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AP9962AGM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
▼
符合RoHS
SO-8
S1
D1
D1
D2
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G2
S2
G1
40V
25mΩ
7A
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
在SO -8封装，广泛用于优先commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低
电压应用，如DC / DC转换器。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流
3
, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
40
+20
7
5.5
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200901203
AP9962AGM-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
= +20V, V
DS
=0V
I
D
=7A
V
DS
=32V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
分钟。
40
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
18
-
-
12
2.5
7.4
8
6
23
5.5
820
95
90
MAX 。单位
-
25
40
3
-
10
+100
30
-
-
-
-
-
-
1350
-
-
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
Is=7A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
19
12
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
QRR
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP9962AGM-HF
30
30
T
A
=25 C
o
I
D
，漏电流（ A）
20
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
5.0V
4.5V
T
A
=150
o
C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
20
10
10
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
30
1.8
I
D
=7A
T
A
=25
o
C
26
1.6
I
D
=7A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.4
22
1.2
1.0
18
0.8
14
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.4
10
8
2
T
j
=150
o
C
6
T
j
=25 C
V
GS
（ TH ）
o
I
S
(A)
1.6
4
1.2
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0.8
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9962AGM-HF
14
10000
f=1.0MHz
I
D
=7A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
6
C（ pF）的
8
V
DS
=20V
V
DS
=24V
V
DS
=32V
1000
C
国际空间站
100
4
C
OSS
C
RSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS ，
漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
DUTY=0.5
10
100us
I
D
(A)
1
0.2
1ms
10ms
0.1
0.1
P
DM
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
0.05
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
100ms
1s
DC
0.02
0.01
Rthja = 135 ℃ / W
单脉冲
0.01
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
40
V
DS
=5V
T
j
=25
o
C
T
j
=150
o
C
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
I
D
，漏电流（ A）
30
20
10
收费
0
Q
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
8
7
6
5
E1
E
A
A1
B
c
D
E
E1
e
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
5.80
3.80
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
6.15
3.90
1.27 （典型值）
0.254 TYP
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
6.50
4.00
1
2
3
4
e
B
G
L
α
0.38
0.00
－
4.00
0.90
8.00
A
A1
G
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
9962AGM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
如果最后"S"是数字字母： ROHS产品
如果最后"S"是英文字母： HF & RoHS产品
5
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推荐型号
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AM29F080B-70EI
AM2968-507BUA
AM29BDD160GT64CPBK
ATSAM4SD32CA-CFU
ADDAC85
AITD25
AIC1734-37XU
AM29LV004B-150ECB
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AMS3107D-30
AMMC-5620
AM1/4L-0512S-NZ
AHA4524A-031PTC
ADEL2020AN
AD4016M42RSB-5
AS9C25256M2036L-133PI
ACML-0402-31
AM6TW-2403S-N
AM27C128-90DCB
供货商
型号
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    联系人：杨小姐
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    AP9962AGM-HF
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