AP139
300mA低压噪声CMOS LDO
特点
非常低的压差电压
低电流消耗：典型值。 45μA ，最大。 60毫安
输出电压： 1.5V ， 1.8V ， 2.0V ， 2.5V ， 2.8V ， 3.0V
3.3V ， 3.5V和
保证300毫安输出
输入电压范围为2.7至5.5V
热关断
限流
低ESR电容的稳定性
低温COEF网络cient
无铅封装： SOT25
SOT25 ：可在“绿色”模塑料（无
溴，锑）
无铅涂层/符合RoHS （注1 ）
概述
该AP139是采用CMOS的正电压的线性调节器
技术。包括低静态电流特性
（ 45μA典型值） ，低压差，高输出电压
精度，使其非常适合电池供电的应用。 EN输入
连接到该设备将产生一个低的偏置电流。
节省空间的SOT25封装的“袖珍”的吸引力和
“手持式”的应用程序。
这个坚固耐用的设备既具有热关断和限流
保护，以防止在“最坏”的经营设备故障
条件。
在一个低噪声，稳压电源应用中，一个10nF的电容
要被放置在旁路和接地之间。
该AP139是稳定的或1.0μF的低ESR输出电容器
更大的。
应用
个人通信设备
家用电气/电子设备
PC外设
电池供电设备
订购信息
AP139
XX X X X
包
W： SOT25
输出电压
15: 1.5V
18: 1.8V
20: 2.0V
25: 2.5V
28: 2.8V
30: 3.0V
33: 3.3V
35: 3.5V
注意：
无铅
L：无铅
G：绿
填料
- 7 ：盘带
1. RoHS指令修订版2003年2月13日。玻璃和高温焊料豁免应用，看
欧盟指令附件注5和7 。
设备
AP139-XXW
注意：
封装代码
W
包装
SOT25
7 “卷带
QUANTITY
型号后缀
3000 /磁带&卷轴
-7
2.焊盘布局上的二极管公司表示建议焊盘布局文件AP02001 ，它可以在我们的网站：
http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
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电气特性
(T
A
= + 25℃ ，除非另有说明）
符号
参数
V
IN
输入电压
I
Q
静态电流
I
机顶盒
待机电流
V
OUT
V
OUT
温度
系数
V
降
输入输出电压差
I
OUT
I
极限
输出电流
电流限制
测试条件
I
O
= 0毫安
V
IN
= 5.0V, V
OUT
= 0V, V
EN
＆ LT ; V
EL
分钟。
注4
-
-
-2
-
典型值。
-
45
2.0
-
50
-
-
450
150
0.1
0.3
60
50
40
75
55
30
-
-
-
130
20
226
34
马克斯。
5.5
60
3.0
2
-
0.45
-
-
300
0.3
1
-
-
-
-
-
-
-
0.8
<0.1
-
-
单位
V
A
A
%
PPM /
o
C
V
mA
mA
mA
%
%
dB
dB
V
V
A
o
输出电压精度我
O
= 1mA时， V
IN
= 5V
I
O
= 1mA至300毫安，
V
OUT
= V
O（ NOM ）
- 1.5%
V
OUT
> 1.05V
V
O
≥2.8V
-
300
300
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1.7
-
-
-
-
I
短
短路电流
△V
LINE
线路调整
△V
负载
负载调整率
PSRR
PSRR
V
EH
V
EL
I
EN
OTS
OTH
θ
JA
θ
JC
注意：
V
cc
= 5V, V
OUT
< 1.05V
I
OUT
= 1mA时， V
IN
=( V
OUT
+ 1V ）至5.5V
I
O
= 1毫安300mA的电流，V
IN
= 5V
F = 1kHz时
I
O
= 100mA时
电源抑制
F = 10kHz的
C
O
= 2.2μF陶瓷
F = 100KHz的
F = 1kHz时
I
O
= 100mA时
电源抑制
O
= 2.2μF陶瓷，
F = 10kHz的
C
BYP
= 20nF
F = 100KHz的
输出ON
EN输入阈值
输出关闭
启用引脚电流
过温
关闭
过温
迟滞
热阻
热阻
C
C
o
SOT25 （注4 ）
SOT25 （注4 ）
摄氏度/ W
摄氏度/ W
3. V
IN（分钟）
= V
OUT
+ V
辍学。
安装在FR- 4印刷电路板，物料需求计划， 1盎司设备： 4。测试条件SOT25 。铜，单面，标定在T
J
= 85 C ，测量在T
A
=25 C,
无散热片，没有空气流动。
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典型用途
IN
V
IN
AP139
BYP
C1
1uF
C2
10nF
GND
EN
C3
1uF
V
OUT
OUT
典型性能特性
100
90
V C C V S Q ü即S·C简吨碳ü R R简吨
1.6
1.4
V
OUT
与输出电压差
静态电流（ μ A）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
3 .5
4
4 .5
5
T A = 2 5
℃
0.2
0
IO = 100毫安
1.5
1.8
2
2.5
V
OUT
(V)
2.8
3
3.3
3.5
漏失电压（ V）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
IO = 300毫安
IO = 200毫安
5 .5
6
V C C （V ）
0
-10
-20
-30
电源抑制比
IOUT = 100毫安
0
-10
-20
-30
电源抑制比
BP = 10nF的
100mA
PSRR （分贝）
PSRR （分贝）
-40
-50
BP = 1nF的
-60
-70
-80
-90
1.0E+00
BP = 20nF
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05 1.0E+06
BP = 5NF
-40
-50
-60
1mA
-70
-80
-90
1.0E+00
1.0E+06
10mA
BP = 10nF的
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
频率（Hz）
频率（Hz）
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典型性能特性
电源抑制比
0
BP=0
-10
-20
-30
100mA
（续）
VOUT VS限流
0.7
0.6
0.5
电流限制（ A）
PSRR （分贝）
-40
-50
-60
10mA
0.4
0.3
0.2
0.1
Vcc=5V
0
1mA
-70
-80
-90
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
1.0E+04
1.0E+05
1.0E+06
1.5
1.8
2
2.5
2.8
3
3.3
3.5
频率（Hz）
Vout的（V）的
V C C V S S小H 2 O RT ④此吨
400
350
300
短路电流（毫安）
250
200
150
100
50
0
3 .5
T O服务P到B○ TTO米
V ü T = 1 .5 V
V O u那样吨= 1.8 V
V ü T = 2 .5 V
V O u那样吨= 3.3 V
4
4 .5
5
5 .5
6
V C C （V ）
功能说明
CMOS稳压器的AP139包含一个PMOS导通晶体管，
电压基准，误差放大器，过电流保护，
热关断。
P沟道通路晶体管从错误中接收数据
放大器，过电流保护和热保护电路。
在正常操作中，误差放大器的输出进行比较
电压施加到一个精确的参考。过电流和热
关断电路被激活时，结温
o
超过130 ℃，或电流超过300毫安。在热
关断时，输出电压保持为低。正常操作
o
当结点温度低于110℃还原
从电压模式的AP139切换到电流模式时，
负载超过额定输出电流。这可以防止
过度的应力。
启用
使能引脚通常浮动高。当积极，拉低，
在PMOS导通晶体管关闭，所有内部电路都
断电。在这种状态下，静态电流小于
2μA 。该引脚很像一个电子开关。
外部电容
该AP139是稳定的，低ESR输出电容的接地
1.0μF或更大。它可以保持稳定甚至更高的ESR
电容器。第二电容建议的
输入端和地，以稳定V
IN
。输入电容应该是
大于0.1μF更大以具有有益效果。所有的电容应
被放置在靠近该引脚。 “安静”地
终止是可取的。
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