【AOT20N60/AOTF20N60600V ， 20A N沟道MOSFET概述该AOT20N60 】,IC型号AOTF20N60,AOTF20N60 PDF资料,AOTF20N60经销商,ic,电子元器件-51电子网

AOT20N60/AOTF20N60

600V ， 20A N沟道MOSFET

概述

该AOT20N60 & AOTF20N60已制作

采用先进的高电压MOSFET的过程，是

旨在提供高水平的性能和

鲁棒性流行AC- DC applications.By提供

低R

DS （ ON）

, C

国际空间站

和C

RSS

同时保证雪崩

这些功能部件可以快速通过进入新的

和现有的离线电源设计。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

700V@150℃

20A

< 0.37Ω

100 ％ UIS测试

100% R

经过测试

对于无卤添加"L"后缀号码：

AOT20N60L&AOTF20N60L

顶视图

TO-220

TO-220F

AOTF20N60

AOT20N60

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

AOT20N60

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

雪崩电流

AOTF20N60

600

±30

20*

12*

6.5

630

1260

单位

V / ns的

=25°

=100°

dv / dt的

, T

英镑

符号

θJA

θCS

AOT20N60

0.5

0.3

417

3.3

重复性雪崩能量

单plused雪崩能量

峰值二极管恢复的dv / dt

=25°

功耗

减免上述25

结温和存储温度范围

最大无铅焊接温度的

目的， 8"分之1从案例5秒

热特性

参数

最大结点到环境

A，D

0.4

-55到150

300

AOTF20N60

2.5

单位

C / W

最大外壳到散热器

最大结到外壳

θJC

*漏电流受最高结温。

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第1页6

AOT20N60/AOTF20N60

电气特性（T

= 25℃除非另有说明）

符号

静态参数

DSS

/ ΔTJ

DSS

GSS

GS （ TH）

DS （ ON）

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

静态漏源导通电阻

正向跨导

二极管的正向电压

最大体二极管脉冲电流

2448

=0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

=0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

190

0.7

=10V, V

= 480V ，我

=20A

=10V, V

= 300V ，我

=20A,

=25

=20A,dI/dt=100A/s,V

=100V

384

3061

273

22.8

1.4

125

128

480

10.5

580

= 250μA ，V

= 0V ，T

=25°

= 250μA ，V

= 0V ，T

=150°

ID = 250μA ， VGS = 0V

=600V, V

=0V

= 480V ，T

=125°

=0V, V

=±30V

= 5V ，我

=250A

= 10V ，我

=10A

= 40V ，我

=10A

=1A,V

=0V

3.2

3.8

0.29

0.69

3680

360

2.1

600

700

0.8

±100

4.5

0.37

nΑ

参数

条件

民

典型值

最大

单位

最大体二极管连续电流

动力参数

输入电容

国际空间站

OSS

RSS

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

切换参数

总栅极电荷

D（上）

D（关闭）

门源电荷

闸漏极电荷

开启DelayTime

开启上升时间

关断DelayTime

关断下降时间

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷我

=20A,dI/dt=100A/s,V

=100V

的R A的值

θJA

测量与设备在静止空气环境和T

=25°C.

B.功耗P

是以T

J（下最大）

= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用

散热限制的情况下额外的散热使用。

C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

J（下最大）

= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始

=25°C.

D.第r

θJA

是热阻抗的结到外壳R上的总和

θJC

和外壳到环境。

在图E的静态特性16使用<300获得

脉冲占空比0.5 ％以下。

F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个

的T最大结温

J（下最大）

= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。

G. L = 60mH ，我

= 6.5A ，V

= 150V ，R

= 25Ω ，起始物为

=25°C

本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任

OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，

性能和可靠性，恕不另行通知。

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第2 6

AOT20N60/AOTF20N60

典型的电气和热特性

10V

6.5V

(A)

125°C

=5.5V

25°C

100

=40V

-55°C

（伏）

图1 ：在区域特征

0.6

归一化的导通电阻

0.5

DS （ ON）

()

0.4

0.3

0.2

0.1

（伏）

图2 ：传输特性

2.5

1.5

0.5

-100

-50

100

150

200

=10V

=10A

=10V

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和门

电压

1.2

1.0E+02

1.0E+01

DSS

（归一化）

1.1

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结温

1.0E+00

(A)

1.0E-01

1.0E-02

0.9

1.0E-03

0.8

-100

-50

100

150

200

(°C)

图5 ：分解与结北部沿海地区

1.0E-04

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

（伏）

图6 ：体二极管的特性（注五）

125°C

25°C

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第3页6

AOT20N60/AOTF20N60

典型的电气和热特性

=480V

=20A

电容（pF）

1000

OSS

10000

国际空间站

（伏）

100

RSS

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

100

0.1

（伏）

图8 ：电容特性

100

（安培）

DS （ ON）

有限

10s

100s

1ms

（安培）

DS （ ON）

有限

10s

100s

10ms

1ms

10ms

0.1s

0.1

J（下最大）

=150°C

=25°C

0.01

100

1000

（伏）

图9 ：最大正向偏置安全

对于AOT20N60 （注F）工作区

0.01

J（下最大）

=150°C

=25°C

100

1000

（伏）

图10 ：最大正向偏置安全

对于AOTF20N60 （注F）工作区

额定电流我

(A)

100

125

150

例

(°C)

图11 ：电流降评级（注二）

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第4 6

AOT20N60/AOTF20N60

典型的电气和热特性

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJC

=0.3°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.000001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度（S ）

图12： AOT20N60归最大瞬态热阻抗（注F）

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJC

=2.5°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

0.01

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度（S ）

图13 ：为AOTF20N60归最大瞬态热阻抗（注F）

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