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AP9467AGH-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
无卤& RoHS标准的产品
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
40V
11.5mΩ
43A
S
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。
G
□
D
S
TO-252(H)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
总功耗
存储温度范围
工作结温范围
等级
40
+20
43
27
180
39
2
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大热阻，结案件
最大热阻，结到环境（印刷电路板安装）
3
价值
3.2
62.5
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
1
201001253
AP9467AGH-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
V
DS
=40V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=30A
V
DS
=32V
V
GS
=4.5V
V
DS
=20V
I
D
=30A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.67Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
40
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
38
-
-
9.5
2
6.5
7
64
18
6
660
140
85
2.2
MAX 。单位
-
11.5
20
3
-
10
+100
15
-
-
-
-
-
-
1060
-
-
3.3
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
=10A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
14
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP9467AGH-HF
120
80
T
C
=25 C
100
o
I
D
，漏电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
6.0V
5.0V
T
C
=150 C
o
60
10V
7 .0V
6.0V
5.0 V
V
G
=4.0V
80
60
V
G
= 4.0 V
40
40
20
20
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
0
0.0
2.0
4.0
6.0
8.0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
18
2.0
I
D
=20A
T
C
=25 C
16
o
I
D
=30A
V
G
=10V
归一化
DS （ ON）
1.6
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
14
1.2
12
0.8
10
8
2
4
6
8
10
0.4
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.6
30
25
20
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
15
T
j
=25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1.6
1.2
0.8
10
0.4
5
0
0
0.4
0.8
1.2
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP9467AGH-HF
10
1000
f=1.0MHz
V
GS
，门源电压（ V）
8
800
I
D
=30A
V
DS
=32V
C（ pF）的
6
600
C
国际空间站
4
400
2
200
C
OSS
C
RSS
1
5
9
13
17
21
25
29
0
0
4
8
12
16
20
0
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
1000
1
100
归热响应（R
thJC
)
占空比= 0.5
0.2
I
D
(A)
100us
10
0.1
0.1
0.05
1
T
C
=25
o
C
单脉冲
0
0.1
1
10
1ms
10ms
100ms
DC
P
DM
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
单脉冲
0.01
100
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 252
D
D1
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
A2
A3
E2
B1
D
D1
E3
E3
E1
F
F1
E1
E2
e
C
2.10
0.40
0.40
6.00
4.80
3.50
2.20
0.50
5.10
0.50
--
0.35
2.30
0.50
0.70
6.50
5.35
4.00
2.63
0.85
5.70
1.10
2.30
0.50
2.50
0.60
1.00
7.00
5.90
4.50
3.05
1.20
6.30
1.80
--
0.65
B1
F1
F
e
e
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
A2
R : 0.127~0.381
A3
(0.1mm)
C
最热资讯&包装： TO- 252
激光打标
产品型号
符合RoHS要求
低电压MOSFET只
9467AGH
标志
YWWSSS
封装代码
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
绘制号M1- H-3 -G- 02
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推荐型号
ALAN-101
A447-0500-10
A29L800ATG-90U
AM6T-2407DH35
AD370KD
AT84AS003TP-EB
AT49LV002NT-90TI
A3210EUA-TL
AME8501CEFVCA27
AME8500AEFVCD19
A290011UV-90F
AITD325
AD824AR-14-3V
AP3607FNTR-G1
ACT4423
ASM5206C-1
Am29LV400B-90RWAC
Am29F002B-70EEB
ACT-5230PC-200F22M
AM49PDL127AH70IT
供货商
型号
厂家
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP9467AGH-HF
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