AMMC-5620
6 - 20 GHz的高增益放大器
数据表
芯片尺寸： 1410 ×1010微米（ 55.5 X 39.7密耳）
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
芯片厚度： 100 ± 10微米（ 4 ± 0.4密耳）
垫尺寸： 80× 80微米（ 3.1× 3.1密耳或更大）
描述
Avago的AMMC - 5620 MMIC是GaAs宽
频带放大器专为中等输出功率和
高增益超过6 - 20 GHz的频率范围。 3
级联级提供高增益，而单偏置
电源提供了易用性。它是使用PHEMT制造
集成电路处理。在RF输入和输出端口
有匹配电路在50 Ω环境中使用。
在芯片的背面是RF和DC接地。这
有助于简化组装过程并降低了装配
相关的性能的变化和成本。对于改善
可靠性和防潮保护，模具被钝化
在有源区。该MMIC是一种成本效益的替代方案
混合动力（离散FET）需要复杂的放大器
调整和装配工艺。
AMMC - 5620绝对最大额定值
[1]
符号
V
DD
I
DD
P
DC
P
in
T
ch
T
b
T
英镑
T
最大
参数/条件
漏极供电电压
总漏电流
DC功耗
CW RF输入功率
通道温度。
背面的操作温度。
储存温度。
大会的最大温度。
（ 60秒以内）
特点
频率范围： 6 - 20 GHz的
高增益：19 dB（典型）
输出功率： 15dBm的典型
输入和输出回波损耗： < -10分贝
正增益斜率： + 0.21分贝/ GHz的典型
单电源偏置： 5 V @ 95毫安典型
应用
通用，在通信宽带放大器
化系统或微波仪器
高增益放大器
单位
V
mA
W
DBM
°
C
°
C
°
C
°
C
分钟。
马克斯。
7.5
135
1.0
20
+150
- 55
- 65
+165
+300
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
注意：这些设备是ESD敏感。下面的注意事项强烈推荐。
保证在ESD批准载体时使用的骰子从一个目的地运送到
另一种。个人的接地是在任何时候都操作这些设备的时候可以穿
AMMC - 5620直流规格/物理性能
[1]
符号
V
DD
I
DD
I
DD
q
CH -B
参数和测试条件
推荐漏极电源电流
共漏极电源电流（V
DD
= 5V)
共漏极电源电流（V
DD
= 7V)
热阻
[3]
（背面温度（T
b
) = 25 °C
单位
V
mA
mA
° C / W
70
分钟。
典型
5
95
105
33
130
马克斯。
注意事项：
1.背面温度Tb = 25 ° C除非另有说明
2.通道到背面热阻（ QCH -B ） = 47 ° C / W ，在Tchannel （TC ） =使用红外显微镜测量150℃的。热阻
在背面温度（ TB）=从测量数据计算25 ℃。
AMMC - 5620 RF规格
[3]
TB = 25 ° C，V
DD
= 5V ，我
DD=
95毫安，Z
o
=50
符号
S21
2
增益斜率
参数和测试条件
小信号增益
正面的小信号增益斜率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
输出功率为1 dB增益压缩@ 20 GHz的
饱和输出功率（ 3分贝增益压缩） @ 20 GHz的
输出3阶截取点@ 20 GHz的
噪声系数@ 20 GHz的
单位
dB
分贝/千兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
分钟。
16
典型
19
+0.21
马克斯。
22
RL
in
RL
OUT
S12
2
P
-1dB
P
SAT
OIP3
NF
10
10
13
14
- 55
12.5
14.5
15
17
23.5
4.2
5.0
注意事项：
3. 100 ％的晶片RF测试完成后，在频率= 6， 13和20千兆赫，除非另有说明。
2
安捷伦AMMC - 5620
6 - 20 GHz的高增益放大器
数据表
特点
频率范围： 6 - 20 GHz的
高增益：19 dB（典型）
输出功率： 15dBm的典型
输入和输出回波损耗： < -10
dB
芯片尺寸：
切屑厚度：
垫尺寸：
1410 x 1010
m
（ 55.5 X 39.7密耳）
100
±
10m (4
±
0.4密耳）
80 x 80
m
（ 3.1× 3.1密耳或更大）的
芯片尺寸公差： ± 10微米（ ± 0.4密耳）
正增益斜率： + 0.21分贝/ GHz的
典型
单电源偏置： 5 V @ 95毫安
典型
应用
描述
安捷伦AMMC- 5620 MMIC是一个
砷化镓宽频带放大器
专为中等输出
功率和高增益超过6
20 GHz的频率范围内。该
3级联级客户提供高
增益，而单偏压
电源提供了易用性。这是
使用PHEMT制造
集成电路处理。该
射频输入端口和输出端口都
在使用匹配电路
50-
环境。该
芯片的背面是两个射频
和直流接地。这有助于
简化了装配过程
并降低组装相关
性能变化和
成本。该MMIC是一种成本
有效的替代混合动力
（分立FET ）放大器，
需要复杂的调整和
装配工艺。
通用，宽带
放大器的通信
系统或微波
仪器仪表
高增益放大器
AMMC - 5620绝对最大额定值
[1]
符号
V
DD
I
DD
P
DC
P
in
T
ch
T
b
T
英镑
T
最大
注意：
1.操作超过这些条件的任何一个，可能会导致该设备造成永久性损坏。
参数/条件
漏极供电电压
总漏电流
DC功耗
CW RF输入功率
通道温度。
背面的操作温度。
储存温度。
单位
V
mA
W
DBM
°C
°C
°C
分钟。
马克斯。
7.5
135
1.0
20
+150
-55
-65
+165
+300
大会的最大温度。 （ 60秒以内）
°C
注意：这些设备是ESD敏感。下面的注意事项强烈建议：
保证在ESD批准载体时使用的骰子从一个目的地运送到另一个。
个人的接地是在任何时候都操作这些设备的时候可以穿。
AMMC - 5620直流规格/物理性能
[1]
符号
V
DD
I
DD
I
DD
θ
CH -B
注意事项：
1.背面温度Tb = 25 ° C除非另有说明
2.通道到背面热阻（ θ
CH -B
)
在T = 47℃ / W
通道
(T
c
）= 150℃，如使用红外线显微镜测量。在背面的温度热阻
(T
b
）=从测量数据计算25 ℃。
参数和测试条件
推荐漏极电源电压
共漏极电源电流（V
DD
= 5V)
共漏极电源电流（V
DD
= 7 V)
热阻
[3]
（背面温度（T
b
) = 25°C
单位
V
mA
mA
° C / W
分钟。
典型
5
马克斯。
70
95
105
33
130
AMMC - 5620 RF规格
[3]
（TB = 25
°
C，V
DD
= 5 V，I
DD
= 95毫安，Z0 = 50
)
符号
|S
21
|
2
增益斜率
RL
in
RL
OUT
|S
12
|
2
P
-1dB
P
SAT
OIP3
NF
注意：
3 .. 100 ％晶圆RF测试完成后，在频率= 6 ， 13和20 GHz ，除非另有说明。
参数和测试条件
小信号增益
正面的小信号增益斜率
输入回波损耗
输出回波损耗
反向隔离
在1分贝增益压缩@ 20 GHz的输出功率
饱和输出功率（ 3分贝增益压缩） @ 20 GHz的
输出3
rd
阶截取点@ 20 GHz的
噪声系数@ 20 GHz的
单位
dB
分贝/千兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
分钟。
16
典型
19
+0.21
马克斯。
22
10
10
13
14
- 55
12.5
14.5
15
17
23.5
4.2
5.0
2
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