真值表（ ADG433 ）

ADG431在

版本B

ADG432在

开关状态

关闭

–3–

逻辑

开关1,4

关闭

开关2,3

关闭

ADG431/ADG432/ADG433

绝对最大额定值

= + 25 ° C除非另有说明）

到V

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +44 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V至+25 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 +0.3 V至-25 V

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

模拟，数字输入

. . . . . . . . . . V

- 2 V到V

+ 2V或

30毫安，以先到为准

连续电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 30毫安

峰值电流，S或D 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。百毫安

（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）

工作温度范围

工业（B版）。。。。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

扩展（T版）。。。。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。。 -65 ° C至+ 150°C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

CERDIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 900毫瓦

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 76 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。 + 300℃

塑料封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 470毫瓦

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 117 ° C / W

焊接温度，焊接（ 10秒）。。。。。。。。。。。 + 260℃

SOIC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。。 600毫瓦

，热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 77 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

笔记

注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的

最大额定值可在任一时间施加。

过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应

限于给出的最大额定值。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然ADG431 / ADG432 / ADG433具有专用ESD保护电路， perma-

新界东北的损害可能会发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的

ESD预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

引脚配置

（ DIP / SOIC ）

IN1

SS 4

IN2

警告！

ESD敏感器件

订购指南

模型

ADG431BN

ADG431BR

ADG431TQ

ADG431ABR

ADG432BN

ADG432BR

ADG432TQ

ADG432ABR

ADG433BN

ADG433BR

ADG433ABR

温度范围

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

-40 ° C至+ 85°C

封装选项

N-16

R-16A

Q-16

R-16A

N-16

R-16A

Q-16

R-16A

N-16

R-16A

顶视图

GND

（不按比例）

ADG431

ADG432

ADG433

IN4

IN3

笔记

如需订购MIL -STD - 883 ， B类加工零件，添加/ 883B到T级的部件号。

N =塑料DIP ; R = 0.15"小外形集成电路（ SOIC ） ; Q = CERDIP 。

沟槽隔离，闭锁防爆部件。见沟槽隔离部分。

术语

最积极的供电潜力。

在双最负电源电位

耗材。在单电源应用中，它可以是

连接到GND 。

逻辑电源（ + 5V）。

GND

接地（ 0 V ）参考。

源终端。可以是输入或输出。

漏极。可以是输入或输出。

逻辑控制输入。

D和S之间的欧姆电阻

与V

） R中的变化

由于在模拟的变化

日志输入电压以恒定的负载电流。

变化在研发

与温度的关系。

漂移

在R的区别

的任何两个交换机。

MATCH

源漏电流与开关“OFF”。

（关闭）

漏极漏电流与开关“OFF”。

（关闭）

信道的泄漏电流与开关“ON”。

, I

（上）

)

在端D ，S模拟电压

（关闭）

, C

（上）

关闭

相声

关断隔离

收费

注射

“ OFF”开关的源极电容。

“ OFF”开关漏极电容。

“ON”的开关电容。

输入对地电容数字输入。

施加的数字控制输入之间的延迟

和输出开关上。

施加的数字控制输入之间的延迟

并输出开关关闭。

“ON”的时间之间所测量的“关”的时间或

两个开关的90 ％点，切换时

从一个地址状态到另一个状态。

度量无用信号被耦合

通过从一个通道到另一个作为结果

的寄生电容。

通过衡量耦合的无用信号

“关”开关。

衡量的毛刺脉冲的传递

数字输入与模拟输出切换期间。

–4–

版本B

ADG431/ADG432/ADG433

典型性能图

= +25 C

= +5V

= –5V

–

= +12V

= –12V

–

= +10V

= –10V

= +5V

= 0V

= +10V

= 0V

= +12V

= 0V

= +25 C

= +5V

= +15V

= –15V

–20

= +15V

= 0V

–10

或V

- 漏极或源极电压 - V

或V

- 漏极或源极电压 - V

图1.电阻V的功能

）双

耗材

图4.导通电阻V的功能

）单

供应

= +15V

= –15V

= +5V

100mA

= +15V

= –15V

= +5V

4 SW

1 SW

10mA

1mA

–

供应

100 A

I+, I–

+125 C

+85 C

+25 C

10 A

1 A

–20

–10

或V

- 漏极或源极电压 - V

100nA

100

10k

100k

频率 - 赫兹

10M

图2.导通电阻的作用

）不同温度

图5.电源电流与输入开关频率

= +15V

= –15V

= +5V

漏电流 - NA

0.1

15V

（关闭）

漏电流 - NA

0.04

0.02

= +15V

= –15V

= +25 C

= +5V

（上）

（关闭）

0.00

（关闭）

0.01

（上）

（关闭）

–0.02

0.001

100

温度 - C

120

140

–0.04

–20

–10

或V

- 漏极或源极电压 - V

图3.漏电流作为温度的函数

图6.漏电流为V的功能

)

版本B

–5–