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APM3020P
P沟道增强型MOSFET
特点
-30V / -11A ，R
DS （ ON）
= 17mΩ （典型值） @ V
GS
= -10V
R
DS （ ON）
= 24mΩ （典型值） @ V
GS
= -5V
超高密度电池设计
可靠，坚固耐用
TO- 252封装
引脚说明
G
D
S
应用
顶视图TO- 252
在笔记本电脑的电源管理，
便携式设备和电池供电
系统
订购和标识信息
APM 3020P
H A N D林克C 0 D E
率T e M·P 。 R A NG é
P是C嘉克式C D E
P ackage 颂歌
U： T O服务-2 5 2
P·Eラ锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C： -5二月五日至一日5℃
H A N D林克C 0 D E
TU ：管
TR ：带卷&
APM 3020P U：
APM 3020P
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
绝对最大额定值
符号
V
DSS
V
GSS
I
D*
I
DM
P
D
漏源电压
栅源电压
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
-30
±20
-40
-70
50
20
单位
V
A
W
最大漏极电流 - 连续
最大漏极电流 - 脉冲
最大功率耗散
T
A
=25 C
T
A
=100 C
ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年7月
1
www.anpec.com.tw
APM3020P
绝对最大额定值
符号
T
J
T
英镑
R
θJC
参数
最高结温
存储温度范围
热阻 - 结到管壳
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
150
-55到150
2.5
单位
C
C
摄氏度/ W
电气特性
符号
STATIC
BV
DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
a
V
SD
a
b
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
APM3020P
分钟。
-30
-1
-1
17
24
-1.3
23
10
9
V
DD
= -15V ，我
DS
=-6A ,
V
根
= -10 V ，R
G
=1
R
L
=2.5
V
GS
=0V
V
DS
=-25V
Frequency=1.0MHz
16
22
75
31
3720
580
245
pF
30
30
120
80
ns
-3
±100
20
30
-1.3
30
nC
典型值。
马克斯。
参数
测试条件
单位
漏源击穿电压V
GS
= 0V时，我
DS
=-250A
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
二极管的正向电压
V
DS
=-24V , V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±20V , V
DS
=0V
V
GS
= -10V ，我
DS
=-11A
V
GS
= -5V ，我
DS
=-7A
I
SD
= -11A ，V
GS
=0V
V
DS
=-15V , V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-4.6A
V
A
V
nA
mΩ
V
动态
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
笔记
a
b
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
：由设计保证，不受生产测试
：脉冲测试;脉冲宽度
≤
为500μs ，占空比
≤
2%
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年7月
2
www.anpec.com.tw
APM3020P
典型特征
输出特性
50
V
GS
=4,5,6,7,8,9,10V
传输特性
50
-I
DS
- 漏电流（A ）
30
20
-I
DS
- 漏电流（A ）
40
40
30
V
GS
=3V
20
T
J
=125°C
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
10
V
GS
=2.5V
10
0
0
2
4
6
8
10
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
-V
GS
-Gate至源极电压（ V）
阈值电压与结温
1.50
-I
DS
=250A
导通电阻与漏电流
0.035
-V
GS （ TH）
-threshold电压（V ）
（归一化）
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
1.25
1.00
0.75
0.50
0.25
0.00
-50
0.030
-V
GS
=5V
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
-V
GS
=10V
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
5
10
15
20
25
30
T
j
-Junction温度（℃ ）
-I
DS
- 漏电流（A ）
版权
茂达电子股份有限公司
A.1牧师 - 2002年7月
3
www.anpec.com.tw
APM3020P
典型特征连拍。
导通电阻与栅极至源极电压
0.15
-I
DS
=7A
上Resistaence与结温
0.030
-V
GS
=10V
-I
DS
=11A
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
0.12
R
DS （ ON）
- 酮电阻（Ω ）
（归一化）
0.025
0.020
0.015
0.010
0.005
0.000
-50
0.09
0.06
0.03
0.00
0
2
4
6
8
10
-25
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 栅极 - 源极电压（ V）
T
j
-Junction温度（℃ ）
栅极电荷
10
3000
-V
DS
=15V
-I
DS
=4.6A
电容特性
-V
GS
-Gate至源极电压（ V）
C-电容（pF ）
8
2500
西塞
2000
1500
1000
500
0
科斯
CRSS
6
4
2
0
0
10
20
30
40
0
5
10
15
20
25
30
Q
G
- 总栅极电荷（ NC）
-V
DS
- 漏极至源极电压（ V）
版权
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4
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APM3020P
典型特征连拍。
源极 - 漏极二极管正向电压
50
单脉冲功率
3000
2500
2000
10
-I
SD
- 源电流（A ）
功率（W）的
1
T
J
=150°C
T
J
=25°C
1500
1000
500
0.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
0
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
-V
SD
- 源极到漏极电压（V ）
时间（秒）
归瞬态热阻抗瞬态，结到环境
1
标准化的有效瞬态
热阻抗
占空比= 0.5
D=0.2
0 .1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
单脉冲
1.占空比D = T1 / T2
2.每单位基础= R
thJA
=50°C/W
3. T
JM
-T
A
=P
DM
Z
thJA
0 .0 1
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
方波脉冲持续时间（秒）
版权
茂达电子股份有限公司
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AME8811MEAT
AA-A2D6NAG-FREQ
A30405RNZQ
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A22Z-3476-1
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