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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第726页 > AP05N50P
AP05N50P
符合RoHS标准的产品
先进的电源
电子股份有限公司
▼
100％的雪崩测试
▼
快速开关特性
▼
简单的驱动要求
G
N沟道增强模式
功率MOSFET
D
BV
DSS
R
DS （ ON）
I
D
500V
1.4Ω
5.0A
S
描述
该AP05N50提供高阻断电压，以克服电压浪涌
和凹陷在最艰难的电力系统的快速的最佳组合
开关，加固设计和成本效益。
该TO- 220和包
广泛
首选商业，工业
应用程序。良好的散热性能和低包
的成本
TO- 220促进其广泛的行业应用。
G
D
S
TO-220(P)
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
GS
I
D
@T
C
=25℃
I
D
@T
C
=100℃
I
DM
P
D
@T
C
=25℃
E
AS
I
AR
T
英镑
T
J
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
1
等级
500
±20
5.0
2.8
18
73.5
0.59
2
单位
V
V
A
A
A
W
W/℃
mJ
A
℃
℃
总功耗
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
存储温度范围
工作结温范围
45
3
-55到150
-55到150
热数据
符号
Rthj -C
Rthj -A
参数
最大
热阻，结案件
最大
热阻，结到环境
价值
1.7
62
单位
℃/W
℃/W
201022072-1/4
数据&规格如有变更，恕不另行通知
AP05N50P
电气特性@ T
j
= 25 ℃（除非另有规定）
符号
BV
DSS
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
参数
漏源击穿电压
静态漏源导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极 - 源极漏电流（T
j
=25
o
C)
漏极 - 源极漏电流（T
j
=125
o
C)
o
测试条件
V
GS
= 0V时，我
D
=1mA
V
GS
= 10V ，我
D
=2.7A
V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA
V
DS
= 10V ，我
D
=2.7A
V
DS
=500V, V
GS
=0V
V
DS
=400V
,
V
GS
=0V
V
GS
=±20V
I
D
=3.1A
V
DS
=400V
V
GS
=10V
V
DD
=250V
I
D
=3.1A
R
G
=12Ω,V
GS
=10V
R
D
=80.6Ω
V
GS
=0V
V
DS
=25V
f=1.0MHz
f=1.0MHz
分钟。
500
-
2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
2.4
-
-
-
19
4.6
6.3
11
8
32
10
985
85
3.3
2.5
MAX 。单位
-
1.4
4
-
25
250
±100
30
-
-
-
-
-
-
1580
-
-
3.8
V
Ω
V
S
uA
uA
nA
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
pF
pF
pF
栅源漏
总栅极电荷
3
栅极 - 源电荷
栅 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
3
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
参数
正向电压上
3
3
测试条件
T
j
=25℃, I
S
= 4.5A ，V
GS
=0V
I
S
=3.1A,
V
GS
=0
V
,
dI/dt=100A/s
分钟。
-
-
-
典型值。
-
300
2.6
MAX 。单位
1.5
-
-
V
ns
uC
t
rr
Q
rr
注意事项：
反向恢复时间
反向恢复电荷
1.Pulse宽度有限的最大。结温。
o
2.Starting牛逼
j
= 25℃ ，V
DD
= 50V ，L = 10MH ，R
G
=25Ω , I
AS
=3A.
3.Pulse测试
本产品对静电敏感的，请小心处理。
本产品已合格的消费市场。应用或使用AS严格标准组件生命支持
设备或系统都没有授权。
2/4
AP05N50P
5
5
T
C
=25 C
4
o
I
D
，漏电流（ A）
3
I
D
，漏电流（ A）
10V
7.0V
6.0V
T
C
=150
o
C
4
10V
7 .0V
6 .0V
5 .0 V
3
5.0V
2
2
V
G
= 4.0V
1
1
V
G
=4.0V
0
0
2
4
6
8
0
0
4
8
12
16
20
24
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
1.2
3
I
D
=2.7A
V
G
=10V
归BV
DSS
(V)
1.1
归一化
DS （ ON）
2
1
1
0.9
0.8
-50
0
50
100
150
0
-50
0
50
100
150
T
j
，结温（ C）
o
T
j
，结温（ C）
o
图3.归BV
DSS
V.S.连接点
温度
10
1.5
图4.归一导通电阻
V.S.结温
T
j
= 150
o
C
T
j
= 25
o
C
归V
GS （ TH）
(V)
1
I
S
(A)
1
0.5
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0
-50
0
50
100
150
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
T
j
，结温（
o
C)
图5.正向特性
反向二极管
图6.栅极阈值电压V.S.
结温
3/4
AP05N50P
f=1.0MHz
16
10000
I
D
=3.1A
V
GS
，门源电压（ V）
V
DS
=260V
V
DS
=320V
V
DS
=400V
C（ pF）的
100
12
C
国际空间站
8
C
OSS
4
C
RSS
0
0
10
20
30
1
1
5
9
13
17
21
25
29
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图7.栅极电荷特性
图8.典型的电容特性
100
1
归热响应（R
thJC
)
占空比系数= 0.5
10
0.2
I
D
(A)
100us
0.1
0.1
0.05
1
1ms
T
c
=25 C
单脉冲
o
P
DM
t
0.02
0.01
T
占空比系数= T / T
PEAK牛逼
j
= P
DM
个R
thJC
+ T
C
0.1
1
10
100
10ms
100m
1s
DC
1000
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
T，脉冲宽度（S ）
图9.最高安全工作区
图10.有效的瞬态热阻抗
V
DS
90%
V
G
Q
G
10V
Q
GS
Q
GD
10%
V
GS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
收费
Q
图11.开关时间波形
图12.栅极电荷波形
4/4
先进的电力电子股份有限公司。
包装外形： TO- 220
E1
E
φ
L2
A
符号
MILLIMETERS
民
喃
最大
L1
A
4.25
0.65
1.15
0.40
1.00
9.70
---
----
12.70
2.60
1.00
2.6
14.70
6.30
3.50
8.40
4.48
0.80
1.38
0.50
1.20
10.00
---
2.54
13.60
2.80
1.40
3.10
15.50
6.50
3.60
8.90
4.70
0.90
1.60
0.60
1.40
10.40
11.50
----
14.50
3.00
1.80
3.6
16
6.70
3.70
9.40
L5
c1
b
b1
c
c1
E
E1
D
L4
e
L
L1
L2
L3
L4
L5
L3
b1
L
φ
D
b
c
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.Dimension不包括模型突起。
e
最热资讯&包装： TO- 220
产品型号
封装代码
05N50P
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YWWSSS
日期代码（ YWWSSS ）
Y：最后一位的年
WW ：周
SSS ：序
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AM29LV800BB-90DWC2
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ASMC-PHB9-TX3H5
AD5203ARU100
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