AP4416GH/J
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低栅极电荷
▼
简单的驱动要求
▼
快速开关特性
▼
符合RoHS
G
S
D
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
35V
45mΩ
20A
描述
该TO- 252包装普遍首选的所有commercial-
工业表面贴装应用，并适用于低电压
应用，如DC / DC转换器。通孔版
（ AP4416GJ ）可用于小尺寸应用。
克
S
TO-252(H)
G
D
S
TO-251(J)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
35
±20
20
12
50
26
0.21
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
马克斯。
马克斯。
价值
4.8
110
单位
℃/W
℃/W
数据&规格如有变更，恕不另行通知
200418051-1/4
AP4416GH/J
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
35
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.03
-
-
-
10
-
-
-
6
2
3.5
6
36
11
2
460
80
60
1.1
MAX 。单位
-
-
45
65
3
-
1
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
740
-
-
1.6
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
Ω
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=150
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=11A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=12A
V
DS
=30V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=12A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=1.25Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 12A ，V
GS
=0V
I
S
=12A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
17
10
MAX 。单位
1.3
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的安全工作区。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
2/4
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