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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1014页 > ADG452BR
a
特点
低导通电阻（ 4 ）
导通电阻平坦度0.2
44 V电源最大额定值
15 V模拟信号范围
完全指定@ 5 V ，+ 12 V， 15 V
超低功耗（ 18瓦）
ESD 2千伏
连续电流100毫安
快速开关时间
t
ON
70纳秒
t
关闭
60纳秒
TTL / CMOS兼容
引脚兼容升级为ADG411 / ADG412 / ADG413
和ADG431 / ADG432 / ADG433
应用
继电器更换
音频和视频切换
自动测试设备
精密数据采集
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
PBX ， PABX系统
航空电子学
概述
LC MOS
5 R
ON
SPST开关
ADG451/ADG452/ADG453
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
IN2
D2
S3
IN3
D3
S4
IN4
D4
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
D3
S4
IN4
D4
开关所对于逻辑"1"输入
IN4
D4
D3
S4
IN1
D1
S2
D2
S3
S1
2
ADG451
IN3
ADG452
ADG453
IN3
该ADG451 ， ADG452和ADG453均为单芯片CMOS
设备包括四个独立可选的开关。他们
在增强型LC的设计
2
MOS工艺，提供
低功耗，高开关速度和低导通
性。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围确保卓越的线性度和低失真的时候
切换音频信号。开关速度快加上高
信号的带宽也使零件适合视频信号
切换。 CMOS结构确保了超低功耗耗散
化因而非常适合于便携式和电池部件
电动器械。
该ADG451 ， ADG452和ADG453包含四个indepen-
凹痕单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG451
和ADG452的唯一不同是数字控制逻辑IN-
verted 。该ADG451开关接通与逻辑低上
适当的控制输入端，同时需要一个逻辑高
该ADG452 。该ADG453有两个开关与数转换
类似于ADG451的控制逻辑，而逻辑IN-
verted上的其它两个开关。
每个开关进行同样在两个方向开启时，
并具有延伸到电源的输入信号范围。在
在OFF状态下，信号电平的电源被阻止。
REV 。一
信息ADI公司提供的被认为是准确和
可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其
使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯
这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或
否则，在ADI公司的任何专利或专利权。
该ADG453展品先开后合式开关动作的
在多路复用应用中使用。固有的设计是低电荷
注射最小的瞬变切换数字输入时。
1.低R
ON
(5
MAX ）
2.超低功耗
3.扩展信号范围
该ADG451 ， ADG452和ADG453是制造上的
增强LC
2
MOS工艺给人一种增加的信号
范围全面延伸至供电轨。
4.先开后合式开关
这可以防止当开关通道短路
配置为多路复用器。 （ ADG453而已。 ）
5.单电源供电
对于应用程序，当该模拟信号是单极的，该
ADG451 ， ADG452和ADG453可以从操作
单轨电源供电。的部分均采用全指定
单路+ 12V供电，并会继续与功能
单电源可低至5.0 V.
6.双电源供电
对于应用中的双极性模拟信号，所述
ADG451 ， ADG452和ADG453可以从操作
从双电源供电
±
4.5 V至
±
20 V.
产品亮点
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781 / 329-4700
万维网网站： http://www.analog.com
传真： 781 / 326-8703
ADI公司， 1998年
ADG451/ADG452/ADG453–SPECIFICATIONS
1
双电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
2
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
3
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG453 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
I
GND
3
DD
= +15 V, V
SS
= –15 V, V
L
= + 5V ， GND = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
T
民
to
+25 C
T
最大
V
SS
到V
DD
4.0
5
0.1
0.5
0.2
0.5
±
0.02
±
0.5
±
0.02
±
0.5
±
0.04
±
1
7
0.5
0.5
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= -10 V至+10 V，I
S
= -10毫安
V
D
=
±
10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= -5 V ， 0 V ，+ 5 V，I
S
= -10毫安
±
2.5
±
2.5
±
5
2.4
0.8
V
D
=
±
10 V, V
S
=
±
10 V;
测试电路2
V
D
=
±
10 V, V
S
=
±
10 V;
测试电路2
V
D
= V
S
=
±
10 V;
测试电路3
0.005
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
，所有其他= 2.4 V
或0.8 V分别
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
=
±
10 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= +10 V;
测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1.0 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +16.5 V, V
SS
= –16.5 V
数字输入= 0 V或5 V
70
180
60
140
15
5
20
30
65
–90
15
15
100
220
180
5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
5
5
5
5
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
T
最大
= +70°C
.
3
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–2–
REV 。一
ADG451/ADG452/ADG453
单电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
2, 3
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
4
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG453 ）
电荷注入
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
L
I
GND4
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
DD
= +12 V, V
SS
= 0 V, V
L
= + 5V ， GND = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
T
民
to
+25 C
T
最大
0 V至V
DD
6
8
0.1
0.5
1.0
±
0.02
±
0.5
±
0.02
±
0.5
±
0.04
±
1
10
0.5
1.0
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
典型值
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= 0 V至10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 0 V ，+ 5 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 0 V, 10 V, V
S
= 0 V, 10 V;
测试电路2
V
D
= 0 V, 10 V, V
S
= 0 V, 10 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 0 V, 10 V;
测试电路3
±
2.5
±
2.5
±
5
2.4
0.8
0.005
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
100
220
80
160
15
10
10
–90
15
15
100
260
200
10
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= + 8V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= +8 V;
测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1.0 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +13.2 V
数字输入= 0 V或5 V
5
5
5
V
L
= +5.5 V
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
T
最大
= +70°C.
3
测试了采用双电源供电。
4
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
–3–
ADG451/ADG452/ADG453–SPECIFICATIONS
双电源
(V
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻之间的匹配
通道（ ΔR
ON
)
漏电流
2, 3
来源OFF漏我
S
（关闭）
流掉泄漏我
D
（关闭）
渠道渗漏我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流
I
INL
还是我
INH
动态特性
4
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG453 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
I
GND4
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
A
典型值
A
最大
DD
1
= +5 V, V
SS
= –5 V, V
L
= + 5V ， GND = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
除非另有说明）。
B版本
T
民
to
+25 C
T
最大
V
SS
到V
DD
7
12
0.3
0.5
±
0.02
±
0.5
±
0.02
±
0.5
±
0.04
±
1
15
0.5
单位
V
典型值
最大
典型值
最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
A
典型值
A
最大
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
测试条件/评论
V
D
= -3.5 V至3.5 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 3.5 V，I
S
= -10毫安
±
2.5
±
2.5
±
5
2.4
0.8
V
D
=
±
4.5, V
S
=
±
4.5;
测试电路2
V
D
= 0 V, 5 V, V
S
= 0 V, 5 V;
测试电路2
V
D
= V
S
= 0 V, 5 V;
测试电路3
0.005
±
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
160
220
60
140
50
5
10
65
–76
15
15
100
300
180
5
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S
= 3 V ;测试电路4
R
L
= 300
,
C
L
= 35 pF的;
V
S1
= V
S2
= 3 V;
测试电路5
V
S
= 0 V ，R
S
= 0
,
C
L
= 1.0 nF的;
测试电路6
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路7
R
L
= 50
,
C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;
测试电路8
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= +5.5 V
数字输入= 0 V或5 V
5
5
5
5
V
L
= +5.5 V
V
L
= +5.5 V
笔记
1
温度范围如下： B版本： -40 ° C至+ 85°C 。
2
T
最大
= +70°C.
3
测试了采用双电源供电。
4
通过设计保证，不受生产测试。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
–4–
REV 。一
ADG451/ADG452/ADG453
真值表（ ADG451 / ADG452 ）
真值表（ ADG453 ）
ADG451在
0
1
ADG452在
1
0
开关状态
ON
关闭
逻辑
0
1
开关1,4
关闭
ON
开关2,3
ON
关闭
引脚配置
（ DIP / SOIC ）
订购指南
IN1
1
D1
2
S1
3
V
SS 4
GND
5
S4
6
D4
7
IN4
8
16
IN2
15
D2
ADG451
ADG452
ADG453
顶视图
（不按比例）
模型
ADG451BN
ADG451BR
ADG452BN
ADG452BR
ADG453BN
ADG453BR
温度
范围
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 85°C
包
选项*
N-16
R-16A
N-16
R-16A
N-16
R-16A
14
S2
13
V
DD
12
V
L
11
S3
10
D3
9
IN3
* N =塑料DIP ; R =小外形集成电路（ SOIC ） 。
绝对最大额定值
1
(T
A
= + 25 ° C除非另有说明）
V
DD
到V
SS
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+44 V
V
DD
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至+25 V
V
SS
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 +0.3 V至-25 V
V
L
到GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V到V
DD
+ 0.3 V
模拟，数字输入
2
. . . . . . . . . . . V
SS
-2 V到V
DD
2 V或
30毫安，以先到为准
连续电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
峰值电流，S或D 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300毫安
（脉冲在1毫秒， 10 ％占空比最大）
工作温度范围
工业（B版） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至+ 85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 150°C
塑料封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 470毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 117 ° C / W
焊接温度，焊接（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 260℃
SOIC封装，功率耗散。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 600毫瓦
θ
JA
热阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 77 ° C / W
焊接温度，焊接
气相（60秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 215℃
红外（ 15秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 220℃
ESD 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2千伏
笔记
1
注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作
器件在这些或以上的运作中列出的任何其他条件
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能影响器件的可靠性。只有一个绝对的
最大额定值可在任一时间施加。
2
过压IN ，S或D由内部二极管钳位。当前应
限于给出的最大额定值。
小心
ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易
积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。
虽然ADG451 / ADG452 / ADG453配备专用ESD保护电路，永久
损害可发生在遇到高能量静电放电设备。因此，适当的ESD
预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。
警告！
ESD敏感器件
REV 。一
–5–
LC
2
MOS
5 Ω R
ON
SPST开关
ADG451/ADG452/ADG453
特点
低导通电阻（ 4 Ω ）
导通电阻平坦度（ 0.2 Ω ）
44 V电源最大额定值
± 15 V模拟信号范围
在± 5 V ， 12 V ，± 15 V
超低功耗（ 18 μW ）
ESD 2千伏
连续电流（ 100 mA时）
快速开关时间
t
ON
70纳秒
t
关闭
60纳秒
TTL / CMOS兼容
引脚兼容的升级ADG411 / ADG412 / ADG413
和ADG431 / ADG432 / ADG433
功能方框图
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
D3
S4
IN4
05239-001
05239-102
05239-101
ADG451
IN3
D4
开关所对于逻辑1输入。
图1. ADG451
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
D3
S4
IN4
D4
开关所对于逻辑1输入。
应用
继电器更换
音频和视频切换
自动测试设备
精密数据采集
电池供电系统
采样保持系统
通信系统
PBX ， PABX系统
航空电子学
IN3
ADG452
图2. ADG452
S1
IN1
D1
S2
IN2
D2
S3
D3
S4
IN4
D4
开关所对于逻辑1输入。
概述
该ADG451 / ADG452 / ADG453均为单芯片CMOS
设备包括四个独立可选的开关。
他们是以增强LC设计
2
MOS过程
具有低功耗，高开关
速度和低导通电阻。
导通电阻曲线都非常平坦，在整个模拟输入
范围，确保了出色的线性度和低失真的时候
切换音频信号。开关速度快，加上高
信号带宽，使适合视频信号的部件
切换。 CMOS结构确保了超低功耗耗散
化，从而使零件非常适合便携式及电池 -
电动器械。
该ADG451 / ADG452 / ADG453包含四个独立的，
单刀/单掷（ SPST）开关。该ADG451和
ADG452的区别仅在于，数字控制逻辑被反转。该
ADG451开关的接通与逻辑低上的相应
控制输入端，而逻辑高是所必需的ADG452 。
版本C
信息ADI公司提供的被认为是准确和可靠。然而，没有
责任承担ADI公司供其使用，也为专利或其他任何侵权行为
第三方可能导致其使用的权利。规格如有变更，恕不另行通知。没有
获发牌照以暗示或其他方式ADI公司的任何专利或专利权。
商标和注册商标均为其各自所有者的财产。
IN3
ADG453
图3. ADG453
该ADG453有两个开关与同类数字控制逻辑
到该ADG451的，而逻辑相反的另一
两个开关。
每个开关进行同样在两个方向上时，
并且每个具有延伸到电源的输入信号范围。
在断开条件下，信号电平的电源被阻止。
该ADG453展品先开后合式开关动作的
在多路复用应用中使用。固有的设计是低
切换时的电荷注入最小的瞬变
数字输入。
一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.
联系电话： 781.329.4700
www.analog.com
传真： 781.461.3113
2006年ADI公司保留所有权利。
ADG451/ADG452/ADG453
目录
特点................................................. ............................................. 1
应用................................................. ...................................... 1
概述................................................ ......................... 1
功能框图............................................... .............. 1
修订历史................................................ ............................... 2
产品亮点................................................ ........................... 3
规格................................................. .................................... 4
15 V双电源.............................................. ............................ 4
12 V单电源.............................................. .......................... 5
5 V双电源.............................................. .............................. 6
绝对最大额定值............................................... ............. 7
ESD注意事项................................................ ................................... 7
引脚配置和功能描述.............................. 8
典型性能特征.............................................. 9
术语................................................. ................................... 11
应用................................................. .................................... 12
测试电路................................................ ..................................... 13
外形尺寸................................................ ....................... 15
订购指南................................................ .......................... 16
修订历史
10/06—Rev.
B到C版
更改表4 .............................................. .............................. 9
更改订购指南.............................................. ............ 18
12月4日 - 修订版。 A到版本B
更新格式................................................ ..................通用
更改规格第.............................................. 3 ....
更改绝对最大额定值部分......................... 8
更改引脚配置和功能
说明部分................................................ ........................ 9
更新的外形尺寸............................................... ........ 16
更改订购指南.............................................. ............ 17
98分之2 -REV 。 0到版本A
九十七分之十-版本0 ：初始版
版本C | 16页2
ADG451/ADG452/ADG453
产品亮点
1.低R
ON
（ 5 Ω最大） 。
2.超低功耗。
3.扩展信号范围。
该ADG451 / ADG452 / ADG453是制造上的增强
LC
2
MOS工艺，给人一种增加了信号范围，充分
延伸到供电轨。
4.先开后合式开关。
这可以防止当开关通道短路
（仅ADG453 。 ），被配置为多路复用器
5.单电源供电。
对于其中的单极性模拟信号，所述
ADG451 / ADG452 / ADG453可以从一个单一的操作
轨供电。的部分被用一个完全指定
12 V电源，并保持功能与单电源供电
低至5.0 V.
6.双电源供电。
对于应用中的双极性模拟信号，所述
ADG451 / ADG452 / ADG453可以从双操作
范围从± 4.5 V至± 20 V电源
版本C |第16页3
ADG451/ADG452/ADG453
特定网络阳离子
15 V双电源供电
V
DD
= 15 V, V
SS
= 15 V, V
L
= 5V ， GND = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表1中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
动态特性
3
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG453 ）
电荷注入
关断隔离
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
SS
I
L
I
3
GND
2
B版本
1
25°C
T
民
给T
最大
V
SS
到V
DD
4
5
0.1
0.5
0.2
0.5
±0.02
±0.5
±0.02
±0.5
±0.04
±1
7
0.5
0.5
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
pC的最大值
dB典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
D
= -10 V至+10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= -10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= -5 V ， 0 V ，+ 5 V，I
S
= -10毫安
V
D
= ±10 V, V
S
= ± 10 V ;参见图17
V
D
= ±10 V, V
S
= ± 10 V ;参见图17
V
D
= V
S
= ± 10 V ;参见图18
±2.5
±2.5
±5
2.4
0.8
0.005
±0.5
70
180
60
140
15
5
20
30
65
90
37
37
140
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
;所有其他= 2.4 V或0.8 V，分别
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= ± 10 V ;参见图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= ± 10 V ;参见图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 10 V ;参见图20
V
S
= 0 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1.0 nF的;参见图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;参见图22
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图
23
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 16.5 V, V
SS
= -16.5 V ;数字输入= 0 V或5 V
220
180
5
5
5
5
5
1
2
温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。
T
最大
= 70°C.
3
通过设计保证，不受生产测试。
版本C | 16页4
ADG451/ADG452/ADG453
12 V单电源供电
V
DD
= 12 V, V
SS
= 0 V, V
L
= 5V ， GND = 0 V.所有规格牛逼
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表2中。
参数
模拟开关
模拟信号范围
导通电阻（R
ON
)
导通电阻匹配通道间（ ΔR
ON
)
导通电阻平坦度（R
平（ON）的
)
漏电流
2, 3
源关闭泄漏，我
S
（关闭）
流掉泄漏，我
D
（关闭）
渠道渗漏，我
D
, I
S
（上）
数字输入
输入高电压，V
INH
输入低电压，V
INL
输入电流I
INL
还是我
INH
动态特性
t
ON
t
关闭
突破前先延时，T
D
（仅ADG453 ）
4
B版本
1
25°C
T
民
给T
最大
0 V至V
DD
6
8
0.1
0.5
1.0
±0.02
±0.5
±0.02
±0.5
±0.04
±1
10
0.5
1.0
单位
V
= （典型值）
=最大
= （典型值）
=最大
= （典型值）
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
V分钟
V最大
μA （典型值）
μA（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
pC的典型值
dB典型值
pF的典型值
pF的典型值
pF的典型值
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
μA （典型值）
μA（最大值）
测试条件/评论
V
D
= 0 V至+10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 10 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 0 V ， 5 V，I
S
= -10毫安
V
D
= 0 V, 10 V, V
S
= 0 V ， 10 V ;参见图17
V
D
= 0 V, 10 V, V
S
= 0 V ， 10 V ;参见图17
V
D
= V
S
= 0 V ， 10 V ;参见图18
±2.5
±2.5
±5
2.4
0.8
0.005
±0.5
100
220
80
160
15
10
10
90
60
60
100
0.0001
0.5
0.0001
0.5
0.0001
0.5
V
IN
= V
INL
或V
INH
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 8 V ;参见图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S
= 8 V ;参见图19
R
L
= 300 Ω, C
L
= 35 pF的，V
S1
= V
S2
= 8 V;
见图20
V
S
= 6 V ，R
S
= 0 Ω, C
L
= 1.0 nF的;参见图21
R
L
= 50 Ω, C
L
= 5 PF， F = 1MHz的;见图
23
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
V
DD
= 13.2 V ;数字输入= 0 V或5 V
260
200
10
电荷注入
通道到通道的串扰
C
S
（关闭）
C
D
（关闭）
C
D
, C
S
（上）
电源要求
I
DD
I
L
I
4
GND
5
5
5
V
L
= 5.5 V
V
L
= 5.5 V
1
2
温度范围为B版本为-40 ° C至+ 85°C 。
T
最大
= 70°C.
3
测试了采用双电源供电。
4
通过设计保证，不受生产测试。
版本C |第16页5
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    电话：0755-82780082
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