AOTF454L
150V N沟道MOSFET
概述
该AOTF454L结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装提供
非常低R
DS （ ON）
。这器件是理想的升压转换器和同步整流器的消费，
电信，工业电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=7V)
150V
13A
< 94mΩ
< 110mΩ
TO220F
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
150
±20
13
8
40
3
2.5
5
1.3
41
16
2.1
1.3
-55到150
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
10
48.5
2.4
最大
12
58
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
www.freescale.net.cn
AOTF454L
150V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=10A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
655
V
GS
=0V, V
DS
= 75V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
50
13
0.7
10
V
GS
=10V, V
DS
= 75V ，我
D
=10A
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=150V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
T
J
=125°C
3.4
40
75.5
151
84
20
0.72
1
45
820
70
22
1.4
15
4
4.4
10.5
V
GS
=10V, V
DS
= 75V ，R
L
=7.5,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
150
典型值
最大
单位
V
1
5
±100
4
4.6
94
188
110
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
985
90
31
2.1
20
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
5.5
14.5
3
20
160
32.5
230
45
300
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2/6
www.freescale.net.cn
AOTF454L
150V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=75V
I
D
=10A
电容（pF）
1200
1000
C
国际空间站
800
600
400
C
OSS
200
0
0
9
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
3
6
15
0
15
60 75 90 105 120 135 150
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
30
45
C
RSS
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
100.0
500
10s
10s
10.0
I
D
（安培）
100s
功率（W）的
400
300
200
100
0
0.0001
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1.0
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1ms
10ms
DC
0.1
17
5
2
10
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
0.001
0.01
0.1
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值
18
结点到
案例（注F）
0
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
单脉冲
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
www.freescale.net.cn
AOTF454L
150V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°C
T
A
=100°C
功耗（ W）
100
60
50
40
30
20
10
0
1
10
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
75
100
125
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注F）
25
50
150
T
A
=150°C
T
A
=125°C
1
20
500
400
功率（W）的
T
A
=25°C
额定电流我
D
(A)
15
300
200
100
10
17
5
2
10
5
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注F）
25
50
150
0
0
脉冲宽度（S ）
10
18
0.00001
0.001
0.1
1000
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=58°C/W
1
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.001
0.0001
T
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
5/6
www.freescale.net.cn
这AOS产品可靠性报告总结了AOTF454L资格的结果。加速
环境测试是在一个特定的样本量进行，再其次是电气试验
在终点。复审终裁电测试结果证实， AOTF454L通过AOS质量
和可靠性的要求。发布的产品将被处理家庭进行分类，并
为不断提高产品质量每季进行监控。
目录：
I.
II.
III.
IV 。
产品说明
包装及模具信息
环境应力测试总结及结果
可靠性评估
一，产品简介：
该AOTF454L结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻封装
提供非常低R
DS （ ON）
。这器件是理想的升压转换器和同步
整流器消费，电信，工业电源和LED背光。
-RoHS标准
卤素免费
详细信息请参考表。
II 。模具/包装信息：
AOTF454L
过程
标准亚微米
低压N沟道工艺
套餐类型
3导致TO220F
引线框架
裸铜
芯片粘接
软焊料
键合线
铝焊丝
模具材料
环氧树脂与二氧化硅填料
水分含量
截至1级*
注*
基于信息由汇编器和模塑料供应商。
2
III 。可靠性应力的AOTF454L结果
测试项目
测试条件
时间
点
-
LOT
归因
11批次
总
样本量
1815pcs
数
of
失败
0
参考
标准
JESD22-
A113
JESD22-
A108
MSL
前提
HTGB
168小时85°C
/ 85％ RH下3周期
reflow@250°c
温度= 150 ℃，
的栅极电压= 100％
Vgsmax
168hrs
500小时
1000小时
1手
2手
231pcs
0
（注A * ）
HTRB
温度= 150 ℃，
的Vds = 80 ％的
Vdsmax
168hrs
500小时
1000小时
77个/很多
154pcs
0
2手
JESD22-
A108
HAST
压力罐
130 +/- 2°c ,
85%RH,
33.3磅， VGS =
80 ％的Vgs最大的
121℃ ， 29.7psi ，
RH=100%
-65 ° C至150° C，
空气到空气中，
100小时
（注A * ）
5手
77个/很多
275pcs
0
JESD22-
A110
96小时
（注A * ）
11批次
（注A * ）
55个/很多
847pcs
77个/很多
693pcs
77个/很多
0
JESD22-
A102
JESD22-
A104
温度
周期
250 / 500
周期
9批次
（注A * ）
0
注一：
可靠性数据给出总的可用通用数据到出版日期。
IV 。可靠性评估
FIT率（十亿） ： 20
MTTF = 5790年
FIT率对个别产品可靠性报告会是由实际的老化限制
选定产品（ AOTF454L ）的样本量。故障率的确定是基于JEDEC
标准JESD 85 FIT意味着每十亿小时一次失败。
故障率
=驰X 10
/
[2
（N） （H）（ Af）中的]
9
= 1.83 x 10
/
[2x
(2x77x168+2x2x77x500) x258] = 20
9
7
MTTF =
10 / FIT = 5.07 ×10小时= 5790年
Chi
=驰平方分布，通过故障和置信区间的数目来确定
N
从HTRB和HTGB试验单位=总数
H
=的HTRB / HTGB测试时间
Af
=从测试加速因子使用条件（ EA = 0.7EV和土色= 55 °
C)
加速因子AF] =
EXP
[ EA /
k
（ 1 / TJ ü - 1 / TJ S） ]
加速系数比列表：
55摄氏度
70℃
85摄氏度
100℃
115摄氏度
130℃
150℃
2
9
Af
258
87
32
13
5.64
2.59
1
TJ s
=在程度上强调结点温度（开尔文） ，K = C + 273.16
TJ ü
=在度使用结点温度（开尔文） ，K = C + 273.16
k
=
玻尔兹曼常数， 8.617164 ×10
-5
电子伏特/ K
3
QQ：2880707522 复制
