AP72T02GH/J
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
简单的驱动要求
▼
低导通电阻
▼
快速开关特性
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
25V
9mΩ
62A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师
快速切换的最佳组合，
坚固耐用的设备的设计，
低导通电阻和成本效益。
在TO- 252封装，广泛首选商业，工业
表面贴装应用，并适用于低电压应用
诸如DC / DC转换器。通孔版（ AP72T02GJ ）
可用于小尺寸应用。
GD
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
3
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
等级
25
± 20
62
44
190
60
0.4
29
24
-55至175
-55至175
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
Rthj -A
.
最大热阻，结案件
最大热电阻，
结到环境
（ PCB安装）
4
价值
2.5
62.5
110
单位
℃/W
℃/W
℃/W
最大热阻，结到环境
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200807177
AP72T02GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
25
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
8
11
-
42
-
-
-
13
2.7
9
8
80
22
6
930
250
180
1.1
MAX 。单位
-
-
9
15
3
-
1
25
±100
21
-
-
-
-
-
-
1490
-
-
1.7
V
V/℃
m
m
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=30A
V
DS
=25V, V
GS
=0V
V
DS
=20V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=30A
V
DS
=20V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=30A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=0.5Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流（T
j
=175
o
C)
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 30A ，V
GS
=0V
I
S
= 15A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
26
15
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.Starting牛逼
j
=25
o
C，V
DD
= 25V ，L = 0.1mH ，R
G
=25Ω , I
AS
=24A.
4.表面安装1
2
FR4电路板的铜焊盘
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
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