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AP2003
同步PWM控制器
特点
- 单或双电源应用
- 0.8V + 1.0 %基准电压源。
- 快速的瞬态响应。
- 同步操作,高效率(95%)
- 软启动功能
- 小尺寸外部元件最少
- 工业级温度范围
- 欠压锁定功能
- SOP- 8L封装
(初步)
概述
在AP2003是一种低成本,功能齐全,并
同步电压模式控制器设计
在单端电源的应用程序中使用
其中,效率是首要关心的问题。
同步操作可消除
散热片在很多应用中。在AP2003是
适合于实现所需的DC / DC转换
动力先进微处理器的成本低
系统,或者在分布式功率应用中
效率是很重要的。
内部电平转换,
高侧驱动电路和预设拍摄得来速
控制,允许使用便宜的N沟道
电源开关。
AP2003的功能包括温度补偿
电压基准,一个内部200kHz的虚拟
频率
振荡器
欠压
封锁
保护,软启动和关断功能。
应用
- 微处理器核心供电
- 低成本同步应用
- 稳压器模块( VRM )
- DDR终端电源
- 网络电源
- 已排序的电源
引脚分配
( TOP VIEW )
SS / SHDN
VCC
DRVH
GND
1
8
COMP
2
AP2003
7
SENSE
3
6
BSTH
4
5
DRVL
引脚说明
名字
VCC
DRVH
DRVL
描述
芯片供电电压
高边驱动器输出
低端驱动器输出
引导,高侧驱动器
电压检测输入
补偿引脚
软启动,一个电容到地台
慢启动时间
SOP-8L
订购信息
AP2003 X
X
X
BSTH
SENSE
COMP
SS/
SHDN
GND
无铅
填料
S: SOP - 8L空白:正常
空白:管
答:大坪
L:无铅封装
该数据表包含的新产品信息。易亨电子公司保留权利修改产品规格,恕不另行通知。无责任承担由于使用的结果
此产品。在任何授权不得销售该产品。
0.1修订版2月10日, 2004年
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AP2003
同步PWM控制器
框图
VCC
(初步)
VBG
电压
0.8V
+
-
振荡器
单稳
COMP
误差放大器
+
-
VCC
10uA
SS / SHDN
Foult
2uA
GND
0.6V
+
-
DRVL
DRVL
0.5V
S
+
-
R
Ob
SENSE
PWM
DRVH
BSTH
DRVH
当前
控制
绝对最大额定值
符号
V
IN
Θ
JC
Θ
JA
T
OP
T
ST
T
领导
参数
VCC和GND
热阻结到外壳
热阻结到环境
工作温度范围
存储温度范围
引线温度(焊接) 10秒。
马克斯。
-1至14
60
160
-40至+85
-65到+150
300
单位
o
o
V
C / W
C / W
o
o
o
C
C
C
易亨电子股份有限公司
www.anachip.com.tw
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0.1修订版2月10日, 2004年
AP2003
同步PWM控制器
电气特性
符号
电源
V
CC
I
CC
V
LINE
误差放大器器
A
OL
I
B
振荡器
F
OSC
DC
最大
Mofset司机
I
DRVH
I
DRVL
保护
T
DEAD
参考
V
REF
软启动
I
SSC
充电电流
V
SS
= 1.5V
V
SS
= 1.5V
8.0
1.3
10
2
4.2
I
O( REF)
= 0.1毫安
T
A
= 25C
4.1
200
12
2.7
uA
uA
V
V
mV
I
SSD
放电电流
欠压锁定( UVLO )
上阈值电压
V
UT
(V
CC
)
低门限电压
V
LWT
(V
CC
)
V
HT
迟滞(V
CC
)
参考电压
准确性
0
o
C至70
o
C
0.792
-1
0.8
0.808
+1
V
%
死区时间
45
100
nS
DRVH源/汇
DRVL源/汇
V
BSTH
– V
DRVH
=4.5V
V
DRVH
– V
= 2V
V
BSTH
– V
DRVL
= 4.5V
V
DRVL
– V
GND
= 2V
1
1
A
A
振荡器频率
振荡器的最大占空比
180
90
200
95
220
千赫
%
增益(A
OL
)
输入偏置
50
5
8
dB
uA
电源电压
电源电流
线路调整
VO = 2.5V
V
CC
4.2
6
0.5
16
10
V
mA
%
参数
(初步)
除另有规定: V
CC
= 12V ; GND = 0V ; FB = V
O
; V
BSTH -GND
= 12V ;牛逼
J
= 25
o
C
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
注: 1 。
规格指的是典型应用电路。
注2 。
此设备ESD敏感。使用标准的ESD处理措施是必需的。
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0.1修订版2月10日, 2004年
AP2003
同步PWM控制器
典型应用电路
(1)
+
C6
C7
C8
680/6.3V 680/6.3V 680/6.3V
-
VIN
5V
(初步)
1
2
C2
0.1u
C5
10u
3
4
SS / SHDN
VCC
DRVH
COMP
SENSE
BSTH
DRVL
8
7
6
5
R6选项
+12V
R5选项
Q1
STP40NE
Q2
STP40NE
L1
4uH
R8
191*
R7
127
GND
+
D1
选项
C9
180/4V
C10
180/4V
C11
180/4V
C12
180/4V
C13
180/4V
AP2003
Vout=2.0V*
-
注意:
*输出电压= 0.8× (1 + R8 / R7)的
(2)
+
C6
C7
C8
680/6.3V 680/6.3V 680/6.3V
-
VIN
5V
D2
1
2
C2
0.1u
C5
10u
3
4
SS / SHDN
VCC
DRVH
COMP
SENSE
BSTH
DRVL
8
7
6
R5选项
5
R6选项
Q1
STP40NE
Q2
STP40NE
C1
1u
R8
191*
R7
127
L1
4uH
+
GND
AP2003
5V输入,自举BSTH
D1
选项
C9
180/4V
C10
180/4V
C11
180/4V
C12
180/4V
C13
180/4V
Vout=2.0V*
-
注意:
*输出电压= 0.8× (1 + R8 / R7)的
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AP2003
同步PWM控制器
功能
描述
错误
放大器器
to
a
电压
正比于SS上的电压/
SHDN
。这
限制了高侧MOSFET的导通时间,从而
导致受控的斜坡上升的输出
电压。
打嗝模式
在上电时, SS /
SHDN
引脚内部
拉低至V
CC
到达欠压
4.2V的锁定程度。一旦V
CC
已经达到了4.2V ,
在SS /
SHDN
销被释放,并且开始向源
为10uA的外部软启动电容电流。
当软起动电压上升时,输出
内部误差放大器被钳位到这个电压。
当误差信号达到的水平
三角形内部振荡器,摆动从1V
至2V在200kHz的固定频率开关
发生。作为误差信号跨越所述
振荡器信号,该PWM信号的占空比
继续增加,直到输出变为
调节。
软启动电压将开始减小,
放电电流降至2uA的外部电容器。
当软启动电压达到0.8V ,则
SS/
SHDN
引脚将开始采购为10uA ,并开始
到外部电容器充电使得
软启动电压再次上升。再次,当
软启动电压达到内部的电平
振荡器,会发生切换。
总之,以上示出了一个典型的“ 12V
应用电路“,它有一个BSTH电压
通过自举输入电压到来自
通过二极管D2 PHASE节点。这个电路是非常
在案件有用的,只有单一的输入功率
5V(或12V)是可用的。
为了防止基底毛刺,一
小信号二极管应放置在靠近
靠近阴极与芯片连接到
相和阳极连接到GND 。
(初步)
同步降压转换器
小五
CORE
功率由同步设置,
电压模式脉冲宽度调制(PWM)的
控制器。本节所需要的所有功能
建立一个高效率同步降压
转换器关断功能。
同步转换器的输出电压是
置和由所述误差的输出控制
放大器。外部电阻分压器参考
电压从内部修剪衍生
带隙基准电压源。的反相输入端
误差放大器接收来自其电压
感脚。
内部振荡器使用一个片上电容器
和修整精密电流源设置
振荡频率为200KHz的。三角
振荡器的输出设定在基准电压
比较器的反相输入端。当
振荡器的输出电压下降到低于误差
放大器的输出电压,比较器输出
变高。这拉DRVL低,关闭
低边FET ,并DRVH被拉高,打开
高侧FET (一旦交叉电流控制
允许的话) 。当振荡器电压回升到
上述误差放大器的输出电压,则
比较器的输出变低。这拉DRVH低,
关闭高侧FET和DRVL拉
高,开启低边FET (一次
交叉电流控制允许的话) 。
如SENSE增加时,输出电压
误差放大器减小。这将导致减少
在高侧MOSFET的连接的导通时间
到DRVH ,从而降低输出电压。
欠压锁定
在AP2003的欠压锁定电路
确保了高边MOSFET驱动器输出
保持在关断状态时的电源电压
低于设定的参数。发生停摆,如果V
CC
低于4.1V 。恢复正常运行,一旦
V
CC
高于4.2V 。
软启动
首先, SS /
SHDN
电流源为10uA到
充电的外部电容器。的输出
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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