【AP4565M先进的电源电子股份有限公司▼简单的驱动要求▼低导通电阻▼快速开关性能D2D1 D2D1】,IC型号AP4565M,AP4565M PDF资料,AP4565M经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第723页 > AP4565M

AP4565M

先进的电源

电子股份有限公司

▼

简单的驱动要求

▼

低导通电阻

▼

快速开关性能

D2

D1 D2

D1 D1

D1

D2

D2

N型和P沟道增强

MODE POWER MOSFET

N-CH BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

G2

G2

S2

G1 S2

S1 G1

S1

40V

25mΩ

7.6A

-40V

33mΩ

-6.5A

P- CH BV

DSS

R

DS （ ON）

I

D

SO-8

SO-8

描述

来自APEC高级功率MOSFET提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和成本

有效性。

在SO -8封装的普遍首选的所有commercial-

工业表面贴装应用，并适用于低电压

应用，如DC / DC转换器。

G1

D1

D2

G2

S1

S2

绝对最大额定值

符号

V

DS

V

GS

I

D

@T

A

=25℃

I

D

@T

A

=70℃

I

DM

P

D

@T

A

=25℃

T

英镑

T

J

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

3

连续漏电流

3

漏电流脉冲

1

总功耗

线性降额因子

存储温度范围

工作结温范围

40

±20

7.6

6

30

2.0

0.016

-55到150

-55到150

等级

N沟道

P沟道

-40

±20

-6.5

-5.2

-30

V

V

A

A

A

W

W/℃

℃

℃

单位

热数据

符号

Rthj -A

参数

热阻结到环境

3

马克斯。

价值

62.5

单位

℃/W

数据和规格如有变更，恕不另行通知

200422041

AP4565M

N-CH电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

静态漏源导通电阻

2

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=250uA

分钟。

40

-

-

-

1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

TYP 。 MAX 。单位

-

0.03

-

-

-

12

-

-

-

17

4

10

11

8

30

11

250

170

-

-

25

32

3

-

1

25

±100

27

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

击穿电压温度系数

参考25 ℃ ，我

D

=1mA

R

DS （ ON）

V

GS

= 10V ，我

D

=7A

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5A

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

j

=25

o

C)

漏极 - 源极漏电流（T

j

=70

o

C)

V

DS

=V

GS

, I

D

=250uA

V

DS

= 10V ，我

D

=7A

V

DS

=40V, V

GS

=0V

V

DS

=32V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=7A

V

DS

=32V

V

GS

=4.5V

V

DS

=20V

I

D

=1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=10V

R

D

=20Ω

V

GS

=0V

V

DS

=25V

f=1.0MHz

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1400 2240

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

反向恢复时间

2

测试条件

I

S

= 1.7A ，V

GS

=0V

I

S

= 7A ，V

GS

=0V

dI/dt=100A/s

分钟。

-

-

-

TYP 。 MAX 。单位

-

26

21

1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复电荷

AP4565M

P- CH电气特性@ T

j

=25

o

℃（除非另有规定）

符号

BV

DSS

ΔBV

DSS

/ΔT

j

参数

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

测试条件

V

GS

= 0V时，我

D

=-250uA

参考25 ℃ ，我

D

=-1mA

V

GS

= -10V ，我

D

=-6A

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-4A

V

DS

=V

GS

, I

D

=-250uA

V

DS

= -10V ，我

D

=-6A

V

DS

=-40V, V

GS

=0V

V

DS

=-32V, V

GS

=0V

V

GS

=±20V

I

D

=-6A

V

DS

=-32V

V

GS

=-4.5V

V

DS

=-20V

I

D

=-1A

R

G

=3.3Ω,V

GS

=-10V

R

D

=20Ω

V

GS

=0V

V

DS

=-25V

f=1.0MHz

2

分钟。

-40

-

-

-

-1

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

典型值。

-

-0.03

-

-

-

10

-

-

-

20

4

10

11

7

67

43

250

190

MAX 。单位

-

-

33

42

-3

-

-1

-25

±100

32

-

-

-

-

-

-

-

-

V

V/℃

mΩ

mΩ

V

S

uA

uA

nA

nC

nC

nC

ns

ns

ns

ns

pF

pF

pF

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

g

fs

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

静态漏源导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=25

漏极 - 源极漏电流（T

o

C)

j

=70

栅源漏

总栅极电荷

2

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

2

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

1440 2300

源极 - 漏极二极管

符号

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

正向电压上

2

测试条件

I

S

= -1.7A ，V

GS

=0V

I

S

= -6A ，V

GS

=0V

dI/dt=-100A/s

分钟。

-

-

-

典型值。

-

27

23

MAX 。单位

-1.2

-

-

V

ns

nC

反向恢复时间

2

反向恢复电荷

注意事项：

1.Pulse宽度有限的最大。结温。

2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％。

3.表面安装1

2

FR4电路板的铜垫;安装在分当135 ℃ / W 。铜垫。

AP4565M

N沟道

140

120

120

T

A

= 25

o

C

10V

100

T

A

= 150

o

C

10V

I

D

，漏电流（ A）

100

I

D

，漏电流（ A）

7.0V

80

7.0V

80

60

60

40

5.0V

4.5V

40

5.0V

4.5V

20

20

V

G

=3.0V

0

0

1

2

3

4

5

6

0

V

G

=3.0V

0

1

2

3

4

5

6

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1.典型的输出特性

图2.典型的输出特性

27

1.6

I

D

=5A

T

A

=25 C

归一化

DS （ ON）

23

o

1.4

I

D

=7A

V

G

=10V

R

DS （ ON）

(m

Ω

)

1.2

1.0

19

0.8

15

0.6

3

5

7

9

11

-50

0

50

100

150

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

T

j

，结温（

o

C)

图3.导通电阻V.S.栅极电压

图4.归一导通电阻

V.S.结温

1.5

8

1.3

归V

GS （ TH）

(V)

6

1.1

I

S

(A)

4

T

j

=150

o

C

T

j

=25

o

C

0.9

2

0.7

0

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0.5

-50

0

50

100

150

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

T

j

，结温（ C）

o

图5.正向特性

反向二极管

图6.栅极阈值电压V.S.

结温

AP4565M

N沟道

14

10000

f=1.0MHz

12

V

GS

，门源电压（ V）

I

D

=7A

V

DS

=32V

10

8

C（ pF）的

C

国际空间站

1000

6

4

C

OSS

2

C

RSS

100

0

10

20

30

40

1

5

9

13

17

21

25

29

0

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7.栅极电荷特性

图8.典型的电容特性

100

1

占空比系数= 0.5

100us

10

归热响应（R

thJA

)

0.2

1ms

I

D

(A)

1

0.1

0.1

0.05

10ms

100ms

0.02

0.01

P

DM

0.01

t

单脉冲

0.1

T

A

=25

o

C

单脉冲

1s

DC

T

占空比系数= T / T

PEAK牛逼

j

= P

DM

个R

thJA

+ T

a

R

thJA

=135

o

C / W

0.01

0.1

1

10

100

0.001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

T，脉冲宽度（S ）

图9.最高安全工作区

图10.有效的瞬态热阻抗

V

DS

90%

V

G

Q

G

4.5V

Q

GS

Q

GD

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

收费

Q

图11.开关时间波形

图12.栅极电荷波形

查看更多AP4565MPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

AP4565M

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

AP4565M

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市百域芯科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004264855 复制

电话：075582788161

联系人：王小姐

地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507

AP4565M

APEC/富鼎

24+

30000

优质供应商，代理功率器件

深圳市百域芯科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004264855 复制

电话：075582788161

联系人：王小姐

地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507

AP4565M

APEC/富鼎

24+

30000

优质供应商，代理功率器件

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

AP4565M

VBSEMI

2443+

23000

SOIC-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881501652 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

AP4565M

APEC/富鼎

24+

8640

SOP-8

全新原装现货，原厂代理。

深圳市金芯阳科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1316406779 复制

电话：075584505750

联系人：刘生

地址：龙岗区横岗街道华侨新村社区荣德时代广场A2301

AP4565M

APEC/富鼎

22+

18260

SOP-8

原装代理现货，价格最优

北京首天伟业科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1584878981 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791

联系人：刘经理

地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008

AP4565M

APEC

21+

9200

SOP8

全新原装正品/质量有保证

深圳诚思涵科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：280773285 复制

点击这里给我发消息

QQ：2748708193 复制

电话：0755-83015506-23947236

联系人：朱先生

地址：广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室

AP4565M

APEC

24+

20000

SOP-8

原装正品

北京上用科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

AP4565M

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8993

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

深圳市易信优科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1281623813 复制

点击这里给我发消息

QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587

联系人：陈佳隆

地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室

AP4565M

APEC/富鼎

24+

21000

SOP-8

真实库存信息/只做原装正品/支持实单

北京显周科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

AP4565M

√ 欧美㊣品

▲10/11+

8610

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多AP4565M供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！