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AP4232GM-HF
无卤素产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
低导通电阻
▼
简单的驱动要求
▼
双N MOSFET封装
▼
符合RoHS
SO-8
S1
G1
D1
D2
D1
D2
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
G2
S2
30V
22mΩ
7.8A
描述
来自APEC高级功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，超低导通电阻和
成本效益。
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
连续漏电流
3
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
等级
30
+20
7.8
6.2
30
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
最大热阻，结到环境
3
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
1
200901203
AP4232GM-HF
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
2
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
GS
=+20V, V
DS
=0V
I
D
=7A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
30
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
12
-
-
13
3
9
10
7
22
8
720
230
200
1.2
MAX 。单位
-
22
32
3
-
10
+100
21
-
-
-
-
-
-
1150
-
-
1.8
V
m
m
V
S
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
反向恢复电荷
测试条件
I
S
= 1.7A ，V
GS
=0V
I
S
=7A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
16
8
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
t
rr
Q
rr
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse测试
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫，T <10sec ; 135
℃/W
安装在最小的时候。铜垫。
本产品是敏感的静电放电，请小心处理。
将本产品作为一个重要组成部分在生命支持或其它相似的系统是不授权。
APEC并不承担因任何产品或电路的应用或使用描述任何责任
此处;它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
APEC保留随时更改，恕不另行通知这里的任何产品，以提高权
可靠性，功能或设计。
2
AP4232GM-HF
40
40
T
A
= 25 C
I
D
，漏电流（ A）
30
o
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0 V
5.0 V
4.5 V
T
A
= 150
o
C
10V
7.0 V
5.0 V
4.5 V
30
20
20
10
V
G
= 3.0 V
10
V
G
= 3.0 V
0
0
1
2
3
4
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
30
图2.典型的输出特性
1.6
I
D
=5A
T
A
=25
℃
归一化
DS （ ON）
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
I
D
=7A
V
G
=10V
1.3
25
20
1.0
15
2
4
6
8
10
0.7
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
2.0
8
归V
GS （ TH）
(V)
1.2
6
1.5
I
S
(A)
4
1.0
T
j
=150 C
2
o
T
j
=25 C
o
0.5
0
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3
AP4232GM-HF
f=1.0MHz
16
1000
I
D
=7A
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
12
8
C（ pF）的
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C
OSS
4
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
100
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
占空比系数= 0.5
归热响应（R
thJA
)
0.2
10
100us
1ms
I
D
(A)
1
0.1
0.1
0.05
10ms
100ms
0.02
P
DM
t
T
单脉冲
0.01
0.01
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 135℃/W
0.1
1s
T
A
=25 C
单脉冲
o
DC
1
10
100
0.01
0.1
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
30
V
DS
=5V
I
D
，漏电流（ A）
T
j
=25
o
C
20
V
G
T
j
=150
o
C
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10
收费
0
Q
0
2
4
6
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图11.传输特性
图12.栅极电荷波形
4
先进的电力电子股份有限公司。
封装外形： SO- 8
D
MILLIMETERS
符号
民
喃
最大
8
7
6
5
E1
E
A
A1
B
c
D
E
E1
e
1.35
0.10
0.33
0.19
4.80
5.80
3.80
1.55
0.18
0.41
0.22
4.90
6.15
3.90
1.27 （典型值）
0.254 TYP
1.75
0.25
0.51
0.25
5.00
6.50
4.00
1
2
3
4
e
B
G
L
α
0.38
0.00
－
4.00
0.90
8.00
A
A1
G
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
最热资讯&包装： SO- 8
产品型号
封装代码
符合RoHS要求
4232GM
YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
如果最后"S"是数字字母： ROHS产品
如果最后"S"是英文字母： HF & RoHS产品
5
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AP4300BM-ATR
AD8031
ASM5I9774AG-52-ET
AT90USB646-AU
AME8501AEFVBD15
ADCMP566BCP
AXT490124
A54SX08-1VQ100I
AT49BV8192A-12CI
AP1086K18L
Am29LV020BT-120JE
AA10A
AME8500BEEVAD46
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