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AOT12N65/AOTF12N65
650V ，12A N沟道MOSFET
概述
该AOT12N65 & AOTF12N65已制作
采用先进的高电压MOSFET的过程，是
旨在提供高水平的性能和
鲁棒性流行AC- DC应用。
通过提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT12N65L & AOTF12N65L
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
750V@150℃
12A
< 0.72Ω
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO-220
顶视图
TO-220F
D
G
D
S
AOT12N65
G
D
S
AOTF12N65
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
AOT12N65
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF12N65
650
±30
12*
7.7*
48
5
375
750
5
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
AOT12N65
65
0.5
0.45
278
2.2
12
7.7
重复性雪崩能量
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
50
0.4
-55到150
300
AOTF12N65
65
--
2.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
Rev4 ： 2011年7月
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第1页6
AOT12N65/AOTF12N65
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
1430
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
120
9
1.7
32
V
GS
=10V, V
DS
= 520V ，我
D
=12A
7.5
13.5
V
GS
=10V, V
DS
= 325V ，我
D
=12A,
R
G
=25
I
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
300
6
1792
152
11.5
3.5
39.8
9.2
16.8
36
77
120
63
375
7.5
450
9
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=650V, V
GS
=0V
V
DS
= 520V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
= 40V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3
3.9
0.57
17
0.71
1
12
48
2150
185
18
5.3
48
11
20
650
750
0.72
1
10
±100
4.5
0.72
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
C,
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G. L = 60mH ，我
AS
= 5A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°
C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
Rev4 ： 2011年7月
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第2 6
AOT12N65/AOTF12N65
典型的电气和热特性
24
10V
20
16
I
D
(A)
6V
12
8
4
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
1.2
3
归一化的导通电阻
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
-50
0
50
100
150
200
温度（ δ
C)
图4 ：导通电阻与结温
1.0E+02
1.0E+01
BV
DSS
（归一化）
1.1
I
S
(A)
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
0.9
1.0E-03
1.0E-04
0.8
-100
-50
0
50
o
100
6.5V
10
125°
C
I
D
(A)
V
DS
=40V
-55°
C
1
V
GS
=5.5V
25°
C
0.1
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.0
R
DS （ ON）
(
)
V
GS
=10V
0.8
V
GS
=10V
I
D
=6A
0.6
0.4
0
5
10
15
20
25
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和门
电压
1.2
125°
C
25°
C
1
2.2
1.0E-05
100
150
200
0.0
T
J
( C)
图5 ：分解与结温
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
0.2
Rev4 ： 2011年7月
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第3页6
AOT12N65/AOTF12N65
典型的电气和热特性
15
V
DS
=520V
I
D
=12A
电容（pF）
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
12
V
GS
（伏）
9
6
10
3
C
RSS
1
0
30
40
50
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
60
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
0
100
100
10s
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
I
D
（安培）
10
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
0.1s
DC
1s
10s
1ms
1
10ms
DC
1
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
对于AOT12N65 （注F）工作区
100
1000
0.1
T
J（下最大）
=150°
C
T
C
=25°
C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
图10 ：最大正向偏置安全工作
对于AOTF12N65区（注F）
14
12
额定电流我
D
(A)
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°
C)
图11 ：电流降评级（注二）
Rev4 ： 2011年7月
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第4 6
AOT12N65/AOTF12N65
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.45°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图12： AOT12N65归最大瞬态热阻抗（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图13 ：为AOTF12N65归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
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