ADS7882
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SLAS630 - 2008年12月
12位， 3 MSPS
低功耗SAR模拟数字转换器
1
特点
3 MHz的采样率， 12位分辨率
零延迟
单极性，伪差分输入范围：
= 0 V至2.5 V
高速并行接口
信噪比69.5 dB ，100 kHz的I / P
功耗85毫瓦3 MSPS
小睡模式（ 10毫瓦功耗）
掉电（ 10
W)
内部参考
内部基准缓冲器
48引脚TQFP封装
描述
该ADS7882是12位3 MSPS的A至D转换器
与2.5 V内部基准电压。该装置包括一个
基于电容SAR A / D转换器固有的
采样和保持。该器件提供12位并行
一个额外的字节模式，提供接口
简单的接口与8位处理器。该装置具有
伪差分输入级。
在± 200 mV时-IN摆动是非常有用的补偿
为ADC和地面之间的电压不匹配
传感器并且还取消了共模噪声。同
小睡模式，器件工作在较低的
在较低的转化率使用时的功率。该
器件采用48引脚TQFP封装。
字节
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
比较
REFIN
时钟
REFOUT
2.5 V
国内
参考
转变
和
控制逻辑
PWD / RST
A_PWD
CONVST
忙
CS
RD
应用
光网络（ DWDM ，基于MEMS
切换）
频谱分析仪
高速数据采集系统
高速闭回路系统
电信
超声波检测
+ IN
In
+
_
特区
华助会
12月8号位并行
数据输出总线
1
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
(1)
模型
最大
积分
线性
± 4 LSB为12位
最大
迪FF erential
线性
± 4 LSB为12位
（ ± 1 LSB为10位）
没有失踪
码AT
决议
（位）
10
包
TYPE
48-Pin
TQFP
包
代号
温度
范围
订购
信息
ADS7882IPFBT
PFB
-40 ° C至85°C
ADS7882IPFBR
磁带和卷轴1000
运输
介质数量
磁带和卷轴250
ADS7882
(1)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站： www.ti.com 。
绝对最大额定值
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
+ IN至AGND
-IN至AGND
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
数字输入电压至GND
数字输出到GND
工作温度范围
存储温度范围
结温（T
J
MAX ）
TQFP封装
焊接温度，焊接
(1)
功耗
θ
JA
热阻抗
气相（60秒）
红外（ 15秒）
(1)
价值
-0.3 + VA + 0.1
-0.3 0.5
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 （ + VBD + 0.3 V ）
-0.3 （ + VBD + 0.3 V ）
-40到85
-65到150
150
(T
J
最大-T
A
)/
θ
JA
86
215
220
单位
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
° C / W
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
2
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特定网络阳离子
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ，V
REF
= 2.5 V，F
样品
= 3兆赫（除非另有说明）
参数
模拟量输入
满量程输入范围
(1)
绝对输入范围
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
积分线性度
(2)
差分线性
偏移误差
(4)
增益误差
(4)
测试条件
+在 - （ -In ）
+ IN
In
民
0
–0.2
–0.2
典型值
最大
V
REF
V
REF
+0.2
0.2
单位
V
V
pF
pA
位
位
27
500
12
10
–4
–4
±1
±1
±1
±1.2
带有共模输入信号= 200
mV
p-p
在1 MHz
在FF0
H
输出代码， + VA = 4.75 V至5.25
V , V
REF
= 2.50 V
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
+ VDB = 5 V
+ VDB = 3 V
53
53
3
2
20
50
50
V
IN
= 2.496 V
p-p
在0.1兆赫/ 2.5 V
REF
V
IN
= 2.496 V
p-p
在0.1兆赫/ 2.5 V
REF
V
IN
= 2.496 V
p-p
在0.1兆赫/ 2.5 V
REF
V
IN
= 2.496 V
p-p
在0.1兆赫/ 2.5 V
REF
–79.5
69.5
68.5
80.5
50
2.4
2.5
500
从95％ （ + VA） ，用1μF的存储
电容上REFOUT至AGND
IOUT = 0
静载荷
+ VA = 4.75 V至5.25 V
IOUT = 0
1
25
2.425
2.5
2.6
60
80
4
4
最低位
(3)
最低位
(3)
mV
mV
dB
dB
共模抑制比
电源抑制
采样动态
转换时间
采集时间
最大吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
动态特性
总谐波失真
(5)
SNR
SINAD
SFDR
-3 dB的小信号带宽
外部基准输入
输入V
REF
范围
阻力
(6)
内部基准电压
启动时间
V
REF
范围
源出电流
线路调整
漂移
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
280
280
纳秒
纳秒
兆赫
纳秒
皮秒
纳秒
纳秒
dB
dB
dB
dB
兆赫
V
k
120
2.575
10
毫秒
V
A
mV
PPM /°C的
理想的输入范围;不包括增益或失调误差。
这是端点INL ，不是最合适的。
LSB是指至少有显著位。
测量相对于实际测量的基准。
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
可以变化±20％ 。
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规格（续）
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 5 V或3.3 V ，V
REF
= 2.5 V，F
样品
= 3兆赫（除非另有说明）
参数
数字输入/输出
逻辑系列
V
IH
逻辑电平
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式
电源要求
电源
电压
+ VBD
+ VA
+ VA = 5 V
2.7
4.75
3.3
5
17
85
2
60
2
从仿真结果
1μF的电容存储在REFOUT到
AGND
10
25
2.5
5.25
5.25
22
110
3
V
V
mA
mW
mA
纳秒
A
微秒
毫秒
I
IH
= 5
A
I
IL
= 5
A
I
OH
= 2 TTL负载
I
OL
= 2 TTL负载
+V
BD
–1
–3
+V
BD
–0.6
0
直
二进制
CMOS
+V
BD
+0.3
0.8
+V
BD
0.4
V
V
V
V
测试条件
民
典型值
最大
单位
电源电流， + VA ， 3 MHz的采样率
功耗， 3 MHz的采样率
打盹模式
电源电流， + VA
开机时间
(7)
掉电
电源电流， + VA
关机时间
电时间
系统上电或复位无效的转换
温度范围
工作自由空气
(7)
(8)
–40
85
°C
(8)
最小采集时间的午睡状态结束后第一个采样必须比正常的60纳秒以上。
所需的时间以达到2.5的水平
A.
4
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时序要求
所有典型规格在-40 ° C至85°C ， + VA = + 5V ， + VBD = + 5V
参数
t
（ CONV ）
t
（ ACQ ）
t
h1
t
d1
t
h2
t
h3
t
d2
t
w3
t
d3
t
w1
t
d4
转换时间
采集时间
保持时间CS低到高CONVST （繁忙的高点）
延迟CONVST高收购开始
保持时间， CONVST高到CS高与低的BUSY
保持时间， CONVST从低到高CS
延迟CONVST从低到高BUSY
CS宽度采集或转换开始
延迟CS低到收购开始CONVST高
脉冲宽度，从CS低到CONVST为低电平收购开始
延迟CS低到高BUSY与CONVST低
安静的采样时间
转换中止
t
s1
t
d5
t
d6
t
d7
t
d9
t
d11
t
1
t
d8
t
d10
t
2
t
d12
t
w4
t
w5
t
w6
t
w7
t
d13
(1)
(2)
(3)
(4)
建立时间CONVST高到CS低， BUSY高
延迟时间CS低到BUSY低配高CONVST
延迟RD低到数据有效在CS为低电平
延迟BYTE高LSB字与CS和RD低有效
延迟时间RD高到数据三态在CS为低电平
转换的延迟时间结束繁忙低
安静的采样时间RD高到低CONVST
延迟CS低到数据有效RD低
延迟CS高数据三态与RD低
安静的采样时间CS低到CONVST低
延迟BUSY低到数据有效
脉冲宽度，高CONVST
脉冲宽度，低CONVST
脉冲宽度，低PWD / RST复位装置
脉冲宽度，低PWD / RST断电装置
延迟时间， PWD电后/ RST高
63
20
45
7200
25
6140
15
20
25
25
25
20
20
25
25
25
10
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
5
5
5
5
5
6
6
7, 8
7, 8
7
10
9
9
4
4
(3)
(1) (2) (3) (4)
民
53
10
2
10
10
典型值
最大
280
单位
ns
ns
ns
REF图。
5
5
3
1
1
1
1
2
2
2
2
采样和转换启动
4
5
ns
ns
ns
40
20
2
20
40
25
4
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据读取
BACK- TO- BACK转换
掉电/复位
所有输入信号均采用t指定
r
= t
f
= 5纳秒（10％至90％的+ VBD ）和从一个电压电平的定时（Ⅴ
IL
+ V
IH
)/2.
参见时序图。
转换开始前的平静期，没有数据总线活动，包括数据总线三态被允许在这一时期。
所有的时序测量上的所有数据位和BUSY引脚20 pF的等效负载。
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