Burr Brown的产品
德州仪器（TI）
ADS8481
SLAS385A - 2006年2月 - 修订2006年3月
18位， 1 MSPS的，伪差分单极性输入，微功耗采样
并行接口和参考模拟数字转换器
特点
0到1 MSPS采样速率
18位NMC有保证的过热
低± 0.1 mV的失调误差
低0.2 PPM / ° C的失调误差温度
漂移
低0.6 PPM / °C增益误差温度漂移
零延迟
低功耗： 220 mW的1 MSPS
单极单端输入范围：0 V至
V
REF
板载参考
板载基准缓冲器
高速并行接口
宽数字电源2.7 V 5.25 V
8位/ 16位/ 18位总线传输
为7x7 QFN封装
应用
医疗器械
光网络
传感器接口
高精度数据采集系统
磁力
描述
该ADS8481是18位， 1 MSPS A / D转换器
有内部4.096 V参考和
伪差分单极单端输入。该
设备包括一个18位基于电容的SAR A / D
转换器固有的采样和保持。该
ADS8481提供了一个完整的18位接口，一个16位的选项
其中数据是使用两个读周期，或8位读
采用三读周期总线选项。
该ADS8481可在一个7×7 QFN封装
并且其特征在于在工业-40 ℃至
85 ° C的温度范围内。
高速SAR转换器系列
类型/速度
18位伪的Diff
18位伪双极全的Diff
16位伪的Diff
16位伪双极全的Diff
14位伪的Diff
12位伪的Diff
ADS7886
500千赫
ADS8383
580千赫
ADS8381
ADS8380(S)
ADS8382(S)
ADS8371
ADS8482
ADS8471
ADS8472
ADS8401
ADS8405
ADS8402
ADS8406
ADS7890 （S）
ADS7883
ADS7891
ADS7881
ADS8412
ADS8411
750千赫
1兆赫
ADS8481
1.25兆赫
2兆赫
3兆赫
4MHz
特区
+ IN
In
REFIN
4.096-V
国内
参考
+
_
华助会
比较
产量
锁存器
和
3-State
DRIVERS
字节
16-/8-Bit
并行数据
输出总线
BUS 18/16
CONVST
忙
CS
RD
REFOUT
时钟
转变
和
控制逻辑
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并在得克萨斯州的关键应用程序使用
仪器的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
版权所有 2006年，德州仪器
ADS8481
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SLAS385A - 2006年2月 - 修订2006年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
订购信息
(1)
模型
最大
积分
线性
（ LSB ）
最大
迪FF erential
线性度（ LSB ）
没有失踪
代码
决议
（位）
包
TYPE
包
代号
Temper-
ATURE
范围
订购
信息
ADS8482IRGZT
ADS8481I
±5
-1至+2.5
18
7x7的48脚
QFN
罗格列酮
-40 ° C至
85°C
ADS8481IRGZR
ADS8481IBRGZT
ADS8481IB
±3.5
-1至+1.5
18
7x7的48脚
QFN
罗格列酮
-40 ° C至
85°C
ADS8481IBRGZR
反
PORT
媒体
数量。
磁带和
卷250
磁带和
卷轴千
磁带和
卷250
磁带和
卷轴千
(1)
对于最近的规格和包装的信息，请访问我们的网站：
www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内（除非另有说明）
价值
+ IN至AGND
-IN至AGND
电压
+ VA至AGND
+ VBD到BDGND
+ VA至+ VBD
数字输入电压BDGND
数字输出电压BDGND
T
A
T
英镑
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
结温（T
J
MAX ）
QFN封装
焊接温度，焊接
(1)
功耗
θ
JA
热阻抗
气相（60秒）
红外（ 15秒）
-0.4 + VA + 0.1
-0.4 0.5
-0.3 7
-0.3 7
-0.3 2.55
-0.3 + VBD + 0.3
-0.3 + VBD + 0.3
-40到85
-65到150
150
(T
J
马克斯 - T的
A
)/θ
JA
22
215
220
° C / W
°C
°C
单位
V
V
V
V
V
V
V
°C
°C
°C
强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值
只和功能在这些或任何其他条件超出下所指示的设备的操作
推荐工作
条件
是不是暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
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特定网络阳离子
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 3 V或5 V ，V
REF
= 4.096 V，F
样品
= 1 MSPS的（除非另有说明）
参数
模拟量输入
满量程输入电压
(1)
绝对输入电压
输入电容
输入漏电流
系统性能
决议
无失码
积分线性度
(2) (3)
差分线性
偏移误差
(4)
失调误差温度漂移
增益误差
(4) (5)
增益误差温度漂移
噪音
电源抑制比
采样动态
转换时间
采集时间
吞吐率
孔径延迟
孔径抖动
阶跃响应
过压恢复
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
理想的输入范围，不包括增益或失调误差。
LSB表示至少显著位
这是端点INL ，不是最合适的。
测得的相对理想的满量程输入 - 的4.096 V [ + IN（ -IN ）
本规范不包括内部基准电压误差和漂移。
4
5
150
150
250
1
650
710
ns
ns
兆赫
ns
ps
ns
ns
在3FFFFH输出代码
ADS8481I
ADS8481IB
V
REF
= 4.096 V
V
REF
= 4.096 V
–0.075
–0.075
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
18
18
18
–5 –1.5/+1.9
–3.5 –1.5/+1.9
–1 –0.5/+0.7
–1 –0.5/+0.7
–0.5
–0.5
±0.1
±0.1
±0.2
±0.05
±0.05
±0.6
30
60
0.075
0.075
5
3.5
2.5
1.5
0.5
0.5
18
位
位
最低位
（ 18位）
最低位
（ 18位）
mV
PPM /°C的
％ FS
％ FS
PPM /°C的
V
RMS
dB
+在 - （ -In ）
+ IN
In
0
–0.2
–0.2
65
1
V
REF
V
REF
+0.2
0.2
V
V
pF
nA
测试条件
民
典型值
最大
单位
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3
ADS8481
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SLAS385A - 2006年2月 - 修订2006年3月
规格（续）
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 3 V或5 V ，V
REF
= 4.096 V，F
样品
= 1 MSPS的（除非另有说明）
参数
动态特性
ADS8481I
ADS8481IB
总谐波失真（ THD ）
(1)
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
信噪比（SNR）的
(1)
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
信号与噪声+失真比（SINAD ）
(1)
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
无杂散动态范围（ SFDR ）
(1)
ADS8481I
ADS8481IB
ADS8481I
ADS8481IB
-3dB小信号带宽
参考电压输入
参考电压REFIN ， Vref的
参考阻力
(2)
参考电流消耗
(1)
(2)
f
s
= 1兆赫
3.0
4.096
500
1
4.2
V
k
mA
V
IN
= 4 V
pp
在1 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在10 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在100千赫
V
IN
= 4 V
pp
在1 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在10 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在100千赫
V
IN
= 4 V
pp
在1 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在10 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在100千赫
V
IN
= 4 V
pp
在1 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在10 kHz
V
IN
= 4 V
pp
在100千赫
–110
–112
–106
–108
–98
–99
92
94
91
93
90
92
91
93
90
92
89
91
110
112
108
107
98
98
15
兆赫
dB
dB
dB
dB
测试条件
民
典型值
最大
单位
计算在所述第一9次谐波的输入频率。
可以相差± 20 ％
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SLAS385A - 2006年2月 - 修订2006年3月
规格（续）
T
A
= -40 ° C至85°C ， + VA = 5 V ， + VBD = 3 V或5 V ，V
REF
= 4.096 V，F
样品
= 1 MSPS的（除非另有说明）
参数
内部基准电压
内部基准电压源启动时间
参考电压范围，V
REF
源出电流
线路调整
漂移
数字输入/输出
逻辑系列 - CMOS
V
IH
逻辑电平
V
IL
V
OH
V
OL
数据格式 - 直二进制
电源要求
电源
电压
电源电流
(1)
动力
耗散
(1)
温度范围
工作自由空气
(1)
–40
85
°C
+ VBD
+ VA
f
s
= 1兆赫
f
s
= 1兆赫
2.7
4.75
3.3
5
44
220
5.25
5.25
48
240
V
V
mA
mW
I
IH
= 5
A
I
IL
= 5
A
I
OH
= 2 TTL负载
I
OL
= 2 TTL负载
+VBD–1
–0.3
+V
BD
– 0.6
0.4
+V
BD
+0.3
0.8
V
从95％ （ + VA） ，用1μF存储电容器
I
O
= 0 A
静载荷
+ VA = 4.75 V至5.25 V
I
O
= 0 A
60
±6
4.081
4.096
120
4.111
10
ms
V
A
V
PPM /℃
测试条件
民
典型值
最大
单位
这仅包括+ VA电流。 + VBD电流是典型的1毫安对所有输出引脚5 pF负载电容。
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