【a特点快速转换时间： 5秒片内采样/保持低总非调整误差： 1 LSB全功率信号带宽： 50千赫+5 】,IC型号AD7575BQ,AD7575BQ PDF资料,AD7575BQ经销商,ic,电子元器件-51电子网

特点

快速转换时间： 5秒

片内采样/保持

低总非调整误差： 1 LSB

全功率信号带宽： 50千赫

+5 V单电源

100 ns数据访问时间

低功耗（ 15 mW的典型值）

低成本

标准的18引脚DLPS或20引脚

表面贴装封装

LC MOS

5秒8位ADC，带有采样/保持

AD7575

功能框图

轨道

和

HOLD

艾因

AGND

REF

AD7575

COMP

DAC

CLK

时钟

振荡器

特区

控制

逻辑

锁存器和

三个国家

输出驱动器

DB7

DB0

概述

忙

DGND

该AD7575是一款高速8位ADC ，内置的曲目/

保持功能。逐次逼近转换技

NIQUE被用来实现为5的快速转换时间

而

内置采样/保持允许满量程信号可达50千赫（ 386毫伏/微秒

压摆率），以进行数字化。在AD7575只需要采用+5 V单

供给和成本低，为了转换的1.23V带隙基准

0至2 V的输入信号范围

REF

该AD7575是专为方便地实现所有流行的8位

采用标准微处理器控制信号微处理器

（ CS和

路）

来控制转换和读出的起始

的数据。接口逻辑允许AD7575是容易

配置为存储器映射的设备，并且所述部分可以是

接口为SLOW -MEMORY或ROM 。所有数据输出

在AD7575被锁存和三态缓冲，允许直接

连接到微处理器的数据总线或I / O端口。

该AD7575是在制造一种先进的，全离子注入高

高速线性兼容CMOS （ LC

MOS）工艺和是

在一个小的， 0.3"宽， 18引脚DIP ， 18引脚SOIC封装提供或

其他20引脚表面贴装封装。

产品亮点

1.快速转换时间/低功耗

快， 5

在AD7575的转换时间使

适合于音频和数字化超宽带信号

声波频率的同时保持低的优势

CMOS功耗。

2.片内采样/保持

片上采样/保持功能完全自足

并且无需外部保持电容。与信号转换

速率高达386毫伏/微秒（例如，2.46 V峰 - 峰值为50kHz的正弦

波浪）可以被数字化与完全精确。

3.低总非调整误差

在AD7575的零点，满量程和线性误差是如此

低，在对传输的任何一点的总非调整误差

FER功能是小于1 LSB ，以及偏移和增益调整

ments不是必需的。

4.单电源供电

从+5 V单电源供电，具有成本低1.23 V工作电压

带隙基准允许在5伏要使用的AD7575

没有任何额外的功率微处理器系统

耗材。

5.高速数字接口

快速接口时序可以使AD7575能够轻松地接口到

最流行的微处理器，如的快速版本

Z80H ， 8085A -2， 6502B ， 68B09和DSP处理器，所述

TMS32010.

版本B

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1998年

AD7575–SPECIFICATIONS

参数

准确性

决议

总非调整误差

相对精度

最小分辨率为哪

无失码保证

满量程误差

+25°C

民

给T

最大

偏移误差

+25°C

民

给T

最大

模拟量输入

电压范围

DC输入阻抗

压摆率，跟踪

SNR

参考输入

REF

（对于特定的性能）

REF

逻辑输入

CS ， RD

INL

，输入低电压

INH

，输入高电压

，输入电流

+25°C

民

给T

最大

，输入电容

CLK

LNL

，输入低电压

INH

，输入高电压

INL

，输入低电流

INH

，输入大电流

逻辑输出

忙，

DB0到DB7

，输出低电压

，输出电压高

DB0到DB7

浮态泄漏电流

浮态输出电容

转换时间

与外部时钟

与内部时钟，T

= +25°C

电源要求

功耗

电源抑制

1/2

0至2 V

REF

0.386

1.23

500

= +5 V, V

REF

= 1.23 V， AGND = DGND = 0 V ; F

CLK

= 4 MHz的外部;

所有特定网络阳离子牛逼

民

给T

最大

除非另有说明）

S版

1/2

0至2 V

REF

0.386

1.23

500

T版

1/2

0至2 V

REF

0.386

1.23

500

单位

位

LSB（最大值）

最高位

LSB（最大值）

伏

MΩ分钟

V / μs的最大

分贝分钟

伏

最大

满量程TC通常为5ppm /°C的

条件/评论

，A版本

K，B版本

1/2

0至2 V

REF

0.386

1.23

500

TC偏移通常为5ppm /°C的

1 LSB = 2 V

REF

/ 256 ;见图16

= 2.46 V P-P @ 10 kHz的;见图11

0.8

2.4

0.8

2.4

700

0.8

2.4

0.8

2.4

700

0.8

2.4

0.8

2.4

800

0.8

2.4

0.8

2.4

800

V最大

V分钟

最大

pF的最大

V最大

V分钟

最大

= 0或V

INL

= 0 V

INH

= V

0.4

4.0

1/4

0.4

4.0

1/4

0.4

4.0

1/4

0.4

4.0

1/4

V最大

V分钟

最大

pF的最大

民

最大

伏

最大mA

毫瓦（典型值）

LSB（最大值）

SINK

= 1.6毫安

来源

= 40

OUT

= 0至V

CLK

= 4兆赫

推荐使用时钟

如图15所示组件

对于指定的性能5 ％

一般为3 mA，带V

= +5 V

4.75 V

≤

5.25 V

笔记

温度范围如下：

J，K版本; 0 ° C至+ 70°C

A，B版本; -25 ° C至+ 85°C

S，T版本; -55 ° C至+ 125°C

偏移误差是衡量相对于发生在1/2 LSB的理想码跃迁。

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

准确度可能会降低在非指定的转换时间。

电源的电流进行测量时AD7575是不活动的，即，当

忙

=逻辑高电平。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

–2–

版本B

AD7575

时序特定网络阳离子

参数

在+ 25℃极限

（所有版本）

100

= +5 V, V

REF

= 1.23 V， AGND = DGND = 0V）

在T限制

民

, T

最大

（ S，T版本）

120

100

单位

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

条件/评论

建立时间

忙

传播延迟

数据访问时间后，

脉冲宽度

保持时间

数据访问时间后，

忙

数据保持时间

忙

延迟

在T限制

民

, T

最大

（ J，K ， A，B版本）

笔记

在+ 25°C时序规范样本测试，以确保合规性。所有输入的控制信号均指定tR = tF = 20ns的规定（10％至90％的5 V）的

并定时从1.6 V的电压电平

和T

测量与图1的负载电路并且被定义为所需的输出时间跨越0.8V或2.4V。

被定义为当加载的图2的电路来改变0.5伏所需的数据线的时间。

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

测试电路

+5V

DBN

DGND

100pF

DBN

100pF

DGND

DBN

DGND

10pF

DGND

一。高Z到V

B高Z到V

A. V

到高阻

B 。 V

到高阻

图1.负载电路进行数据访问时间测试

图2.负载电路的数据保持时间测试

绝对最大额定值*

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V， + 7V

到DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V， + 7V

AGND至DGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

数字输入电压至DGND 。。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

数字输出电压DGND 。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

CLK输入电压至DGND 。。。。。。。。。 0.3 V ，V

+ 0.3 V

REF

到AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

AIN至AGND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 0.3 V ，V

工作温度范围

商业（ J，K版本）。。。。。。。。。。。。。。 0 ° C至+ 70°C

工业（ A，B版本）。。。。。。。。。。。。。 -25 ° C至+ 85°C

扩展（ S，T版本）。。。。。。。。。。。。。 -55 ° C至+ 125°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

引线温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。。。 + 300℃

功率耗散（任何套餐）到+ 75°C 。。。。。。。 450毫瓦

减额高于+ 75 ℃下。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6毫瓦/°C的

*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

小心

ESD （静电放电）敏感器件。静电荷高达4000 V容易

积聚在人体和测试设备，可排出而不被发现。

虽然AD7575具有专用ESD保护电路，可能永久的损坏

发生在受到高能静电放电设备。因此，适当的ESD

预防措施建议，以避免性能下降或功能丧失。

警告！

ESD敏感器件

版本B

–3–

AD7575

销刀豆网络gurations

DIP / SOIC

LCCC

REF

PLCC

REF

艾因

AGND

DB0 （ LSB ）

DB1

DB2

忙

CLK

REF

艾因

20 19

AD7575

AGND

忙

CLK

DB7 （MSB）

DB6

DB5

艾因

忙

CLK

DB7 （MSB）

DB6

销1

识别码

AD7575

顶视图

（不按比例）

AGND

DB0 （ LSB ）

DB1

DB2

顶视图

DB0 （ LSB ）

（不按比例）

DB1

DB7 （MSB）

DB6

DB5

DGND

DB2

DB3

DB4

AD7575

顶视图

（不按比例）

10 11 12 13

DB4

DGND

DB3

DB4

DB5

NC =无连接

订购指南

模型

温度

范围

0 ° C至+ 70°C

-25 ° C至+ 85°C

-55 ° C至+ 125°C

相对的

准确性

（ LSB ）

1 MAX

1/2最大

1 MAX

1/2最大

1 MAX

1/2最大

1 MAX

1/2最大

1 MAX

1/2最大

术语

至少显著位（LSB）

包

选项

R-18

N-18

P-20A

Q-18

E-20A

具有8位分辨率的ADC可以解决1部分在2-

（即

256 ）的满量程。对于具有2.46 V满量程的一个AD7575

LSB为9.61毫伏。

总非调整误差

AD7575JR

AD7575JN

AD7575KN

AD7575JP

AD7575KP

AD7575AQ

AD7575BQ

AD7575SQ

AD7575TQ

AD7575SE

AD7575TE

这是一个全面的规范，其中包括全尺寸

误差，相对精度和偏移误差。

相对精度

相对精度是ADC的实际代码的偏差

从一个直线的设备之间绘制的转变点

测量的第一LSB的转变点和测得的满量程

过渡点。

SNR

笔记

如需订购MIL -STD - 883 ， B类零件的过程中，添加/ 883B部件号。

请联系当地的销售办事处为军事数据表。对于美国军用标准

图纸（ SMD ），见DESC图纸＃ 5962-87762 。

E =无引线陶瓷芯片载体; N =塑料DIP ; P =塑料有引线芯片

载体; Q = CERDIP ， R = SOIC 。

信号 - 噪声比（信噪比）是所需信号的比值

的采样和数字化的模拟信号中产生的噪声。

信噪比是依赖于所用的量化电平数

在数字化过程;的多个级别的，较小的quantiza-

化噪音。对正弦波输入的理论信噪比由下式给出

SNR

= (6.02

+ 1.76)

哪里

是在ADC的比特数。

满量程误差（增益误差）

单极性ADC的增益被定义为之间的差

所需要的模拟输入电平，以产生所述第一和最后

数字输出编码转换。增益误差的量度

偏离实际跨度从FS的理想跨度 - 2位。

模拟输入范围

随着V

REF

= 1.23伏，最大模拟输入电压范围

为0 V至2.46 V.为LSB的输出数据相关的

模拟输入电压由以下的整数值

表达式：

数据（最低有效位） =

0.5

REF

压摆率

256

艾因

压摆率是输入的变化最大允许速度

信号，使得所述数字样值不在错误。摆

速率的限制可能会限制用于模拟信号带宽

从允许的带宽低于满量程模拟信号

采样定理的考虑。

–4–

版本B

DGND

DB3

AD7575

忙

CONV

数据

高阻抗

公共汽车

旧数据

新

数据

高阻抗

公共汽车

图3.缓慢的内存接口时序图

时序和控制AD7575的

这两个逻辑输入的AD7575 ，

和

RD，

同时控制

转换的开始和数据从部分的读数。

A转换是通过将这两控制输入启动

低。两种接口选项，然后存在读取输出

从AD7575的数据。这些都是慢速存储器接口

和ROM接口，其操作如下所示。它应该

应当注意， AD7575的TP端子必须是硬线连接的

高，以确保该部分的正确操作。该引脚用于

在测试设备和不应该被用作穿通销

在双面印刷电路板。

慢速内存接口

此接口的主要优点是，它允许微

处理器开始转换，等待，然后读取数据

一个READ指令。的快速转换时间

AD7575确保微处理器不是放置在一个

WAIT状态的时间过多。

更快版本多处理器，包括8085A -2，试

就绪输入的开始后的状态非常快

一个指令周期。因此，

忙

在AD7575莫属

在低周期的READY输入很早就是effec-

略去迫使处理器进入等待状态。当使用

8085A -2中，处理器S0状态信号提供最早

可能意味着一个读操作将要发生。

因此， S 0 （这是低的读周期）提供了

READ信号到AD7575 。对于连接图

AD7575为8085A - 2低速内存界面如图

图4中。

ROM接口

第一个界面选项用于与microproces-使用

可被迫进入等待状态至少5感器

微处理器（如8085A ）启动转换和

被暂停，直至转换的结果从CON组读

变频器。转换是通过执行一个存储器读来启动

在AD7575的地址，使

和

低。

忙

之后，又

吸收的敷料变低（强制微处理器READY输入

低），将处理器进入等待状态。输入

信号，它已被跟踪的模拟输入端，被保持在

输入时钟之后的第三时钟下降沿

和

已经低电平（见图12）。的AD7575然后执行

转换在此获得的输入信号值。当CON组

版本完成（ BUSY变为高电平），该处理器的COM

pletes存储器READ ，并且获取新转换的

数据。此接口的时序图如图3所示。

对AD7575的替代接口选项可避免摆放

微处理器进入一个等待状态。在这个界面中，一个反面

版本开始第一READ指令，而仲

OND READ指令访问数据，并开始第二

转换。此接口的时序图中示出

图5是可能的，以避免在开始对另一转换

第二读（见下文）。

转换是通过执行读指令的存储器启动

重刑对AD7575的地址，造成

和

变低。

数据也被从AD7575该指令执行期间获得的。

这是旧数据，如果不需要，可以忽略不计。

忙

变低，表明转换正在进行中，并重新

原来高时转换完成。再次，该

输入信号被保持在输入时钟的第三个下降沿

后

和

已经低。

该

忙

线可以被用于产生一个中断给所述

微处理器或监视，以指示转换

完整的。然后处理器读出新的转换数据。

另外，在转换启动之间的延迟（第一次读

指令）和数据读取（第二次读指令）

必须至少一样大的AD7575的转换时间。为

在AD7575在ROM接口模式正常运行，

和

之前不应该去LOW

忙

返回高电平。

通常情况下，第二次读取指令开始另一个转换

锡永以及访问所述输出数据。但是，如果

和

在一个外部时钟周期降为卑

忙

变为高电平，第二转换不会发生。

A8–A15

地址总线

+5V

8085A–2

地址

解码

AD7575*

忙

DB0–DB7

ALE

地址

LATCH

AD0–AD7

准备

数据总线

*线性电路省略清晰

SO = 0读周期

图4. AD7575为8085A - 2慢速存储器接口

版本B

–5–