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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第682页 > AP6982M
AP6982M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
D2
D2
D2
D1 D2
D1 D1
D1
G2
G2
N沟道增强模式
功率MOSFET
CH-1
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
18mΩ
8.8A
30V
25mΩ
7.5A
SO-8
SO-8
S2
G1 S2
S1 G1
S1
CH-2
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
±25
8.8
7
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
30
±25
7.5
6
30
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200526041
AP6982M
CH - 1电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
13
-
-
-
17
5
10
11
6
33
25
320
220
1.57
MAX 。单位
-
-
18
30
3
-
1
25
±100
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=8A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=8A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1400 2240
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 8A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27
22
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
AP6982M
CH - 2电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.005
-
-
-
9
-
-
-
11
3
7
9
5
24
15
810
185
135
1.26
MAX 。单位
-
-
25
36
3
-
1
25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1230
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=70
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=7A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
13
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
AP6982M
Channel-1
60
60
T
A
=25
o
C
50
10V
7.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
A
=25
o
C
50
10V
7.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
40
40
4.5V
30
4.5V
30
20
20
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
28
1.6
26
I
D
=6A
T
A
=25
o
C
1.4
I
D
=8A
V
G
=10V
24
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
22
20
1.0
18
0.8
16
14
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
6
5
1.5
4
3
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
I
S
(A)
1.0
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.5
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP6982M
Channel-1
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=8A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=16V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
C
国际空间站
1000
8
6
4
2
C
OSS
C
RSS
0
100
0
10
20
30
40
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
100us
1ms
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
AP6982M
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
单驱动要求
▼
表面贴装封装
D2
D2
D2
D1 D2
D1 D1
D1
G2
G2
N沟道增强模式
功率MOSFET
CH-1
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
30V
18mΩ
8.8A
30V
25mΩ
7.5A
SO-8
SO-8
S2
G1 S2
S1 G1
S1
CH-2
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
N沟道
30
±25
8.8
7
30
2.0
0.016
-55到150
-55到150
P沟道
30
±25
7.5
6
30
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
价值
马克斯。
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200526041
AP6982M
CH - 1电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
13
-
-
-
17
5
10
11
6
33
25
320
220
1.57
MAX 。单位
-
-
18
30
3
-
1
25
±100
27
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
静态漏源导通电阻
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=8A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=8A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1400 2240
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 8A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
27
22
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
AP6982M
CH - 2电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.005
-
-
-
9
-
-
-
11
3
7
9
5
24
15
810
185
135
1.26
MAX 。单位
-
-
25
36
3
-
1
25
±100
18
-
-
-
-
-
-
1230
-
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=25
漏极 - 源极漏电流（T
o
C)
j
=70
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±25V
I
D
=7A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
= 7A ，V
GS
=0V
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
21
13
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。
AP6982M
Channel-1
60
60
T
A
=25
o
C
50
10V
7.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
T
A
=25
o
C
50
10V
7.0V
5.0V
I
D
，漏电流（ A）
40
40
4.5V
30
4.5V
30
20
20
V
G
=3.0V
10
V
G
=3.0V
10
0
0
1
2
3
0
0
1
2
3
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
28
1.6
26
I
D
=6A
T
A
=25
o
C
1.4
I
D
=8A
V
G
=10V
24
归一化
DS （ ON）
2
4
6
8
10
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
1.2
22
20
1.0
18
0.8
16
14
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（
o
C)
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
6
5
1.5
4
3
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
I
S
(A)
1.0
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
0.5
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0.0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP6982M
Channel-1
f=1.0MHz
14
10000
I
D
=8A
12
V
GS
，门源电压（ V）
10
V
DS
=16V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
C
国际空间站
1000
8
6
4
2
C
OSS
C
RSS
0
100
0
10
20
30
40
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
100us
1ms
0.1
0.1
0.05
I
D
(A)
1
10ms
100ms
0.02
0.01
P
DM
0.01
单脉冲
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
=135
o
C / W
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
1s
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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