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AP2604GY
无铅电镀产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
快速开关特性
▼
低栅极电荷
▼
小尺寸&薄型封装
▼
符合RoHS
SOT-26
D
D
S
N沟道增强模式
功率MOSFET
BV
DSS
R
DS （ ON）
G
D
D
30V
45mΩ
5.5A
I
D
描述
先进的功率MOSFET采用先进的加工技术
以实现尽可能低的导通电阻，非常有效和
成本效益的设备。
该S0T -26包装普遍适用于所有商业工业
应用程序。
D
G
S
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
A
=25℃
I
D
@T
A
=70℃
I
DM
P
D
@T
A
=25℃
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
3
, V
GS
@ 4.5V
连续漏电流， V
GS
@ 4.5V
漏电流脉冲
1
总功耗
线性降额因子
存储温度范围
工作结温范围
3
等级
30
±20
5.5
4.4
20
2
0.016
-55到150
-55到150
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
℃
℃
热数据
符号
Rthj -A
参数
热阻结到环境
3
马克斯。
价值
62.5
单位
℃/W
数据和规格如有变更，恕不另行通知
200517051-1/4
AP2604GY
电气特性@ T
j
=25
o
℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
ΔBV
DSS
/ΔT
j
参数
漏源击穿电压
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=250uA
分钟。
30
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
0.02
-
-
-
7
-
-
-
6
2
3
6
8
15
4
440
105
35
MAX 。单位
-
-
45
65
3
-
1
25
±100
10
-
-
-
-
-
-
705
-
-
V
V/℃
mΩ
mΩ
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
击穿电压温度系数
参考25 ℃ ，我
D
=1mA
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
2
V
GS
= 10V ，我
D
=4.8A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2.4A
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=70
o
C)
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=4.8A
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
=24V ,V
GS
=0V
V
GS
= ±20V
I
D
=4.8A
V
DS
=24V
V
GS
=4.5V
V
DS
=15V
I
D
=1A
R
G
=3.3Ω,V
GS
=10V
R
D
=15Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
栅源漏
总栅极电荷
2
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
2
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
正向电压上
2
反向恢复时间
2
测试条件
I
S
= 4.8A ，V
GS
=0V
I
S
= 4.8A ，V
GS
=0V,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
15
7
MAX 。单位
1.2
-
-
V
ns
nC
反向恢复电荷
注意事项：
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
2.Pulse宽度<300us ，占空比<2 ％ 。
3.表面安装1
2
FR4电路板的铜垫;安装在分当156 ℃ / W 。铜垫。
2/4
AP2604GY
40
35
35
T
A
=25
o
C
10V
7.0V
I
D
，漏电流（ A）
30
T
A
=150
o
C
10V
7.0V
5.0V
4.5V
30
25
I
D
，漏电流（ A）
25
5.0V
4.5V
20
20
15
15
10
10
5
V
G
=3.0V
5
V
G
=3.0V
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
75
1.8
I
D
= 2.4 A
65
1.6
T
A
=25
o
C
归一化
DS （ ON）
1.4
I
D
=4.8A
V
G
=10V
R
DS （ ON）
(m
Ω
)
55
1.2
45
1.0
35
0.8
25
3
5
7
9
11
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
j
，结温（ C）
o
图3.导通电阻V.S.栅极电压
图4.归一导通电阻
V.S.结温
1.8
5
1.6
4
1.4
V
GS （ TH）
(V)
1.4
3
I
S
(A)
T
j
=150
o
C
2
T
j
=25
o
C
1.2
1
1
0.8
0
0.6
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（ C）
o
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP2604GY
f=1.0MHz
16
1000
I
D
=4.8A
V
GS
，门源电压（ V）
C
国际空间站
12
V
DS
=15V
V
DS
=20V
V
DS
=24V
C（ pF）的
100
8
C
OSS
4
C
RSS
0
10
0
2
4
6
8
10
12
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJA
)
占空比系数= 0.5
0.2
10
0.1
0.1
1ms
I
D
(A)
1
0.05
P
DM
0.01
10ms
100ms
0.1
t
T
0.01
单脉冲
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJA
+ T
a
R
thJA
= 156℃/W
T
A
=25
o
C
单脉冲
1s
DC
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
4.5V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
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