这AOS产品可靠性报告总结了AON4407资格的结果。
加速环境测试是在一个特定的样本大小进行的，然后依次
通过在端点电测试。复审终裁电测试结果证实， AON4407
通过AOS的质量和可靠性的要求。发布的产品将被归类
这个过程的家人和每季度的基础不断提高监测
产品的质量。
目录：
I.
II.
III.
IV 。
产品说明
包装及模具信息
环境应力测试总结及结果
可靠性评估
一，产品简介：
该AON4407采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷
经营与栅极电压低至1.8V 。此装置适合于用作负载
开关。
-RoHS标准
卤素免费
详细信息是指数据表。
II 。模具/包装信息：
AON4407
过程
标准亚微米
低压P沟道
套餐类型
DFN 3x2A
引线框架
铜
芯片粘接
银环氧树脂
焊线
金线
模具材料
环氧树脂与二氧化硅填料
MSL （湿度敏感等级）
根据J- STD- 020 1级
注*
基于由汇编器和模塑料供应商提供的信息
III 。可靠性应力的AON4407结果
测试项目
测试条件
时间
点
-
LOT
归因
11批次
总
样品
SIZE
1815pcs
数
of
失败
0
标准
MSL
前提
HTGB
168小时85°
c
/ 85％ RH下3周期
reflow@260°
c
温度= 150 ℃，
°
的栅极电压= 100％
Vgsmax
温度= 150 ℃，
°
的Vds = 80 ％的
Vdsmax
130 +/- 2°c,
°
相对湿度85％ ， 33.3磅，
的栅极电压= 100％
VGS最大
121c ， 29.7psi ，
°
RH=100%
-65℃ 150℃ ，
°
°
空空
JESD22-
A113
168hrs
500小时
1000小时
168hrs
500小时
1000小时
100小时
77pcs
1手
（注A * ）
77pcs /很多
77pcs
1手
（注A * ）
77pcs /很多
605pcs
0
JESD22-
A108
HTRB
0
JESD22-
A108
HAST
11批次
0
JESD22-
A110
压力罐
96小时
（注A * ）
11批次
55pcs /很多
605pcs
0
JESD22-
A102
温度
周期
250 / 500
周期
（注A * ）
11批次
55pcs /很多
605pcs
0
JESD22-
A104
（注A * ）
55pcs /很多
注一：
可靠性数据给出总的可用通用数据到出版日期。
IV 。可靠性评估
FIT率（十亿） ： 46
MTTF = 2478年
FIT率对个别产品可靠性报告会是由实际的限制
老化所选择的产品（ AON4407 ）的样本量。故障率的确定是基于
在JEDEC标准JESD 85 FIT意味着每十亿小时一次失败。
故障率
=驰X 10
/
[2
（N） （H）（房颤） ] = 1.83 ×10
9
7
MTTF =
10 / FIT = 2.17 ×10小时= 2478年
2
9
9
/
[2x
(2x77x500) x258] = 46
Chi
=驰平方分布，通过故障和置信区间的数目来确定
N
从HTRB和HTGB试验单位=总数
H
=的HTRB / HTGB测试时间
Af
=从测试加速因子使用条件（ EA = 0.7EV和土色= 55 ° C）
加速因子AF] =
EXP
[ EA /
k
（ 1 / TJ ü - 1 / TJ S） ]
加速系数比列表：
55摄氏度
70℃
85摄氏度
100℃
115摄氏度
130℃
150℃
Af
258
87
32
13
5.64
2.59
1
TJ s
=在程度上强调结点温度（开尔文） ，K = C + 273.16
TJ ü
=在度使用结点温度（开尔文） ，K = C + 273.16
-5
K
=
玻尔兹曼常数， 8.617164 ×10伏特/ K的
AON4407
12V P沟道MOSFET
概述
该AON4407采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至1.8V 。此装置适用于使用作为负载开关。
特点
V
DS
(V) = -12V
I
D
= -9 A
R
DS （ ON）
< 20米
R
DS （ ON）
< 25米
R
DS （ ON）
< 31米
(V
GS
= -4.5V)
(V
GS
= -4.5V)
(V
GS
= -2.5V)
(V
GS
= -1.8V)
为3x2 DFN
顶视图
销1
底部视图
D
D
D
G
D
D
D
S
G
D
Rg
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
C
功耗
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
最大
-12
±8
-9
-7
-60
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
符号
A
AD
T = 10秒
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
42
74
25
最大
50
90
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/5
www.freescale.net.cn
AON4407
12V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-12V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-9A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-8.5A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-7.5A
V
GS
= -1.5V ，我
D
=-7A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-9A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.35
-60
16.5
22
20
24
29
45
-0.53
-1
-2.5
1740
V
GS
=0V, V
DS
= -6V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
334
200
1.3
19
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -6V ，我
D
=-9A
4.5
5.3
240
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -6V ，R
L
=0.67,
R
根
=3
I
F
= -9A ，的di / dt = 100A / μs的
580
7
4.2
22
17
27
1.7
23
2100
20
26
25
31
38
-0.5
民
-12
-1
-5
±10
-0.85
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
k
nC
nC
nC
ns
ns
s
s
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -9A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2009年6月
2/5
www.freescale.net.cn
AON4407
12V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
60
50
40
-I
D
(A)
-I
D
(A)
-2V
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性（注五）
45
归一化的导通电阻
40
35
R
DS （ ON）
(m
)
30
25
20
15
V
GS
=-4.5V
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-1.5V
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度（注五）
V
GS
=-1.5V
I
D
=-7A
V
GS
=-1.8V
I
D
=-7.5A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-9A
V
GS
=-1.5V
-4.5V
-3V
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性（注五）
125°C
25°C
-2.5V
60
50
V
DS
=-5V
I
12 14 16 18 20
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压（注五）
50
45
40
R
DS （ ON）
(m
)
-I
S
(A)
35
30
I
D
=-9A
1E+01
1E+00
1E-01
125°C
1E-02
125°C
25°C
25
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1E-03
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
20
1E-04
的15
此类应用及其产品的使用。 AOS保留改进产品设计的权利，
25°C
性能和可靠性，恕不另行通知。
10
1E-05
0
2
4
6
8
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源
电压（注五）
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
3/5
www.freescale.net.cn
AON4407
12V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
4.5
4
3.5
-V
GS
（伏）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
4
8
12
16
20
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
400
0
0
C
RSS
2
4
6
8
10
12
V
DS
=-6V
I
D
=-9A
电容（pF）
2800
2400
2000
1600
1200
800
C
OSS
C
国际空间站
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
10s
10
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1ms
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10ms
1
100ms
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
-V
DS
（伏）
10s
功率（W）的
100
10
0.01
0.01
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/5
www.freescale.net.cn
QQ：2881677436 复制
