典型性能曲线
APT11GP60K
APT11GP60SA
APT11GP60K_SA
600V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
(K)
TO-220
（SA）的
D
2
PAK
C
G
E
G
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
额定SSOA
C
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT11GP60K_SA
单位
600
±20
±30
41
20
45
45A @ 600V
187
-55到150
300
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
250
A
nA
6-2004
050-7419
版本B
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 11A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 11A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
伏
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT11GP60K_SA
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 11A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 11A
4
5
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
1210
110
6
7.5
40
8
13
45
7
9
29
50
46
85
90
7
9
65
85
46
185
215
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
4
5
R
G
= 5
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 11A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
J
热和机械特性
0.67
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7419
版本B
6-2004
典型性能曲线
2,000
1,000
500
C，电容（ F）
P
50
资本投资者入境计划
45
40
I
C
，集电极电流（ A）
APT11GP60K_SA
35
30
25
20
15
10
5
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
100
50
卓越中心
10
5
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.70
0.60
0.50
0.40
0.5
0.30
0.20
0.10
0
0.3
0.9
1
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
注意：
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
1000
F
最大
，工作频率（千赫）
500
遥控模型
连接点
TEMP （℃）
0.376
动力
（瓦特）
0.295
外壳温度（ ° C）
0.0545F
0.00350F
100
50
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ，瞬态热阻抗模型
5
10
15
20
25
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
0
T
J
T
C
R
θ
JC
050-7419
版本B
6-2004
典型性能曲线
APT11GP60K
APT11GP60SA
APT11GP60K_SA
600V
功率MOS 7 IGBT
功率MOS 7
IGBT是新一代高压功率IGBT的。
使用穿通科技这IGBT适用于多种频率高，
高电压开关应用，并已被优化用于高频率
开关模式电源。
(K)
TO-220
（SA）的
D
2
PAK
C
G
E
G
低传导损耗
低栅极电荷
超快尾电流关断
最大额定值
符号
V
CES
V
GE
V
创业板
I
C1
I
C2
I
CM
SSOA
P
D
T
J
,T
英镑
T
L
参数
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
栅极 - 射极电压瞬态
额定SSOA
C
E
C
G
E
所有评分：T已
C
= 25 ° C除非另有规定ED 。
APT11GP60K_SA
单位
600
±20
±30
41
20
45
45A @ 600V
187
-55到150
300
300
瓦
°C
安培
伏
连续集电极电流@ T
C
= 25°C
连续集电极电流@ T
C
= 100°C
集电极电流脉冲
1
@ T
C
= 150°C
开关安全工作区@ T
J
= 150°C
总功耗
工作和存储结温范围
马克斯。铅温度。用于焊接： 0.063"案件从10秒。
静态电气特性
符号
BV
CES
V
GE （日）
V
CE （ON）的
特性/测试条件
集电极 - 发射极击穿电压（V
GE
= 0V时，我
C
= 250A)
栅极阈值电压
(V
CE
= V
GE
, I
C
= 1毫安，T
j
= 25°C)
民
典型值
最大
单位
600
3
4.5
2.2
2.1
250
A
nA
6-2004
050-7419
版本B
6
2.7
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 11A ，T
j
= 25°C)
集电极 - 发射极上的电压（V
GE
= 15V ，我
C
= 11A ，T
j
= 125°C)
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 25°C)
2
2
伏
I
CES
I
GES
集电极截止电流（V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V ，T
j
= 125°C)
栅极 - 射极漏电流（V
GE
= ±20V)
2500
±100
注意事项：
这些设备是敏感的静电放电。正确的处理程序应遵循。
APT网站 - http://www.advancedpower.com
动态特性
符号
C
IES
C
OES
C
水库
V
GEP
Q
g
Q
ge
Q
gc
SSOA
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on1
E
on2
E
关闭
符号
R
θJC
R
θJC
W
T
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
门极 - 发射极电压高原
总栅极电荷
3
APT11GP60K_SA
测试条件
电容
V
GE
= 0V, V
CE
= 25V
F = 1 MHz的
栅极电荷
V
GE
= 15V
V
CE
= 300V
I
C
= 11A
T
J
= 150℃ ，R
G
= 5, V
GE
=
15V ， L = 100μH ，V
CE
= 600V
电感式开关（ 25 ° C）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 11A
4
5
民
典型值
最大
单位
pF
V
nC
A
1210
110
6
7.5
40
8
13
45
7
9
29
50
46
85
90
7
9
65
85
46
185
215
民
典型值
最大
单位
° C / W
gm
ns
ns
栅极 - 射极电荷
门极 - 集电极（ "Miller " ）充电
开关安全工作区
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
导通延迟时间
电流上升时间
打开-O FF延迟时间
电流下降时间
导通开关能量
关断开关能量
特征
结到外壳（ IGBT ）
结到管壳（二极管）
包装重量
4
5
R
G
= 5
T
J
= +25°C
导通开关能量（二极管）
6
J
电感式开关（ 125°C ）
V
CC
= 400V
V
GE
= 15V
I
C
= 11A
R
G
= 5
T
J
= +125°C
导通开关能量（二极管）
6
J
热和机械特性
0.67
不适用
5.90
1重复额定值：脉冲宽度有限的最高结温。
2对于Combi机设备，I
CES
包括IGBT和FRED泄漏
3见MIL- STD- 750方法3471 。
4 E
on1
是钳位感性点灯能量只IGBT的未经整流二极管的反向恢复电流的效果
增加了IGBT导通损耗。 （参见图24 ）
5 E
on2
是钳位感性开启能量，包括在IGBT导通一个整流二极管的反向恢复电流的开关
损失。甲组合式装置用于钳位二极管所示电子
on2
测试电路。 （见图21 ， 22 ）
6 E
关闭
是按照JEDEC标准JESD24-1测定的钳位感性关断能量。 （见图21 ， 23 ）
APT保留更改的权利，恕不另行通知，该说明和信息，包含在本文中。
050-7419
版本B
6-2004
典型性能曲线
2,000
1,000
500
C，电容（ F）
P
50
资本投资者入境计划
45
40
I
C
，集电极电流（ A）
APT11GP60K_SA
35
30
25
20
15
10
5
0
100 200 300 400 500 600 700
V
CE
，集电极到发射极电压
图18 ， Minimim开关安全工作区
0
100
50
卓越中心
10
5
CRES
0
10
20
30
40
50
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图17 ，电容VS集电极 - 发射极电压
0.70
0.60
0.50
0.40
0.5
0.30
0.20
0.10
0
0.3
0.9
1
Z
θ
JC
，热阻抗（ ℃/ W）
0.7
注意：
PDM
t1
t2
0.1
0.05
10
-5
10
-4
单脉冲
t
占空比D = 1 / T2
山顶TJ = PDM X Z
θJC
+ TC
10
-3
10
-2
10
-1
矩形脉冲持续时间（秒）
图19A ，最大有效瞬态热阻抗，结到外壳与脉冲持续时间
1.0
1000
F
最大
，工作频率（千赫）
500
遥控模型
连接点
TEMP （℃）
0.376
动力
（瓦特）
0.295
外壳温度（ ° C）
0.0545F
0.00350F
100
50
T
J
= 125
°
C
T
C
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 200V
R
G
= 5
F
最大
=
分（F
max1
, f
MAX 2
)
f
max1
=
f
MAX 2
=
P
DISS
=
t
D（上）
0.05
+
t
r
+
t
D（关闭）
+
t
f
P
DISS
P
COND
E
ON 2
+
E
关闭
图19B ，瞬态热阻抗模型
5
10
15
20
25
I
C
，集电极电流（ A）
图20 ，工作频率与集电极电流
10
0
T
J
T
C
R
θ
JC
050-7419
版本B
6-2004
QQ：2881677436 复制
