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APM2095PD
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V/-3A,
R
DS ( ON)
= 75mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
=为100mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图SOT- 89
(3)
S
应用
开关稳压器
开关转换器
(1)
G
D
(2)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 2095P
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
牛逼EM P 。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
D: S 0牛逼-8 9
P·E·R锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: - 5月5日至5月1日0 ℃,
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
L E A D楼Re式C D E
1:1 EAD F稀土 EV IC式B LA NK :O型 IG的人 EV IC ê
APM 2095P D:
APM 2095
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月, 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2095PD
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DM
*
I
S
*
T
J
T
英镑
P
D
*
R
θJA
*
注意:
*表面安装在1英寸
垫区域,叔
10sec.
2
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
300μS脉冲漏电流
二极管连续正向电流
最高结温
存储温度范围
功率消耗单操作
热阻,结到环境
T
A
=25°C
T
A
=100°C
V
GS
=-4.5V
等级
-20
±10
-3
-12
-1
150
-55到150
1.47
0.58
85
单位
V
A
A
°C
W
° C / W
电气特性
符号
参数
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
测试条件
APM2095PD
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
R
DS ( ON)
V
SD
a
a
V
GS
= 0V时,我
DS
=-250A
V
DS
=-12V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250A
V
GS
=±10V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ,我
DS
=-3A
V
GS
= -2.5V ,我
DS
=-1.5A
I
SD
= -0.5A ,V
GS
=0V
-20
-1
-30
-0.5
-0.7
75
100
-0.7
-1
±100
100
130
-1.3
V
A
V
nA
m
V
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
b
栅极电荷特性
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 漏极电荷
11.5
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-3A
1.7
1.8
15
nC
栅极 - 源电荷
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月, 2005年
2
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APM2095PD
电气特性(续)
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
b
测试条件
APM2095PD
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
T
r
t
D(关闭)
T
f
注意事项:
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
12.5
1160
250
85
12
21
42
85
32
25
52
18
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= -10V ,R
L
=10,
I
DS
= -1A ,V
=-4.5V,
R
G
=6
ns
一:脉冲测试;脉冲width≤300
S,值班cycle≤2 % 。
B:由设计保证,不受生产测试。
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3
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APM2095PD
典型特征
功耗
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
A
=25 C
0
20
40
60
80 100 120 140 160
o
漏电流
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
T
A
= 25℃ ,V
G
=-4.5V
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
o
T
j
- 结温( ° C)
-I
D
- 漏电流( A)
P
合计
- 功率(W )
T
j
- 结温
安全工作区
归瞬态热阻性
50
2
1
瞬态热阻抗
占空比= 0.5
-I
D
- 漏电流( A)
im
it
10
on
)L
0.2
0.1
Rd
s(
300
s
0.1
0.02
0.01
0.05
1
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
DC
0.01
单脉冲
T
A
=25 C
0.01
0.01
0.1
o
1
10
100
1E-3
1E-4 1E-3 0.01
安装在1英寸垫
o
R
θ
JA
85 C / W
2
0.1
1
10
100
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
方波脉冲持续时间(秒)
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4
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APM2095PD
典型特征(续)
输出特性
12
V
GS
=-3,-4,-5,-6,-7,-8,-9,-10V
10
140
130
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
2
4
V
GS
=-2.5V
-I
D
- 漏电流( A)
8
-2V
6
V
GS
=-4.5V
4
-1.5V
2
0
0
2
4
6
8
10
6
8
10
12
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
传输特性
12
1.8
1.6
栅极阈值电压
I
DS
=-250
A
归一化阈值电压
10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- 漏电流( A)
8
6
4
T
j
=125 C
2
T
j
=25 C
0
0.0
o
o
T
j
=-55 C
o
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
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茂达电子股份有限公司
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5
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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上海原装现货库存,欢迎咨询合作
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
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23000
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全新原装正品/质量有保证
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联系人:刘经理
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全新原装正品/质量有保证
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