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AP30G100W
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
特点
N沟道绝缘栅
双极晶体管
V
CES
高速开关
低饱和电压
V
CE ( SAT )
=3.0V@I
C
=30A
工业标准TO- 3P封装
符合RoHS
1000V
30A
C
I
C
G
C
E
TO-3P
G
E
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
GE
I
C
@T
C
=25℃
I
C
@T
C
=100℃
I
CM
P
D
@T
C
=25℃
T
英镑
T
J
T
L
栅极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
1
参数
集电极 - 发射极电压
等级
1000
±30
60
30
120
208
-55到150
-55到150
300
单位
V
V
A
A
A
W
最大功率耗散
存储温度范围
工作结温范围
最大的铅温度。焊接用
, 8"分之1案件从5秒。
注意事项:
1.Repetitive评级:脉冲宽度有限的最大值。结温。
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
热阻结案件
热阻结到环境
价值
0.6
40
单位
℃/W
℃/W
电气特性@ T
j
=25
o
℃(除非另有规定)
符号
BV
CES
I
GES
I
CES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
E
on
E
关闭
C
IES
C
OES
C
水库
参数
收集到发射极击穿电压
门极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极阈值电压
总栅极电荷
栅极 - 射极电荷
栅极电荷收集
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
输入电容
输出电容
反向传输电容
V
GE
=0V
V
CE
=30V
f=1.0MHz
测试条件
V
GE
= 0V时,我
C
=250uA
V
GE
=±30V, V
CE
=0V
V
CE
=1000V, V
GE
=0V
V
GE
= 15V ,我
C
=30A
V
GE
= 15V ,我
C
=60A
V
CE
=V
GE
, I
C
=1mA
I
C
=30A
V
CC
=500V
V
GE
=15V
V
CC
=500V,
I
c
=30A,
V
GE
=15V,
R
G
=5,
感性负载
分钟。
1000
-
-
-
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
3
3.8
4.4
55
12
27
30
40
105
290
1.2
1.7
1320
105
9
马克斯。
-
±500
1
3.6
-
7
88
-
-
-
-
-
440
-
-
2110
-
-
单位
V
nA
mA
V
V
V
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
pF
pF
pF
数据和规格如有变更,恕不另行通知
200828071-1/3
AP30G100W
160
100
T
C
=25 C
I
C
,集电极电流( A)
120
o
20V
18V
15V
I
C
,集电极电流( A)
T
C
=150 C
80
o
20V
18V
15V
12V
12V
80
60
V
GE
=10V
40
V
GE
=10V
40
20
0
0
3
6
9
12
0
0
3
6
9
12
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
160
6
140
V
GE
=15V
V
CE (SAT) ,
饱和电压(V )
5
V
GE
= 15 V
I
C ,
集电极电流( A)
120
T
C
=25
100
I
C
= 60 A
4
80
T
C
=150
I
C
=30A
3
60
40
2
20
0
0
2
4
6
8
10
12
1
0
40
80
120
160
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
结温( C)
o
图3.典型的饱和电压
特征
1.4
10000
图4.典型的集电极 - 发射极电压
V.S.结温
f=1.0MHz
归V
GE (日)
(V)
1.1
电容(pF)
C
IES
100
C
OES
0.8
C
水库
0.5
-50
0
50
1
结温( C)
o
100
150
1
10
100
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
图5.栅极阈值电压
图6.典型的电容特性研究
V.S.结温
2/3
AP30G100W
1000
1
V
GE
=15V
I
C
,峰值集电极电流(A )
T
C
=125
o
C
100
归热响应(R
thJC
)
占空比系数= 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P
DM
0.02
10
t
T
0.01
安全工作区
1
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.01
1
10
100
1000
10000
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
V
CE,
集电极 - 发射极电压( V)
T,脉冲宽度(S )
图7.关断SOA
图8.有效的瞬态热
阻抗
20
20
T
C
=25 C
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
V
CE
,集电极 - 发射极电压( V)
I
C
= 60 A
30 A
15 A
o
T
C
=150 C
15
o
15
I
C
= 60 A
30 A
15 A
10
10
5
5
0
0
4
8
12
16
20
0
0
4
8
12
16
20
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
V
GE
,栅极 - 发射极电压( V)
图9.饱和电压与V
GE
图10.饱和电压与V
GE
250
20
200
V
GE
,门发射极电压( V)
16
功耗( W)
I
C
= 3 0A
V
CC
=200V
V
CC
=300V
V
CC
=500V
150
12
100
8
50
4
0
0
50
100
150
200
0
0
20
40
60
80
结温(
)
Q
G
,栅极电荷( NC)
Fig11 。功耗与结
温度
图12.栅极电荷特性研究
3/3
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形: TO- 3P
E
A
符号
MILLIMETERS
最大
φ
A
4.50
0.90
1.80
1.30
0.40
1.40
19.70
14.70
15.30
4.45
17.50
3.00
4.80
1.00
2.50
--
0.60
--
20.00
15.00
--
5.45
--
3.20
5.10
1.30
3.20
2.30
0.90
2.20
20.30
15.30
16.10
6.45
20.50
3.40
c1
D
D1
b
b1
b2
c
c1
D
D1
E
b1
b2
e
L
φ
L
c
b
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
最热资讯&包装: TO- 3P
产品型号
30G100W
YWWSSS
标志
日期代码( YWWSSS )
Y
←最后
数字的年份
WW :周
SSS
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AP30G100W
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    -
    -
    -
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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20918
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