D
P-包
G
S
APL1001P
1000V 18.0A 0.60
W
气密封装
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
, l
LM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
1
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL1001P
单位
伏
安培
1000
18
72
±30
520
4.16
-55到150
和电感电流钳位
伏
瓦
W / ℃，
°C
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
1000
18
0.60
25
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 8V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
欧
A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
250
±100
2
4
nA
伏
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
0.06
8-2001
050-5899
转 -
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
W
民
典型值
APL1001P
最大
单位
6000
775
285
14
14
60
14
7200
1080
430
28
28
92
20
ns
pF
安全工作区特性
符号
SOA1
特征
安全工作区
测试条件/型号
V
DS
= 400 V，I
DS
= 0.813A ，T = 20秒，T
C
= 60°C
民
典型值
最大
单位
瓦
325
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
40
VGS = 6.5V ， 7.0V ， 8.0V ，
10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
30
6.0 V
I
D
，漏极电流（安培）
40
VGS = 15V ， 10V ， 8V ， 7V & 6.5V
30
6.0 V
5.5 V
20
5.0 V
10
4.5 V
5.5 V
20
5.0 V
10
4.5 V
转 -
8-2001
050-5899
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
APL1001P
TJ = -55°C
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
20
1.30
归一
V
GS
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.20
VGS=10V
1.10
15
10
1.00
VGS=20V
5
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0.90
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
20
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.80
0
10
20
30
40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
（ON ） ，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I
D
1.15
1.10
1.05
1.00
15
10
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
5
50
75
100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 0.5 I
V
GS
D
0
[续]
= 10V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
100S
C，电容（pF ）
2.0
1.1
1.0
0.9
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
-50
0.5
0.0
-50
-25 0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25 0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
100
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
西塞
5,000
I
D
，漏极电流（安培）
10
1mS
10mS
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
100mS
1,000
500
科斯
DC
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
050-5899
转 -
8-2001
CRSS
APL1001P
P-包封装外形
41.53 (1.635)
41.02 (1.615)
35.18 (1.385)
34.67 (1.365)
28.70 (1.130)
28.45 (1.120)
3.43 (.135)
2.92 (.115)
(4-Places)
9.27 (.365)
8.64 (.340)
1.40 (.055)
1.02 (.040)
3.43 (.135)
2.92 (.115)
(4-Places)
来源
漏
4.06 (.160)
3.81 (.150)
（ 5位）
51.05 (2.01)
50.55 (1.99)
35.81 (1.41)
35.31 (1.39)
29.34 (1.155)
29.08 (1.145)
10.92 (.430)
10.67 (.420)
门
来源感
8-2001
5.33 (.210)
4.83 (.190)
转 -
11.63 (.458)
11.13 (.438)
4.39 (.173)
4.14 (.163)
（4处）
12.45 (.490)
11.94 (.470)
.635 (.025)
.381 (.015)
尺寸以毫米（英寸）
050-5899
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
D
P-包
G
S
APL1001P
1000V 18.0A 0.60
W
气密封装
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
, l
LM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
1
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL1001P
单位
伏
安培
1000
18
72
±30
520
4.16
-55到150
和电感电流钳位
伏
瓦
W / ℃，
°C
300
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电流
2
民
典型值
最大
单位
伏
安培
1000
18
0.60
25
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 8V)
2
漏源导通电阻
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
欧
A
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
250
±100
2
4
nA
伏
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和平面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
0.06
8-2001
050-5899
转 -
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
W
民
典型值
APL1001P
最大
单位
6000
775
285
14
14
60
14
7200
1080
430
28
28
92
20
ns
pF
安全工作区特性
符号
SOA1
特征
安全工作区
测试条件/型号
V
DS
= 400 V，I
DS
= 0.813A ，T = 20秒，T
C
= 60°C
民
典型值
最大
单位
瓦
325
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
10
40
VGS = 6.5V ， 7.0V ， 8.0V ，
10V 15V &
I
D
，漏极电流（安培）
30
6.0 V
I
D
，漏极电流（安培）
40
VGS = 15V ， 10V ， 8V ， 7V & 6.5V
30
6.0 V
5.5 V
20
5.0 V
10
4.5 V
5.5 V
20
5.0 V
10
4.5 V
转 -
8-2001
050-5899
0
20
40
60
80
100
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图2 ，典型输出特性
0
0
4
8
12
16
20
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图3 ，典型输出特性
0
APL1001P
TJ = -55°C
I
D
，漏极电流（安培）
VDS>的ID （ON ）× R DS（ ON）的最大值。
250μSEC 。脉冲测试
@ <0.5 ％占空比
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
20
1.30
归一
V
GS
= 10V @ 0.5 I [续]
D
1.20
VGS=10V
1.10
15
10
1.00
VGS=20V
5
TJ = + 125°C
TJ = + 25°C
TJ = -55°C
0.90
0
2
4
6
8
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
图4 ，一般传输特性
20
I
D
，漏极电流（安培）
0
0.80
0
10
20
30
40
I
D
，漏极电流（安培）
图5中，R
DS
（ ON）与漏电流
BV
DSS
（ON ） ，漏极 - 源极击穿
电压（归）
25
I
D
1.15
1.10
1.05
1.00
15
10
0.95
0.90
0.85
-50 -25
0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图7 ，击穿电压与温度
1.2
5
50
75
100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图6 ，最大漏极电流与外壳温度
R
DS
（ON ） ，漏极至源极导通电阻
（归一化）
2.5
= 0.5 I
V
GS
D
0
[续]
= 10V
V
GS
（ TH ） ，阈值电压
（归一化）
100S
C，电容（pF ）
2.0
1.1
1.0
0.9
1.5
1.0
0.8
0.7
0.6
-50
0.5
0.0
-50
-25 0
25 50 75 100 125 150
T
J
，结温（ ° C）
图8 ，导通电阻与温度
-25 0
25 50 75 100 125 150
T
C
，外壳温度（ ° C）
图9 ，阈值电压与温度
100
操作点这里
限制根据RDS （ ON）
20,000
10,000
西塞
5,000
I
D
，漏极电流（安培）
10
1mS
10mS
1
TC = + 25°C
TJ = + 150°C
单脉冲
.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图10 ，最大安全工作区
100mS
1,000
500
科斯
DC
100
.01
.1
1
10
50
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
图11 ，典型电容VS漏极至源极电压
050-5899
转 -
8-2001
CRSS
APL1001P
P-包封装外形
41.53 (1.635)
41.02 (1.615)
35.18 (1.385)
34.67 (1.365)
28.70 (1.130)
28.45 (1.120)
3.43 (.135)
2.92 (.115)
(4-Places)
9.27 (.365)
8.64 (.340)
1.40 (.055)
1.02 (.040)
3.43 (.135)
2.92 (.115)
(4-Places)
来源
漏
4.06 (.160)
3.81 (.150)
（ 5位）
51.05 (2.01)
50.55 (1.99)
35.81 (1.41)
35.31 (1.39)
29.34 (1.155)
29.08 (1.145)
10.92 (.430)
10.67 (.420)
门
来源感
8-2001
5.33 (.210)
4.83 (.190)
转 -
11.63 (.458)
11.13 (.438)
4.39 (.173)
4.14 (.163)
（4处）
12.45 (.490)
11.94 (.470)
.635 (.025)
.381 (.015)
尺寸以毫米（英寸）
050-5899
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
D
S
G
D
S
G
S
OT
S
2
-2
7
APL1001J
1000V
18.0A 0.60
W
ISOTOP
"UL Recognized"文件号E145592 （ S）
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
, l
LM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
1
单芯片ISOTOP
包
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL1001J
单位
伏
安培
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
1000
18
72
±30
520
和电感电流钳位
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电流
2
漏源导通电阻
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
Y
R
A
IN
IM
L
E
R
P
4.16
-55到150
300
民
典型值
伏
瓦
W / ℃，
°C
最大
单位
伏
安培
欧
A
1000
18
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 8V)
2
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
0.60
25
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
250
±100
2
4
nA
伏
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
0.06
050-5904修订版A 3-2000
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
W
民
典型值
最大
APL1001J
单位
6100
780
285
14
14
60
14
ns
pF
安全工作区特性
符号特性
SOA1
安全工作区
测试条件/型号
V
DS
= 400 V，I
DS
= 0.813A ，T = 20秒，T
C
= 60°C
民
典型值
最大
单位
瓦
300
375
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
11.8 (.463)
12.2 (.480)
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
050-5904修订版A 3-2000
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
门
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
D
S
G
D
S
G
S
OT
S
2
-2
7
APL1001J
1000V
18.0A 0.60
W
ISOTOP
"UL Recognized"文件号E145592 （ S）
功率MOS IV
最大额定值
符号
V
DSS
I
D
I
DM
, l
LM
V
GS
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
漏源电压
连续漏电流@ T
C
= 25°C
漏电流脉冲
栅源电压
1
单芯片ISOTOP
包
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APL1001J
单位
伏
安培
N - 沟道增强型高压功率MOSFET
1000
18
72
±30
520
和电感电流钳位
总功率耗散@ T
C
= 25°C
线性降额因子
工作和存储结温范围
焊接温度： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
DSS
I
D
（上）
R
DS
（上）
I
DSS
I
GSS
V
GS
（ TH ）
特性/测试条件/型号
漏源击穿电压（V
GS
= 0V时，我
D
= 250 A)
在国家漏极电流
2
漏源导通电阻
零栅极电压漏极电流（V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V)
Y
R
A
IN
IM
L
E
R
P
4.16
-55到150
300
民
典型值
伏
瓦
W / ℃，
°C
最大
单位
伏
安培
欧
A
1000
18
(V
DS
＆ GT ;我
D
（接通）个R
DS
（ON ）最大值，V
GS
= 8V)
2
(V
GS
= 10V ， 0.5升
D
[续] ）
0.60
25
零栅极电压漏极电流（V
DS
= 0.8 V
DSS
, V
GS
= 0V ，T
C
= 125°C)
门源漏电流（V
GS
= ±30V, V
DS
= 0V)
栅极阈值电压
(V
DS
= V
GS
, I
D
= 2.5毫安）
250
±100
2
4
nA
伏
热特性
符号
R
QJC
R
QCS
特征
结到外壳
案例下沉
（采用高效导热化合物和面散热器表面。 ）
民
典型值
最大
单位
° C / W
0.24
0.06
050-5904修订版A 3-2000
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
美国
欧洲
405 S.W.哥伦比亚街
舍曼MAGRET
德，俄勒冈州97702 -1035
F- 33700梅里捏克 - 法国
电话： （ 541 ） 382-8028
电话： （ 33 ） 5 57 92 15 15
传真： （ 541 ） 388-0364
FAX ： （ 33 ） 10 56 47 97 61
动态特性
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
d
（上）
t
r
t
d
（关闭）
t
f
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
F = 1 MHz的
V
GS
= 15V
V
DD
= 0.5 V
DSS
I
D
= I
D
[续] @ 25°C
R
G
= 0.6
W
民
典型值
最大
APL1001J
单位
6100
780
285
14
14
60
14
ns
pF
安全工作区特性
符号特性
SOA1
安全工作区
测试条件/型号
V
DS
= 400 V，I
DS
= 0.813A ，T = 20秒，T
C
= 60°C
民
典型值
最大
单位
瓦
300
375
1
重复评价：脉冲宽度有限的最高结温。见瞬态热阻抗曲线。 （图1）
2
脉冲测试：脉冲宽度< 380 μS ，占空比< 2 ％
3
见MIL -STD -750方法3471
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
0.3
Z
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
q
D=0.5
0.1
0.05
0.2
0.1
0.05
0.01
0.005
0.02
0.01
单脉冲
0.001
10
-5
10
-4
注意：
PDM
t1
t2
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
10
矩形脉冲持续时间（秒）
图1 ，最大有效瞬态热阻抗，结点到外壳VS脉冲持续时间
11.8 (.463)
12.2 (.480)
31.5 (1.240)
31.7 (1.248)
7.8 (.307)
8.2 (.322)
W=4.1 (.161)
W=4.3 (.169)
H=4.8 (.187)
H=4.9 (.193)
（4处）
8.9 (.350)
9.6 (.378)
六角螺母M4
（4处）
r = 4.0 (.157)
（ 2处）
4.0 (.157)
4.2 (.165)
（ 2处）
25.2 (0.992)
0.75 (.030) 12.6 (.496) 25.4 (1.000)
0.85 (.033) 12.8 (.504)
3.3 (.129)
3.6 (.143)
14.9 (.587)
15.1 (.594)
1.95 (.077)
2.14 (.084)
050-5904修订版A 3-2000
30.1 (1.185)
30.3 (1.193)
38.0 (1.496)
38.2 (1.504)
*资料来源
漏
*资料来源端子短路
在内部。目前的处理
能力是相等的任一
源极端子。
*资料来源
尺寸以毫米（英寸）
APT的设备涵盖了以下一个USpatents的一个或多个：
4,895,810
5,256,583
5,045,903
4,748,103
5,089,434
5,283,202
门
5,182,234
5,231,474
5,019,522
5,434,095
5,262,336
5,528,058
QQ：2881677436 复制
