AP9912H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
85mΩ
10A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9912J ）可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
± 12
10
7
20
18
0.144
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
6.6
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200110031
AP9912H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.025
MAX 。单位
-
-
85
180
-
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=16V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 12V
I
D
=5A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=16V
I
D
=5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=4.5V
R
D
=3.2Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
-
-
-
9
-
-
-
4.3
0.7
2.2
3.1
17.1
13.9
2.6
135
75
35
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 10A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
10
20
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
AP9912H/J
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低栅电荷
▼
快速开关
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
20V
85mΩ
10A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP9912J ）可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=100℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
20
± 12
10
7
20
18
0.144
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
6.6
110
单位
℃/W
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200110031
AP9912H/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
20
-
-
-
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.025
MAX 。单位
-
-
85
180
-
-
1
25
±100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
V
DS
=20V, V
GS
=0V
V
DS
=16V ,V
GS
=0V
V
GS
= ± 12V
I
D
=5A
V
DS
=16V
V
GS
=4.5V
V
DS
=16V
I
D
=5A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=4.5V
R
D
=3.2Ω
V
GS
=0V
V
DS
=20V
f=1.0MHz
-
-
-
9
-
-
-
4.3
0.7
2.2
3.1
17.1
13.9
2.6
135
75
35
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
参数
连续源电流（体二极管）
测试条件
V
D
=V
G
=0V , V
S
=1.2V
T
j
=25℃, I
S
= 10A ，V
GS
=0V
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
MAX 。单位
10
20
1.2
A
A
V
脉冲源电流（体二极管）
1
正向电压上
2
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
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