600V 49A 0.125
W
APL602B2
APL602L
线性MOSFET
线性MOSFET是在直线运行优化的应用程序
区域并发高电压和高电流可发生于
接近直流的条件（ >100毫秒） 。
D
B2
G
S
T- MAX
TO-264
L
热门
T- MAX
或TO- 264封装
更高的功率耗散
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的FBSOA
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL602
单位
伏
安培
600
49
196
±30
±40
730
5.84
-55到150
300
49
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
600
49
0.125
25
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 8V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
欧
A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
250
±100
2
4
nA
伏
安全工作区特性
符号特性
SOA1
安全工作区
测试条件/型号
V
DS
= 400 V，I
DS
= 1.063A ，T = 20秒，T
C
= 60°C
民
典型值
最大
单位
瓦
050-5894修订版B 7-2002
425
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
最大
APL602
单位
7485
1290
617
13
27
56
16
9000
1810
930
26
54
84
20
ns
pF
热特性
符号特性
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
.17
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.50mH ， R = 25Ω ，峰值I = 49A
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
θ
0.1
0.05
D=0.5
0.2
0.1
注意：
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-4
PDM
0.01
0.005
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.001
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
120
VGS = 10 ， 15V
I
D
，漏极电流（安培）
120
VGS = 10V ， 15 V
I
D
，漏极电流（安培）
80
8V
60
7.5 V
40
7V
20
6.5 V
6V
5.5 V
0
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，高电压输出特性
80
8V
60
7.5 V
40
7V
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
6.5 V
6V
5.5 V
050-5894修订版B 7-2002
10
典型性能曲线
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
80
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
1.30
V
GS
APL602
归一
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.20
VGS=10V
1.10
60
40
1.00
0.90
VGS=20V
20
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0.80
0.70
0
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
50
I
D
，漏极电流（安培）
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
40
BV
DSS
（ON ） ，漏极 - 源极击穿
电压（归）
1.15
1.10
30
1.05
20
1.00
10
0.95
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
0
25
0.90
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
2.5
I
D
= 0.5 I
V
GS
D
[续]
= 10V
2.0
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
1.1
1.0
0.9
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
-50
0.5
0.0
-50
-25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
0
25
50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
-25
196
100
50
30,000
100S
10,000
C，电容（pF ）
I
D
，漏极电流（安培）
西塞
5,000
1mS
10
5
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
10mS
科斯
1,000
500
CRSS
7-2002
050-5894修订版B
100mS
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
1
1
5 10
50 100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
APL602
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
7-2002
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
050-5894修订版B
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
600V 49A 0.125
APL602B2
APL602L
线性MOSFET
线性MOSFET是在直线运行应用进行了优化
区域并发高电压和高电流可发生于
接近直流的条件（ >100毫秒） 。
B2
T- MAX
TO-264
L
热门
T- MAX
或TO- 264封装
更高的功率耗散
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
V
GS
V
GSM
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
I
AR
E
AR
E
AS
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
1
更高的FBSOA
D
G
S
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL602B2-L
单位
伏
安培
600
49
196
±30
±40
730
5.84
-55到150
300
49
50
4
门源电压连续
栅源电压瞬态
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
雪崩电流
1
伏
瓦
W / ℃，
°C
安培
mJ
（重复，不重复）
1
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
3000
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
600
49
0.125
25
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 12V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 12V， 24.5A ）
欧
A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 600v, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 480V, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
250
±100
2
4
nA
8-2003
050-5894冯ê
伏
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 300V
I
D
= 49A @ 25°C
R
G
= 0.6
民
典型值
APL602B2-L
最大
单位
7485
1290
617
13
27
56
16
9000
1810
930
26
54
84
20
ns
pF
热特性
符号特性
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
民
典型值
最大
单位
° C / W
.17
40
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结
温度。
3
见MIL -STD -750方法3471
4
启动T = + 25 ° C，L = 2.50mH ， R = 25Ω ，峰值I = 49A
j
G
L
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.18
0.16
Z
Θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.9
0.14
0.12
0.10
0.5
0.08
0.06
0.04
0.02
0
10
-5
0.1
0.05
10
-4
单脉冲
0.3
注意：
PDM
t1
t2
占空比D = T1 /吨
2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
0.7
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
1.0
遥控模型
连接点
温度。 （ “C ）
0.0575
动力
（瓦特）
0.113
0.358F
0.0187F
8-2003
外壳温度
050-5894冯ê
图1a ，瞬态热阻抗模型
典型性能曲线
120
VGS = 10V ， 15 V
I
D
，漏极电流（安培）
APL602B2-L
120
VGS = 10 ， 15V
100
8V
80
7.5 V
60
7V
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，低电压输出特性
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
电压（归）
I
D
，漏极电流（安培）
100
8V
80
7.5 V
60
7V
40
6.5 V
6V
5.5 V
0
0
50
100
150
200
250
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，高电压输出特性
80
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
6.5 V
6V
5.5 V
20
1.30
归一
= 10V @ 29A
V
GS
I
D
，漏极电流（安培）
（归一化）
1.20
VGS=10V
1.10
60
40
1.00
0.90
VGS=20V
20
TJ = + 125°C
TJ = -55°C
TJ = + 25°C
0.80
0.70
0
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，传热特性
50
20
40
60
80
100
120
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
40
BV
DSS
（ON ） ，漏极 - 源极击穿
1.15
I
D
，漏极电流（安培）
1.10
30
1.05
20
1.00
10
0.95
0
50
75
100
125
150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
25
0.90
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
050-5894冯ê
8-2003
APL602B2-L
2.5
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
I
D
1.2
= 24.5A
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
V
GS
= 12V
2.0
1.1
1.0
0.9
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
-50 -25
0.5
0.0
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
196
100
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
0
25
50
75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
30,000
I
D
，漏极电流（安培）
50
100S
C，电容（pF ）
10,000
5,000
西塞
10
5
1mS
10mS
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
100mS
科斯
1,000
500
CRSS
.1
DC线
1
5 10
50 100
600
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，电容VS漏极至源极电压
T-最大
TM
（ B2 ）封装外形
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
TO- 264 （ L）包装外形
4.60 (.181)
5.21 (.205)
1.80 (.071)
2.01 (.079)
19.51 (.768)
20.50 (.807)
3.10 (.122)
3.48 (.137)
5.79 (.228)
6.20 (.244)
漏
20.80 (.819)
21.46 (.845)
漏
25.48 (1.003)
26.49 (1.043)
4.50 （ 0.177 ）最大。
0.40 (.016)
0.79 (.031)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
19.81 (.780)
21.39 (.842)
2.29 (.090)
2.69 (.106)
8-2003
19.81 (.780)
20.32 (.800)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
门
漏
来源
0.48 (.019)
0.84 (.033)
2.59 (.102)
3.00 (.118)
门
漏
来源
050-5894冯ê
2.21 (.087)
2.59 (.102)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
0.76 (.030)
1.30 (.051)
2.79 (.110)
3.18 (.125)
5.45 （ 0.215 ） BSC
2-Plcs.
这些尺寸是相等的TO-247 ，而不安装孔。
尺寸以毫米（英寸）
尺寸以毫米（英寸）
APT的产品受一个或多个USpatents 4895810的5045903 5089434 5182234 5019522
5262336 6503786 5256583 4748103 5283202 5231474 5434095 5528058和外国专利。美国和外国专利正在申请中。版权所有。
QQ：2880707522 复制
