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AP4953D
先进的电源
电子股份有限公司
简单的驱动要求
低导通电阻
快速开关
G2
D1
D1
D2
D2
P沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS ( ON)
I
D
-30V
53mΩ
-5A
PDIP-8
S2
G1
S1
描述
D1
D2
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合,
加固装置的设计,低导通电阻和成本
有效性。
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
等级
- 30
±20
-5
-4
- 20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
热数据
符号
Rthj - AMB
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200922031
AP4953D
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
分钟。典型值。马克斯。单位
-30
-
-
-
-1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.1
-
-
53
90
-3
-
-1
-25
15
-
-
-
-
-
-
800
-
-
V
V/℃
V
S
uA
uA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ,我
D
=-1mA
R
DS ( ON)
V
GS
= -10V ,我
D
=-5A
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
-
-
-
6
-
-
-
9
2
5
10
9
20
25
500
217
153
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流(T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流(T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=
±
20V
I
D
=-5A
V
DS
=-15V
V
GS
=-4.5V
V
DS
=-15V
I
D
=-1A
R
G
=6Ω,V
GS
=-10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=-15V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
±100
nA
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
TRR
QRR
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= -1.7A ,V
GS
=0V
I
S
= -5A ,V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。典型值。马克斯。单位
-
-
-
-
21.5
18
-1.2
-
-
V
ns
nC
注意事项:
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ,占空比<2 % 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫; 90
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
AP4953D
20
20
15
-I
D
,漏电流( A)
10
V
GS
=-4.0V
-I
D
,漏电流( A)
-10V
-8.0V
-6.0V
-10V
-8.0V
-6.0V
15
10
V
GS
=-4.0V
5
5
T
A
=25 C
0
0
1
2
3
4
0
0
1
2
3
o
T
A
=150 C
4
5
o
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
70
1.8
65
I
D
=-5A
T
A
=25
1.6
I
D
=-5A
V
GS
=10V
归一化
DS ( ON)
60
1.4
R
DS ( ON)
(m
Ω
)
55
1.2
50
1.0
45
0.8
40
35
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
-V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
3
100.00
10.00
2
-I
S
(A)
T
j
=150
o
C
1.00
T
j
=25
o
C
-V
GS ( TH)
(V)
1
0
1.3
1.5
-50
0.10
0.01
0.1
0.3
0.5
0.7
0.9
1.1
0
50
100
150
-V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温( C)
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
AP4953D
12
10000
f=1.0MHz
-V
GS
,门源电压( V)
10
I
D
=-5.3A
V
DS
=-24V
8
1000
6
C( pF)的
西塞
科斯
CRSS
4
100
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
10
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
,总栅极电荷( NC)
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应(R
thJA
)
0.2
10
1ms
-I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
0.02
10ms
100ms
1s
0.01
单脉冲
P
DM
0.01
t
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
Rthja = 90℃ / W
o
0.1
T
A
=25 C
单脉冲
0.01
0.1
1
10
o
DC
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
-V
DS
,漏极至源极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图9.最高安全工作区
Fig10 。有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
Q
GS
Q
GD
-4.5V
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
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    联系人:谭小姐
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    -
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    联系人:杨小姐
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
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16500
原厂原包装
原装正品
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联系人:何
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2000
十五年专营 金牌供应商
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19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
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射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
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20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
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联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
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联系人:销售部
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1000¥/片,普通
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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全新原装正品/质量有保证
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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