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AP9918H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
能够2.5V栅极驱动
▼
低驱动电流
▼
表面贴装封装
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
14mΩ
45A
G
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=125℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
±
12
45
20
140
48
0.38
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
2.6
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200227032
AP9918H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.1
-
-
-
26
-
-
-
19
1.5
10.5
7.5
83
18
23
500
310
125
MAX 。单位
-
-
14
28
1.2
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=18A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=9A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=125
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=18A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
=
±
12V
I
D
=18A
V
DS
=20V
V
GS
=5V
V
DS
=10V
I
D
=18A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=5V
R
D
=0.56Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.3V
T
j
=25℃, I
S
= 45A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
45
140
1.3
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9918H/J
120
80
T
C
=25
o
C
V
G
=4.5V
T
C
=150
o
C
V
G
=4.5V
V
G
=4.0V
V
G
=4.0V
I
D
，漏电流（ A）
80
60
V
G
=3.5V
V
G
=3.5V
I
D
，漏电流（ A）
V
G
=3.0V
40
V
G
=3.0V
40
V
G
=2.5V
20
V
G
=2.5V
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
26
1.8
I
D
= 18 A
24
I
D
=18A
1.6
T
C
=25
o
C
V
G
=4.5V
22
20
归一化
DS （ ON）
1
2
3
4
5
6
1.4
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
18
1.2
16
1.0
14
0.8
12
10
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
(V)
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
AP9918H/J
50
60
50
40
I
D
，漏电流（ A）
40
30
P
D
(W)
20
10
0
25
50
75
100
125
150
30
20
10
0
0
50
100
150
T
c
，外壳温度（
o
C)
T
c
，外壳温度（
o
C)
图5.最大漏极电流V.S.
图6.典型功耗
外壳温度
1000
1
DUTY=0.5
归热响应（R
thJC
)
0.2
100
10us
I
D
(A)
0.1
0.1
0.05
100us
10
0.02
P
DM
单脉冲
0.01
t
T
1ms
T
c
=25
o
C
单脉冲
1
1
10
100
10ms
100ms
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
(V)
T，脉冲宽度（S ）
图7.最大安全工作区
图8.有效的瞬态热阻抗
AP9918H/J
12
10000
f=1.0MHz
I
D
=18A
10
V
DS
=10V
V
DS
=15V
V
GS
，门源电压（ V）
8
V
DS
=20V
C（ pF）的
1000
西塞
6
科斯
4
100
CRSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
10
1
5
9
13
17
21
25
29
V
DS
(V)
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图9.栅极电荷特性
图10.典型的电容特性
100
1.6
1.4
10
1.2
T
j
=150 C
V
GS （ TH）
(V)
1.2
1.6
o
T
j
=25
o
C
I
F
(A)
1
1
0.8
0.6
0.1
0.4
0.01
0
0.4
0.8
0.2
-50
0
50
100
150
V
SD
(V)
结温（
o
C )
图11.正向特性
反向二极管
图12.栅极阈值电压V.S.
结温
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