AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
DC - 4000 MHz的
15.5 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
21.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
内部匹配50
无铅/绿色/
RoHS-
柔顺
SOT- 89封装
MTTF >千年
产品说明
该AG503-89是一个通用的缓冲放大器，其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时， AG503-89通常提供
21.5分贝增益， 29 dBm的输出IP3 ， & 15.5 dBm的P1dB的。
该设备结合了可靠的性能与精湛
质量保持MTTF值超过千年的
安装温度为+ 85℃，可在两
标准的SOT- 89封装，以环境
型无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89封装。
该AG503-89由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
技术，只需要隔直流电容，一个
偏置电阻器，和一个电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS， GSM，CDMA和W-CDMA 。此外，
该AG503-89将适用于其他各种应用
直流至4 GHz频率范围内，如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
地
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
民
DC
典型值
900
21.3
15
17
+29.0
+37
+15.6
3.1
1900
19.1
+27.4
+14.4
5.0
45
最大
4000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
典型
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
18.1
20.1
1.测试条件： 25° C，电源电压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率（连续）
结温
-40至+85
°C
-55到+150
°C
+5.8 V
+10 dBm的
+250° C
订购信息
产品型号
AG503-89
AG503-89G
AG503-89PCB
等级
描述
的InGaP HBT增益模块
（含铅SOT- 89 PKG ）
的InGaP HBT增益模块
（无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89 PKG ）
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
规格和信息如有变更，恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
22.3
-26
-18
+15.9
+29.4
3.0
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
,
I
cc
= 45毫安
2400
18.2
-22
-10.7
+14.0
+26.8
3.4
3500
16.6
-27
-16
+11.3
5800
12.8
-16
-8.2
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= 6 V，器件电压= 6.0 V， Rbias两端= 22.1
,
ICC = 45 mA典型， 50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
回波损耗
0
-10
-20
-30
S11
S22
的I-V曲线
80
器件电流（mA ）
60
40
20
0
3.0
S11 ，S22 （ dB）的
G A IN（ D B ）
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
+25 C
+85 C
最佳工作点
-40
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率（GHz ）
输出IP2与频率的关系
器件电压（V）
噪声系数与频率的关系
输出IP3与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
NF（ dB）的
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
OIP3 （ dBm的）
OIP2 （ dBm的）
35
30
25
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（MHz）
输出功率/增益随输入功率
20
18
G A IN（ D B ）
16
14
12
10
输出功率
收益
频率= 900 MHz的
频率（GHz ）
输出功率/增益随输入功率
20
ü TP ü吨P流 R（ D B M）
G A IN（ D B ）
16
12
8
4
0
18
16
收益
14
12
10
8
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
输出功率
12
8
4
0
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
20
ü TP ü吨P流 R（ D B M）
16
P1dB的（ DBM）
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
AG503-89 （ SOT- 89封装）机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该AG503-89会标明
“ AG503 ”标志。字母数字
码（“ XXXX- X” ）也被以下标
上的顶面部分的指示符
封装。
an
LOT
该
该
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级： 3级在+ 235 ℃的对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终镀
直通0.25毫米（ 0.010 “ ）直径。
2，如可以添加尽可能多的铜到内和外
附近的部分的层，以确保最佳的热
性能。
3.安装螺丝附近可部分被添加到固定
主板散热片。保证地面/
热过孔区域接触所述散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
在该区域，其中所述电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
和建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角
以度为单位。
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJC
(2)
MTTF与GND温度标签
1000
-40至+ 85°C
232 ° C / W
137° C
M牛逼五六（M illio N·H RS ）
等级
100
10
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85°C的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
AG503-89G （绿/无铅SOT- 89封装）机械信息
这个包是无铅/绿色/符合RoHS标准。它是与无铅（最高260°C回流温度）和含铅兼容
（最高245 °C回流温度）焊接工艺。上引线的电镀材料是镍钯金。
外形绘图
产品标识
该AG503-89G会标明
“ A503G ”标志。字母数字
码（“ XXXX- X” ）也被以下标
上的顶面部分的指示符
封装。
an
LOT
该
该
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
土地模式
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
MSL等级： 3级在+ 260 ℃的对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终镀
直通0.25毫米（ 0.010 “ ）直径。
2，如可以添加尽可能多的铜到内和外
附近的部分的层，以确保最佳的热
性能。
3.安装螺丝附近可部分被添加到固定
主板散热片。保证地面/
热过孔区域接触所述散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
在该区域，其中所述电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
和建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角
以度为单位。
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJC
(2)
MTTF与GND温度标签
1000
-40至+ 85°C
232 ° C / W
137° C
M牛逼五六（M illio N·H RS ）
等级
100
10
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85°C的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
x
x
x
x
x
x
DC - 4000 MHz的
15.5 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
21.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
无铅/符合RoHS标准/
绿色SOT- 89package
x
内部匹配50
:
产品说明
该AG503-89是一个通用的缓冲放大器，其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时， AG503-89通常提供
21.5分贝增益， 29 dBm的OIP3和15.5 dBm的P1dB的。
该设备结合了可靠的性能，
稳定的质量超过维持MTTF值
千年在85下安装
qC
并
住在无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89
行业标准的SMT封装。
该AG503-89由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
并且只需要隔直电容，偏置电阻，
和一个电感的RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS， GSM，CDMA和W-CDMA 。此外，
该AG503-89将适用于其他各种应用
直流至4 GHz频率范围内，如CATV
和WiMAX。
工作原理图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
应用
x
x
x
x
x
移动基础设施
CATV / FTTX
W- LAN / ISM
RFID
的WiMAX / WiBro的
功能
输入
输出/偏置
地
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出P1dB为
输出IP3
(2)
输出IP2
噪声系数
测试频率
收益
输出P1dB为
输出IP3
(2)
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
民
DC
典型值
900
21.3
15
17
+15.6
+29
+37
3.1
1900
19.1
+14.4
+27.4
5.0
45
最大
4000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
典型
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
18.1
20.1
1.测试条件： 25 C ，电源电压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1 ， 50系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率（连续）
结温
-40至+85
qC
-55到+150
qC
+5.8 V
+10 dBm的
+250
qC
等级
订购信息
产品型号
AG503-89G
AG503-89PCB
描述
的InGaP HBT增益模块
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
规格和信息如有变更，恕不另行通知
（无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89封装）
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
网站： www.wj.com
第1页5
2006年6月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
22.3
-26
-18
+15.9
+29.4
3.0
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
通信EDGE
TM
产品信息
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
:,
I
cc
= 45毫安
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
典型的射频设备的性能
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
2400
18.2
-22
-10.7
+14.0
+26.8
3.4
3500
16.6
-27
-16
+11.3
5800
12.8
-16
-8.2
1.测试条件： T = 25 C ，电源电压= 6 V，器件电压= 6.0 V， Rbias两端= 22.1 ，电流Icc = 45 mA典型， 50系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
22
20
增益与频率
0
-10
-20
-30
回波损耗
的I-V曲线
80
器件电流（mA ）
60
40
20
0
3.0
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
最佳工作点
S11
S22
-40
2
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率（GHz ）
45
40
35
30
-40 C
+25 C
+85 C
输出IP2与频率的关系
器件电压（V）
35
30
25
20
输出IP3与频率的关系
5
4
NF（ dB）的
3
2
1
0
噪声系数与频率的关系
OIP3 （ dBm的）
-40 C
+25 C
+85 C
OIP2 （ dBm的）
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
20
15
增益（dB ）
-40 C
+25 C
+85 C
25
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（MHz）
输出功率/增益随输入功率
20
18
16
14
12
输出功率
收益
频率= 900 MHz的
频率（GHz ）
输出功率/增益随输入功率
20
O
安输出功率（dBm
)
频率= 2000 MHz的
的P1dB与频率的关系
18
16
增益（dB ）
20
O
安输出功率（dBm
)
P1dB的（ DBM）
16
12
8
4
0
16
收益
12
8
输出功率
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
4
0
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
14
12
10
8
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
10
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
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页2的5
2006年6月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
VCC
ICC = 45毫安
通信EDGE
TM
产品信息
应用电路
R1
BIAS
电阻器
C4
绕行
电容
C3
0.018 F
L1
RF扼流圈
在RF
AG503-89
C1
闭塞
电容
C2
闭塞
电容
RF OUT
推荐元件值
参考
代号
50
500
L1
820 nH的
220 nH的
C1, C2, C4
.018 F
1000 pF的
参考文献。 DESIG 。
L1
C1, C2
C3
C4
R1
频率（MHz）
900
1900
2200
68 nH的
27 nH的
22 nH的
100 pF的
68 pF的
68 pF的
SIZE
0603
0603
0603
0805
2500
18 nH的
56 pF的
3500
15 nH的
39 pF的
1.各组分的合适的值是依赖于操作的预期频率。
2.下列值包含在评估板上，以达到最佳的宽带性能：
值/类型
39 nH的线绕电感器
56 pF的电容芯片
0.018
PF
贴片电容
不要将
22.1
:
1 ％容差
推荐偏置电阻值
S upply
R1值
S IZE
电压
6V
22.2欧姆
0603
7V
44.4欧姆
0805
8V
67欧姆
1206
9V
89欧姆
1210
10 V
111欧姆
1210
12 V
156欧姆
2010
对于R 1的合适的值是依赖于供给
电压和允许的温度范围内偏置稳定性。
WJ建议+6 V的最小偏置电源
1 ％的容差电阻。
典型的设备数据
S参数（V
设备
= +5.0 V，I
CC
= 45 mA时， T = 25℃ ，校准器件引线）
频率（MHz ）
S11（ dB）的
S11 （ ANG）
S21 （ dB）的
50
250
500
750
1000
1250
1500
1750
2000
2250
2500
2750
3000
3250
3500
3750
4000
4250
4500
4750
5000
5250
5500
5750
6000
-26.19
-23.35
-17.91
-15.52
-14.09
-12.90
-12.87
-13.81
-15.74
-18.98
-23.23
-32.94
-28.58
-25.07
-27.36
-37.65
-25.73
-18.68
-15.09
-13.28
-12.57
-12.84
-13.69
-15.63
-17.91
-179.61
160.54
150.08
141.97
134.98
131.90
129.91
128.31
126.11
107.41
104.12
143.49
-115.87
-108.27
-114.74
-166.05
89.46
73.79
67.26
62.51
57.49
52.85
47.99
44.02
36.55
21.55
21.45
21.24
20.88
20.37
19.84
19.26
18.68
18.13
17.67
17.32
16.89
16.52
16.16
15.80
15.41
14.94
14.43
13.80
13.22
12.77
12.35
12.10
11.98
11.87
器件的S参数可供下载过该网站在： http://www.wj.com
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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S21 （ ANG）
S12 （ dB）的
S12 （ ANG）
S22 （ dB）的
S22 （ ANG）
177.16
166.20
152.40
139.13
126.75
114.96
104.78
94.73
85.30
76.68
70.25
60.61
51.58
42.71
33.60
24.19
14.88
6.00
-2.56
-11.15
-18.52
-25.59
-32.66
-39.82
-47.46
-24.24
-24.75
-24.74
-24.57
-24.92
-24.28
-24.39
-24.24
-23.81
-23.91
-23.81
-22.99
-22.79
-22.54
-22.21
-21.58
-21.74
-21.16
-21.17
-21.12
-21.10
-20.88
-20.37
-20.16
-19.50
0.28
1.32
-1.75
-4.88
-9.48
-9.59
-7.54
-9.74
-11.07
-12.44
-16.75
-18.94
-19.91
-23.20
-26.19
-31.30
-35.64
-41.49
-46.41
-49.57
-53.33
-58.61
-62.10
-65.61
-70.88
-18.02
-19.32
-24.54
-20.39
-15.97
-13.31
-11.54
-10.79
-10.51
-10.52
-10.71
-11.55
-12.66
-14.43
-16.07
-15.90
-13.59
-10.76
-8.74
-7.63
-6.98
-6.96
-7.30
-8.21
-9.28
-7.09
-22.62
-82.96
-137.56
-161.71
-172.90
-177.90
-179.42
-178.17
-164.14
-165.63
-165.21
-169.42
-177.62
160.53
126.84
99.68
83.55
74.76
70.27
68.95
66.81
67.16
66.03
63.60
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第4 5
2006年6月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
这个包是无铅/绿色/符合RoHS标准。它是与无铅（最大260兼容
qC
回流温度）和含铅
（最高245
qC
回流焊温度）焊接工艺。上引线的电镀材料是镍钯金。
AG503-89G （绿/无铅SOT- 89封装）机械信息
外形绘图
产品标识
该AG503-89G将标有
“ A503G ”标志以字母数字很多
代码标记部分标志下方。该
过时的锡 - 铅包被标以
“ AG503 ”标志符后面跟着一个
字母数字批号。
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
土地模式
MSL / ESD额定值
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过1000V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过1000V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
¤
¤
MSL等级： 3级为260 对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJ
(2)
1000
平均无故障时间（百万小时）
MTTF与GND温度标签
等级
-40至+85
qC
232
qC
/ W
137
qC
100
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85℃的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177 C.结温
10
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终电镀通
直径为0.25毫米（ 0.010 “）。
2，如可以添加尽可能多的铜内层和外层
附近的部分，以确保最佳的热性能。
3.安装螺丝可以将附近部分固定的加
板散热器。保证地面/散热孔
区域接触的散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
该区域的电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角度是
度。
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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页5
2006年6月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
产品信息
产品特点
DC - 4000 MHz的
15.5 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
21.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
内部匹配50
无铅/绿色/
RoHS-
柔顺
SOT- 89封装
MTTF >千年
产品说明
该AG503-89是一个通用的缓冲放大器，其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时， AG503-89通常提供
21.5分贝增益， 29 dBm的输出IP3 ， & 15.5 dBm的P1dB的。
该设备结合了可靠的性能与精湛
质量保持MTTF值超过千年的
为+ 85 ℃的温度下的安装和处于可用
环保无铅/绿色/符合RoHS标准
SOT- 89封装。
该AG503-89由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
技术，只需要隔直流电容，一个
偏置电阻器，和一个电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS， GSM，CDMA和W-CDMA 。此外，
该AG503-89将适用于其他各种应用
直流至4 GHz频率范围内，如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
地
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
民
DC
典型值
900
21.3
15
17
+29.0
+37
+15.6
3.1
1900
19.1
+27.4
+14.4
5.0
45
最大
4000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
典型
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
18.1
20.1
1.测试条件： 25° C，电源电压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率（连续）
结温
订购信息
产品型号
AG503-89*
AG503-89G
AG503-89PCB
*
等级
-40至+85
°C
-55到+150
°C
+5.8 V
+10 dBm的
+250° C
描述
的InGaP HBT增益模块
（铅 - 锡SOT- 89 PKG ）
的InGaP HBT增益模块
（无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89 PKG ）
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
这个包是被淘汰有利于绿色包装类型是为了向后兼容
现有的设计。请参阅产品更改通知WJPCN06MAY05TC1的WJ网站上。
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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AG503-89
的InGaP HBT增益模块
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
, I
cc
= 45毫安
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
22.3
-26
-18
+15.9
+29.4
3.0
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
2400
18.2
-22
-10.7
+14.0
+26.8
3.4
3500
16.6
-27
-16
+11.3
5800
12.8
-16
-8.2
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= 6 V，器件电压= 6.0 V， Rbias两端= 22.1
,
ICC = 45 mA典型， 50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
回波损耗
0
-10
-20
-30
S11
S22
的I-V曲线
80
器件电流（mA ）
60
40
20
0
3.0
S11 ，S22 （ dB）的
增益（dB ）
18
16
14
12
0
-40 C
1
+25 C
+85 C
3
4
最佳工作点
-40
2
频率（GHz ）
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率（GHz ）
输出IP2与频率的关系
器件电压（V）
噪声系数与频率的关系
输出IP3与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
35
30
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
NF（ dB）的
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
OIP3 （ dBm的）
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
OIP2 （ dBm的）
25
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（MHz）
输出功率/增益随输入功率
20
18
增益（dB ）
频率= 900 MHz的
频率（GHz ）
输出功率/增益随输入功率
20
输出功率（dBm ）
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
18
16
增益（dB ）
20
输出功率（dBm ）
P1dB的（ DBM）
收益
16
12
8
16
收益
12
8
输出功率
4
0
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
16
14
12
输出功率
14
12
10
8
4
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
10
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
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2005年6月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
产品信息
AG503-89 （ SOT- 89封装）机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该AG503-89会标明
“ AG503 ”标志。字母数字
码（“ XXXX- X” ）也被以下标
上的顶面部分的指示符
封装。
an
LOT
该
该
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级： 3级在+ 235 ℃的对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终镀
直通0.25毫米（ 0.010 “ ）直径。
2，如可以添加尽可能多的铜到内和外
附近的部分的层，以确保最佳的热
性能。
3.安装螺丝附近可部分被添加到固定
主板散热片。保证地面/
热过孔区域接触所述散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
在该区域，其中所述电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
和建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角
以度为单位。
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJC
(2)
-40至+ 85°C
232 ° C / W
137° C
平均无故障时间（百万小时）
等级
1000
MTTF与GND温度标签
100
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85°C的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
10
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
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AG503-89
的InGaP HBT增益模块
产品信息
AG503-89G （绿/无铅SOT- 89封装）机械信息
这个包是无铅/绿色/符合RoHS标准。它是与无铅（最高260°C回流温度）和含铅兼容
（最高245 °C回流温度）焊接工艺。上引线的电镀材料是镍钯金。
外形绘图
产品标识
该AG503-89G会标明
“ A503G ”标志。字母数字
码（“ XXXX- X” ）也被以下标
上的顶面部分的指示符
封装。
an
LOT
该
该
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
土地模式
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
MSL等级： 3级在+ 260 ℃的对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终镀
直通0.25毫米（ 0.010 “ ）直径。
2，如可以添加尽可能多的铜到内和外
附近的部分的层，以确保最佳的热
性能。
3.安装螺丝附近可部分被添加到固定
主板散热片。保证地面/
热过孔区域接触所述散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
在该区域，其中所述电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
和建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角
以度为单位。
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJC
(2)
-40至+ 85°C
232 ° C / W
137° C
平均无故障时间（百万小时）
等级
1000
MTTF与GND温度标签
100
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85°C的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
10
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
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2005年6月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
产品特点
DC - 4000 MHz的
15.5 dBm的P1dB为900 MHz的
+29 dBm的OIP3在900兆赫
21.5分贝增益在900 MHz的
单电源供电
内部匹配50
无铅/绿色/
RoHS-
柔顺
SOT- 89封装
MTTF >千年
产品说明
该AG503-89是一个通用的缓冲放大器，其
提供了一种低成本的表面贴装高动态范围
封装。在900 MHz时， AG503-89通常提供
21.5分贝增益， 29 dBm的输出IP3 ， & 15.5 dBm的P1dB的。
该设备结合了可靠的性能与精湛
质量保持MTTF值超过千年的
安装温度为+ 85℃，可在两
标准的SOT- 89封装，以环境
型无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89封装。
该AG503-89由达林顿对放大器使用
高可靠性的InGaP /砷化镓HBT工艺技术
技术，只需要隔直流电容，一个
偏置电阻器，和一个电感RF扼流圈进行操作。
宽带MMIC放大器可以直接应用于
各种当前和下一代无线技术
如GPRS， GSM，CDMA和W-CDMA 。此外，
该AG503-89将适用于其他各种应用
直流至4 GHz频率范围内，如CATV
和固定无线。
工作原理图
GND
4
1
在RF
2
GND
3
RF OUT
应用
移动基础设施
CATV / DBS
W- LAN / ISM
RFID
国防/国土安全
无线固话
功能
输入
输出/偏置
地
PIN号
1
3
2, 4
特定网络阳离子
(1)
参数
工作带宽
测试频率
收益
输入回波损耗
输出回波损耗
输出IP3
(2)
输出IP2
输出P1dB为
噪声系数
测试频率
收益
输出IP3
(2)
输出P1dB为
器件电压
器件的电流
典型性能
(1)
单位
兆赫
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
兆赫
dB
DBM
DBM
V
mA
民
DC
典型值
900
21.3
15
17
+29.0
+37
+15.6
3.1
1900
19.1
+27.4
+14.4
5.0
45
最大
4000
参数
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
(2)
噪声系数
单位
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
典型
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
18.1
20.1
1.测试条件： 25° C，电源电压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
,
50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。该
抑制上最大的IM3产物被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
直流电压
RF输入功率（连续）
结温
-40至+85
°C
-55到+150
°C
+5.8 V
+10 dBm的
+250° C
订购信息
产品型号
AG503-89
AG503-89G
AG503-89PCB
等级
描述
的InGaP HBT增益模块
（含铅SOT- 89 PKG ）
的InGaP HBT增益模块
（无铅/绿色/符合RoHS标准的SOT- 89 PKG ）
700 - 2400兆赫完全组装的评估和演示。板
规格和信息如有变更，恕不另行通知
该设备上面这些参数的操作可能会造成永久性的损害。
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
电子信箱： sales@wj.com
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2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
频率
S21
S11
S22
输出P1dB为
输出IP3
噪声系数
兆赫
dB
dB
dB
DBM
DBM
dB
100
22.3
-26
-18
+15.9
+29.4
3.0
500
22.0
-18
-24
+15.6
+29.4
3.0
900
21.3
-15
-17
+15.6
+29.0
3.1
1900
19.1
-15
-10.6
+14.4
+27.4
3.3
2140
18.7
-17
-10.4
+14.2
+27.2
3.3
通信EDGE
TM
产品信息
典型的射频设备的性能
供应偏压= 6 V ，R
BIAS
= 22.1
,
I
cc
= 45毫安
2400
18.2
-22
-10.7
+14.0
+26.8
3.4
3500
16.6
-27
-16
+11.3
5800
12.8
-16
-8.2
1.测试条件： T = 25° C，电源电压= 6 V，器件电压= 6.0 V， Rbias两端= 22.1
,
ICC = 45 mA典型， 50
系统。
2.测量与3OIP两个音调的为0 dBm /音10 MHz的分开的输出功率。上最大的IM3产物的抑制被用于计算使用2 3OIP ： 1的规则。
3.数据被示出为仅设备的性能。实际实现对所期望的频带将通过在应用电路中示出的外部元件来确定。
增益与频率
22
20
回波损耗
0
-10
-20
-30
S11
S22
的I-V曲线
80
器件电流（mA ）
60
40
20
0
3.0
S11 ，S22 （ dB）的
G A IN（ D B ）
18
16
14
-40 C
12
0
1
2
频率（GHz ）
3
4
+25 C
+85 C
最佳工作点
-40
0
1
2
3
4
5
6
3.4
3.8
4.2
4.6
5.0
5.4
频率（GHz ）
输出IP2与频率的关系
器件电压（V）
噪声系数与频率的关系
输出IP3与频率的关系
35
30
25
20
-40 C
+25 C
+85 C
45
40
NF（ dB）的
-40 C
+25 C
+85 C
5
4
3
2
1
-40 C
+25 C
+85 C
OIP3 （ dBm的）
OIP2 （ dBm的）
35
30
25
15
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（GHz ）
的P1dB与频率的关系
0
0
200
400
600
800
1000
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
频率（MHz）
输出功率/增益随输入功率
20
18
G A IN（ D B ）
16
14
12
10
输出功率
收益
频率= 900 MHz的
频率（GHz ）
输出功率/增益随输入功率
20
ü TP ü吨P流 R（ D B M）
G A IN（ D B ）
16
12
8
4
0
18
16
收益
14
12
10
8
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
输出功率
12
8
4
0
频率= 2000 MHz的
20
15
10
5
-40 C
+25 C
+85 C
20
ü TP ü吨P流 R（ D B M）
16
P1dB的（ DBM）
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
频率（GHz ）
-12
-8
-4
0
输入功率（dBm ）
4
8
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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电话1-800- WJ1-4401
传真： 408-577-6621
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2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
AG503-89 （ SOT- 89封装）机械信息
本产品可能含有铅轴承材料。上引线的电镀材料是锡铅。
外形绘图
产品标识
该AG503-89会标明
“ AG503 ”标志。字母数字
码（“ XXXX- X” ）也被以下标
上的顶面部分的指示符
封装。
an
LOT
该
该
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
土地模式
MSL等级： 3级在+ 235 ℃的对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终镀
直通0.25毫米（ 0.010 “ ）直径。
2，如可以添加尽可能多的铜到内和外
附近的部分的层，以确保最佳的热
性能。
3.安装螺丝附近可部分被添加到固定
主板散热片。保证地面/
热过孔区域接触所述散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
在该区域，其中所述电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
和建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角
以度为单位。
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJC
(2)
MTTF与GND温度标签
1000
-40至+ 85°C
232 ° C / W
137° C
M牛逼五六（M illio N·H RS ）
等级
100
10
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85°C的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
规格和信息如有变更，恕不另行通知
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2004年9月
AG503-89
的InGaP HBT增益模块
通信EDGE
TM
产品信息
AG503-89G （绿/无铅SOT- 89封装）机械信息
这个包是无铅/绿色/符合RoHS标准。它是与无铅（最高260°C回流温度）和含铅兼容
（最高245 °C回流温度）焊接工艺。上引线的电镀材料是镍钯金。
外形绘图
产品标识
该AG503-89G会标明
“ A503G ”标志。字母数字
码（“ XXXX- X” ）也被以下标
上的顶面部分的指示符
封装。
an
LOT
该
该
磁带和卷轴规格为这部分是
位于所述网站上的“应用程序
注意事项“部分。
MSL / ESD额定值
土地模式
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
ESD额定值：
价值：
测试：
标准：
1C类
通过在1000 V分钟。
人体模型（ HBM ）
JEDEC标准JESD22- A114
IV级
通过在1000 V分钟。
带电器件模型（ CDM）
JEDEC标准JESD22- C101
MSL等级： 3级在+ 260 ℃的对流回流
标准：
JEDEC标准J- STD- 020
安装配置。笔记
1.接地/散热孔是正确的关键
此设备的性能。过孔应使用0.35毫米
（ ＃ 80 / 0.0135 “ ）直径的钻头，并最终镀
直通0.25毫米（ 0.010 “ ）直径。
2，如可以添加尽可能多的铜到内和外
附近的部分的层，以确保最佳的热
性能。
3.安装螺丝附近可部分被添加到固定
主板散热片。保证地面/
热过孔区域接触所述散热片。
4.不要把阻焊膜在印刷电路板的背面
在该区域，其中所述电路板接触的散热片。
5. RF走线宽度取决于PC板材料
和建设。
6.使用1盎司铜最低。
7，所有尺寸的单位均为毫米（英寸） 。角
以度为单位。
热规格
参数
工作温度
热阻， RTH
(1)
结温， TJC
(2)
MTTF与GND温度标签
1000
-40至+ 85°C
232 ° C / W
137° C
M牛逼五六（M illio N·H RS ）
等级
100
10
1.耐热性从最热引用
结到接地片（引脚4 ）的一部分。
2.这对应于典型的偏置条件
+ 5V ， 45毫安以85°C的外壳温度。一
100万小时以上平均无故障时间达到了
低于177的结温
°C.
1
60
70
80
90
100 110
片温度（℃ ）
120
规格和信息如有变更，恕不另行通知
WJ通信公司
电话1-800- WJ1-4401
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