AP9467AGMT-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
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简单的驱动要求
▼
SO- 8兼容散热器
▼
低导通电阻
▼
无卤& RoHS标准的产品
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
40V
11.5mΩ
38A
D
S
D
D
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
□
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
该PMPAK 5×6包是专门为DC- DC转换器的应用
和脚印是兼容SO- 8背面的散热片和
放低姿态。
S
S
S
G
PMPAK 5×6
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
3
等级
40
+20
38
15.8
12.6
150
29.7
5
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
A
W
W
℃
℃
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境
3
价值
4.2
25
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
1
200907241
AP9467AGMT-HF
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
o
分钟。
40
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
26
-
-
9
2
5
7
6.5
20
8.5
665
140
80
2.2
MAX 。单位
-
11.5
20
3
-
10
+100
14.5
-
-
-
-
-
-
1060
-
-
-
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=10A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=10A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=20Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 20A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
14
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温
2.Pulse测试
2
o
3.表面装在1 FR4电路板的铜垫，T <10sec ， 60℃ /在稳定状态下W的
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
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