【APM2512NN沟道增强型MOSFET特点25V / 40A ，RDS （ ON）= 9mΩ （典】,IC型号APM2512NUC-TRL,APM2512NUC-TRL PDF资料,APM2512NUC-TRL经销商,ic,电子元器件-51电子网

APM2512N

N沟道增强型MOSFET

特点

25V / 40A ，R

DS （ ON）

= 9mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 13mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

对于极超级高密度电池设计

低R

DS （ ON）

可靠，坚固耐用

TO- 252封装

引脚说明

1

2

3

G

D

S

顶视图TO- 252

D

应用

在计算机电源管理，便携式

设备和电池供电系统。

G

S

N沟道MOSFET

订购和标识信息

APM2512N

无铅代码

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

U： TO- 252

工作结点温度。范围

C： -55 ℃150℃

°

处理代码

TR ：带卷&

L：无铅代码

L：无铅设备空白：原始设备

XXXXX - 日期代码

APM2512N U：

APM2512N

XXXXX

绝对最大额定值

符号

V

DSS

V

GSS

漏源电压

栅源电压

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

等级

25

±20

单位

V

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

牧师A.1 - 10月2003

1

www.anpec.com.tw

APM2512N

绝对最大额定值（续）

符号

I

D

I

DM

P

D

T

J

,T

英镑

R

θJA

*

(T

C

= 25 ° C除非另有说明）

等级

40

90

50

20

-55到150

50

2.5

°C

° C / W

A

W

单位

参数

最大漏极电流 - 连续

最大漏电流脉冲（脉冲宽度

≤

300s)

T

c

=25°C

最大功率耗散

T

c

=100°C

最大工作和存储结温

热阻 - 结到环境

热阻 - 结到管壳

2

R

θJC

*安装在PCB上的1英寸焊盘面积。

电气特性

符号

STATIC

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

R

DS （ ON）

V

SD

a

b

a

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM2512N

典型值。

马克斯。

分钟。

参数

测试条件

单位

漏源击穿

电压

零栅压漏

当前

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏极 - 源极导通状态

阻力

二极管的正向电压

V

GS

= 0V时，我

DS

=250A

V

DS

=20V , V

GS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V , V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=20A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=10A

I

SD

= 10A ，V

GS

=0V

V

DS

= 15V ，我

DS

= 10A

V

GS

=10V ,

V

DD

= 10V ，我

DS

=10A ,

V

根

= 10V ，R

G

=6

V

GS

=0V

25

1

1.5

9

13

0.9

28

3.6

8.4

10

15

35

15

1560

345

245

20

25

50

20

2

±100

12

20

1.3

38

V

A

V

nA

m

V

动态

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

nC

ns

输出电容

V

DS

=15V

反向传输电容频率= 1.0MHz的

pF

笔记

a

b

：脉冲测试;脉冲宽度

≤300s,

占空比

≤

2%

：由设计保证，不受生产测试

2

www.anpec.com.tw

版权

茂达电子股份有限公司

牧师A.1 - 10月2003

APM2512N

典型特征

输出特性

40

35

V

GS

=5,6,7,8,9,10V

V

GS

=4V

40

35

传输特性

I

D-

漏电流（ A）

I

D

- 漏电流（A ）

30

25

20

15

10

5

0

1

2

3

V

GS

=2.5V

4

5

6

7

8

9

10

V

GS

=3V

V

GS

=3.5V

30

25

20

15

10

5

T

j

=125 C

T

j

=25 C

o

T

j

=-55 C

o

0

0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

阈值电压与结温

1.8

1.6

I

DS

=250

A

0.024

0.022

导通电阻与漏电流

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

V

GS （ TH） -

阈值电压

（归一化）

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

0.020

0.018

0.016

0.014

0.012

0.010

0.008

0.006

0.004

0.002

0

5

10

15

20

25

30

35

40

V

GS

=10V

V

GS

=4.5V

TJ - 结温（ ° C）

I

D

- 漏电流（ A）

版权

茂达电子股份有限公司

牧师A.1 - 10月2003

3

www.anpec.com.tw

APM2512N

典型特征

导通电阻与栅极至源极电压

0.016

0.015

I

D

=20A

导通电阻与结温

1.8

1.6

V

GS

= 10V

I

DS

= 20A

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

R

ON

@Tj = 25

°

C： 9米

-25

0

25

50

75

100 125 150

R

DS （ ON）

- 酮电阻（Ω ）

0.014

0.013

0.012

0.011

0.010

0.009

0.008

0.007

0.006

3

4

5

6

7

8

9

10

R

DS （ ON）

- 酮性

（归一化）

0.2

-50

V

GS

- 栅极 - 源极电压（ V）

T

J

- 结温（ ° C）

栅极电荷

10

3000

V

DS

= 15 V

8

I

DS

= 10A

2500

电容

Frequency=1MHz

V

GS

-Gate - 源极电压（ V）

电容（pF）

2000

1500

1000

500

0

CRSS

0

5

10

15

20

25

科斯

西塞

6

4

2

0

5

10

15

20

25

30

Q

G

- 栅极电荷（ NC）

V

DS

- 漏极至源极电压（ V）

版权

茂达电子股份有限公司

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4

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APM2512N

典型特征

源极 - 漏极二极管正向电压

40

700

600

单脉冲功率

安装在1英寸垫

o

T

A

=25 C

2

I

S

- 源电流（A ）

10

500

功率（W）的

1.2

1.4

400

300

200

100

T

j

=150 C

1

o

T

j

=25 C

o

0.1

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10

100300

V

SD

- 源极到漏极电压（V ）

时间（秒）

归瞬态热阻抗，结到环境

2

标准化的有效瞬态

热阻抗

1

占空比= 0.5

D=0.2

D=0.1

0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

P

DM

t

1

t

2

0.01

单脉冲

1.Duty周期，D = T1 / T2

2.Per单位基础= R

thJA

= 50℃ / W

3.T

JM

-T

A

=P

DM

Z

thJA

4.表面安装在1英寸垫

2

o

1E-3

1E-4

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

300

方波脉冲持续时间（秒）

版权

茂达电子股份有限公司

牧师A.1 - 10月2003

5

www.anpec.com.tw

APM2512NU

N沟道增强型MOSFET

特点

25V/40A,

R

DS （ ON）

= 9mΩ （典型值） @ V

GS

=10V

R

DS （ ON）

= 13mΩ （典型值） @ V

GS

=4.5V

引脚说明

超级高密度电池设计

额定雪崩

可靠，坚固耐用

无铅可用（符合RoHS ）

D

顶视图TO- 252

应用

G

在台式电脑或电源管理

DC / DC转换器

S

N沟道MOSFET

订购和标识信息

APM2512N

无铅代码

处理代码

TEMP 。 RANGE

封装代码

U： TO- 252

工作结点温度。范围

C： -55 150

°

C

处理代码

TU ：管

TR ：带卷&

无铅代码

L：无铅设备空白：原始设备

XXXXX - 日期代码

APM2512N U：

APM2512N

XXXXX

注： ANPEC无铅产品包含模塑料和100 ％雾锡板终止完成;

这是完全符合RoHS标准，既锡铅和无铅当兵的操作兼容。

ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL无铅要求

在无铅峰值回流温度分类。

ANPEC保留权利作出修改，以改善可靠性或可制造性，恕不另行通知，并告知正确的

客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。

版权

茂达电子股份有限公司

启示录B.2 - 2005年10月

1

www.anpec.com.tw

APM2512NU

绝对最大额定值

符号

参数

等级

25

±20

150

-55到150

T

C

=25°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

T

C

=25°C

T

C

=100°C

14

100

65

40

25

50

20

2.5

W

° C / W

V

°C

A

单位

通用等级

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

V

DSS

V

GSS

T

J

T

英镑

I

S

漏源电压

栅源电压

最高结温

存储温度范围

二极管连续正向电流

安装在大型散热片

I

DP

I

D

P

D

R

θ

JC

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到管壳

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

A

安装在印刷电路板1英寸的

2

垫区

I

DP

I

D

P

D

R

θ

JA

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

T

A

=25°C

T

A

=100°C

100

65

10

6

2.5

1

50

100

65

7

4

1.6

0.6

75

W

° C / W

W

° C / W

A

安装在PCB上最小的足迹

I

DP

I

D

P

D

R

θ

JA

300μS脉冲漏极电流测试

连续漏电流

最大功率耗散

热阻，结到环境

A

版权

茂达电子股份有限公司

启示录B.2 - 2005年10月

2

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APM2512NU

电气特性

符号

参数

(T

A

= 25 ° C除非另有说明）

APM2512NU

分钟。

典型值。

马克斯。

测试条件

单位

漏源雪崩额定值

E

AS

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 15A ，V

DD

=20V

V

GS

= 0V时，我

DS

=250

A

V

DS

=20V, V

GS

=0V

T

J

=85°C

V

DS

=V

GS

, I

DS

=250A

V

GS

=±20V, V

DS

=0V

V

GS

= 10V ，我

DS

=20A

V

GS

= 4.5V ，我

DS

=10A

I

SD

= 10A ，V

GS

=0V

V

GS

=0V,V

DS

=0V,F=1MHz

V

GS

=0V,

V

DS

=15V,

Frequency=1.0MHz

V

DD

= 15V ，R

L

=15

,

I

DS

= 1A ，V

根

=10V,

R

G

=6

9

13

1.3

1.8

50

mJ

静态特性

BV

DSS

I

DSS

V

GS （ TH）

I

GSS

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

25

1

30

2.5

±100

12

20

V

A

V

nA

m

R

DS （ ON）一

漏源导通电阻

二极管的特性

V

SD

a

二极管的正向电压

0.9

1.3

V

pF

动态特性

b

R

G

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

T

r

t

D（关闭）

T

f

Q

g

Q

gs

Q

gd

注意事项：

栅极电阻

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

1.1

1560

345

245

10

6

33

10

18

11

47

14

ns

栅极电荷特性

b

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

一：脉冲测试;脉冲width≤300

S，值班cycle≤2 ％。

B：由设计保证，不受生产测试。

33

V

DS

=15V, V

GS

=10V,

I

DS

=20A

4.6

10

43

nC

版权

茂达电子股份有限公司

启示录B.2 - 2005年10月

3

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APM2512NU

典型特征

功耗

60

50

漏电流

50

40

I

D

- 漏电流（ A）

P

合计

- 功率（W ）

30

20

10

T

C

=25 C

0

20 40

60 80 100 120 140 160 180

o

10

T

C

= 25℃ ，V

G

=10V

0

20 40

60 80 100 120 140 160 180

o

0

T

j

- 结温（ ° C）

T

j

- 结温（ ° C）

安全工作区

归一化瞬态热阻

300

100

2

1

瞬态热阻抗

Rd

S（O

n)

LIM

it

占空比= 0.5

0.2

I

D

- 漏电流（ A）

10ms

100ms

10

1s

0.1

0.02

0.01

0.1

0.05

DC

1

0.01

单脉冲

0.1

T

c

=25 C

1

10

70

o

1E-3

1E-4

安装在1英寸垫

o

R

θ

JA

： 50℃ / W

2

1E-3

0.01

0.1

1

10

100

V

DS

- 漏极 - 源极电压（ V）

方波脉冲持续时间（秒）

版权

茂达电子股份有限公司

启示录B.2 - 2005年10月

4

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APM2512NU

典型特征（续）

输出特性

100

V

GS

=6,7,8,9,10V

90

80

5V

22

20

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

- 在 - 电阻（ m ）

18

16

14

12

10

8

6

4

V

GS

=4.5V

I

D

- 漏电流（ A）

70

60

50

4.5V

4V

40

30

3.5V

20

10

0

1

2

3

4

3V

2.5V

5

V

GS

=10V

2

0

20

40

60

80

100

V

DS

- 漏源电压（ V）

I

D

- 漏电流（ A）

传输特性

100

90

80

1.6

栅极阈值电压

I

DS

=250

A

1.4

I

D

- 漏电流（ A）

70

60

50

40

30

20

10

0

1

T

j

=125 C

o

归一化阈值电压

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

-50 -25

T

j

=25 C

T

j

=-55 C

o

2

3

4

5

6

0

25

50

75 100 125 150

V

GS

- 门 - 源极电压（ V）

T

j

- 结温（ ° C）

版权

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启示录B.2 - 2005年10月

5

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