APM2095PD
P沟道增强型MOSFET
特点
-20V/-3A,
R
DS ( ON)
= 75mΩ (典型值) @ V
GS
=-4.5V
R
DS ( ON)
=为100mΩ (典型值) @ V
GS
=-2.5V
引脚说明
G
D
S
超级高密度电池设计
可靠,坚固耐用
无铅可用(符合RoHS )
顶视图SOT- 89
(3)
S
应用
开关稳压器
开关转换器
(1)
G
D
(2)
P沟道MOSFET
订购和标识信息
APM 2095P
L E A D楼Re式C D E
H A N D林克C 0 D E
牛逼EM P 。 法兰
P ackage 颂歌
P ackage 颂歌
D: S 0牛逼-8 9
P·E·R锡克加利 TIO N率T e M·P 。 R A N G - é
C: - 5月5日至5月1日0 ℃,
H A N D林克C 0 D E
TU :管
TR :带卷&
L E A D楼Re式C D E
1:1 EAD F稀土 EV IC式B LA NK :O型 IG的人 EV IC ê
APM 2095P D:
APM 2095
XXXXX
X X X X X - D上TE C 0 D E
注: ANPEC无铅产品包含模塑料/晶片的附属材料和100 %雾在板端接
化完成;这是完全符合RoHS标准,既锡铅和无铅当兵的操作兼容。
ANPEC无铅产品能达到甚至超越IPC / JEDEC J STD- 020C的MSL classifica-无铅要求
化在无铅峰值回流温度。
ANPEC保留权利作出修改,以改善可靠性或可制造性,恕不另行通知,并告知正确的
客户获得相关信息在下订单前确认最新版本。
版权
茂达电子股份有限公司
牧师B.1 - 四月, 2005年
1
www.anpec.com.tw
APM2095PD
典型特征(续)
输出特性
12
V
GS
=-3,-4,-5,-6,-7,-8,-9,-10V
10
140
130
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
- 在 - 电阻( m )
120
110
100
90
80
70
60
50
40
0
2
4
V
GS
=-2.5V
-I
D
- 漏电流( A)
8
-2V
6
V
GS
=-4.5V
4
-1.5V
2
0
0
2
4
6
8
10
6
8
10
12
-V
DS
- 漏极 - 源极电压( V)
-I
D
- 漏电流( A)
传输特性
12
1.8
1.6
栅极阈值电压
I
DS
=-250
A
归一化阈值电压
10
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
-50 -25
-I
D
- 漏电流( A)
8
6
4
T
j
=125 C
2
T
j
=25 C
0
0.0
o
o
T
j
=-55 C
o
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0
25
50
75
100 125 150
-V
GS
- 门 - 源极电压( V)
T
j
- 结温( ° C)
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5
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