【a3 V / 5 V ， 1毫瓦2- / 3通道16位Σ-Δ型ADCAD7705/AD7706*功能】,IC型号AD7706,AD7706 PDF资料,AD7706经销商,ic,电子元器件-51电子网

3 V / 5 V ， 1毫瓦

2- / 3通道16位Σ-Δ型ADC

AD7705/AD7706

功能框图

REF IN （ - ）

REF IN （ + ）

特点

AD7705 ：两个全差分输入通道ADC

AD7706 ： 3个伪差分输入通道的ADC

16位无失码

0.003 ％非线性

可编程增益前端

增益范围：1至128

三线串行接口

SPI ， QSPI ， MICROWIRE 和DSP兼容

在SCLK施密特触发器输入

能够缓冲模拟输入

2.7 V至3.3 V或4.75 V至5.25 V操作

耗散功率1毫瓦最大@ 3 V

待机电流8 A最大

16引脚DIP ， 16引脚SOIC和TSSOP封装

概述

AD7705/AD7706

收费

平衡

A / D转换器

类似物

输入

频道

最大

卜FF器

PGA

A = 1 128

数字滤波器

调制器

串行接口

注册银行

MCLK IN

MCLK OUT

时钟

GENERATION

SCLK

DIN

DOUT

在AD7705 / AD7706是低完整的模拟前端

频率测量应用。这些两相/三通道

设备可直接接受来自反式低电平输入信号

能器，并产生一个串行数字输出。他们采用Σ-

Δ转换技术，实现无遗漏达16位

码性能。选定的输入信号被施加到一个

专有可编程增益前端围绕一个模拟

登录调制器。该调制器的输出由一个片处理

片内数字滤波器。此数字滤波器的第一个陷波可

通过片内控制寄存器允许调整编

的滤波器截止和输出更新速率。

在AD7705 / AD7706采用2.7 V至3.3 V或

4.75 V至5.25 V电源。在AD7705具有两个全differ-

无穷区间的模拟输入通道，而AD7706具有三个

伪差分输入通道。两款器件均具有differ-

无穷区间的参考输入。 0 mV至20 mV输入信号范围

通过0 V至+ 2.5V可两个设备上时，被合并

一起一伏操作

为5V和2.5V。参考它们可以

也处理双极性输入信号范围

±20

通过毫伏

±2.5

这是参照AIN（ - ）上的AD7705 ，并输入

对AD7706的共同投入。在AD7705 / AD7706 ，

采用3 V电源和1.225 V基准电压，可以处理单极

0 mV至10 mV的通过0 V至1.225 V.输入信号范围

它的双极性输入信号范围

10毫伏通过

1.225 V.

在AD7705 / AD7706从而执行所有信号调节和

转换为两个或三通道系统。

在AD7705 / AD7706非常适合于微控制器的智能应用

或DSP为基础的系统。它们的特点是一个串行接口，可

配置用于三线操作。增益设置，信号

极性和更新速率的选择可以用软件配置

*受保护

由美国专利号为5134401 。

SPI和QSPI是Motorola，Inc.的商标。

MICROWIRE是美国国家半导体公司的商标。

GND

DRDY

RESET

使用所输入的串行端口。该器件包含自校准和

系统校准选项，以消除增益和失调误差

零件本身或在系统中。

CMOS结构可确保极低的功耗，以及

掉电模式下，待机功耗

（典型值）。这些器件提供16引脚， 0.3英寸宽，

塑料双列直插式封装（ DIP ）， 16引脚宽体（ 0.3

英寸）小外形（ SOIC ）封装，也低调16

引脚TSSOP封装。

产品亮点

REV 。一

信息ADI公司提供的被认为是准确和

可靠的。但是，没有责任承担由Analog Devices其

使用，也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯

这可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或

否则，在ADI公司的任何专利或专利权。

1. AD7705 / AD7706的功耗低于1 mW的3 V

用品和1 MHz的主时钟，因此非常适合用在

低功率的系统。待机电流小于8

2.可编程增益输入允许AD7705 / AD7706

直接接受来自应变计或反式的输入信号

能器，除去了相当数量的信号调节的。

3. AD7705 / AD7706是理想的微控制器或DSP

应用处理器与三线式串行接口重新

ducing的互连线的数量和减少了

在孤立的系统所需的光电耦合器号。

4.该器件具有优异的静态性能指标

有16位，无失码，

0.003 ％的精度和低

均方根噪声（ <600内华达州）。端点误差和的影响

温度漂移是由片内校准OP-淘汰

系统蒸发散，而除去零刻度和满刻度误差。

一个技术的方式， P.O. 9106箱，诺伍德，MA 02062-9106 ， U.S.A.

联系电话： 781 / 329-4700

万维网网站： http://www.analog.com

传真： 781 / 326-8703

ADI公司， 1998年

+3 V或5 V ，楼盘

V和

AD7705/AD7706–SPECIFICATIONS

指出。 =所有specificationsIN （ + ），以= T + 1.225 V与V = 3noted ） + 2.5 V

与V = 5 V ; REF IN （ - ） = GND ; MCLK IN = 2.4576兆赫，除非另有

除非另有

民

最大

参数

静态性能

无失码

输出噪声

积分非线性

单极性偏移误差

单极性偏移漂移

双极性零误差

双极性零点漂移

正满量程误差

满量程漂移

4, 6

增益误差

增益漂移

4, 8

双极负满量程误差

双极负满量程漂移

模拟输入/基准输入

输入共模抑制（ CMR ）

= 5 V

增益= 1

GAIN = 2

增益= 4

增益= 8v128

= 3 V

增益= 1

GAIN = 2

增益= 4

增益= 8v128

普通模式50 Hz抑制

普通模式60 Hz抑制

共模50 Hz抑制

共模60 Hz抑制

绝对/共模REF IN电压

绝对/共模电压AIN

2, 9

绝对/共模电压AIN

2, 9

AIN直流输入电流

AIN采样电容

AIN差分电压范围

AIN输入采样率，女

基准电压输入范围

REF IN （ + ） - REF IN （ - ）电压

REF IN输入采样速率，女

逻辑输入

输入电流

所有的输入，除了MCLK IN

MCLK

所有的输入，除了SCLK和MCLK IN

INL

，输入低电压

INH

，输入高电压

只有SCLK （施密特触发输入）

T+

T–

T+

– V

T–

只有SCLK （施密特触发输入）

T+

T–

T+

– V

T–

MCLK IN的

INL

，输入低电压

INH

，输入高电压

MCLK IN的

INL

，输入低电压

INH

，输入高电压

B版本

请参阅表I和III

0.003

见注3

0.5

见注3

0.5

0.1

见注3

0.5

见注3

0.5

0.003

0.6

单位

比特分

％ FSR最大的

μV/°C

典型值

μV/°C

典型值

μV/°C

典型值

μV/°C

典型值

PPM的FSR /°C的典型值

％ FSR （典型值）的

μV/°C

典型值

μV/°C

典型值

条件/评论

通过设计保证。滤波器陷波< 60赫兹

取决于滤波截止和增益选择

滤波器陷波< 60赫兹。通常

0.0003%

对于增益1 ， 2和4

对于收益8 ， 16 ， 32 ， 64和128

通常

0.001%

为14的增益

为8 128的收益

规格为AIN和REF IN ，除非另有说明

105

110

130

105

110

120

130

150

GND到V

GND - 30 mV的

+ 30毫伏

GND + 50 mV的

– 1.5 V

0 + V

REF

/ GAIN

REF

/ GAIN

收益

CLKIN

/64

CLKIN

1/1.75

1/3.5

CLKIN

/64

dB典型值

V MIN到V最大

V分钟

V最大

V分钟

V最大

nA的最大

pF的最大

喃

对于25赫兹的滤波器陷波， 50赫兹，

0.02

缺口

对于20赫兹的滤波器陷波， 60赫兹，

0.02

缺口

对于25赫兹的滤波器陷波， 50赫兹，

0.02

缺口

对于20赫兹的滤波器陷波， 60赫兹，

0.02

缺口

对设置寄存器BUF位= 0

对设置寄存器BUF位= 1

单极性输入范围（设置的B / U位= 1 ）

双极输入范围（设置的B / U位= 0 ）

为14的增益

为8 128的收益

= 2.7 V至3.3 V V

REF

= 1.225

对于指定的1 ％

性能

= 4.75 V至5.25 V V

REF

= 2.5

对于指定的1 ％

性能

V最小/最大

0.8

0.4

2.0

1.4/3

0.8/1.4

0.4/0.8

1/2.5

0.4/1.1

0.375/0.8

0.8

3.5

0.4

2.5

最大

V最大

V分钟

V MIN / V最大

通常

20 nA的

通常

= 5 V

= 3 V

= 3 V和5 V

= 5 V额定

= 3V额定

V MIN / V最大

= 5 V额定

V最大

V分钟

= 3V额定

V最大

V分钟

–2–

REV 。一

AD7705/AD7706

参数

逻辑输出（包括MCLK OUT ）

，输出低电压

，输出电压高

浮态泄漏电流

浮态输出电容

数据输出编码

系统校准

正满量程校准极限

负满量程校准极限

偏移校准限制

输入范围

电源要求

电压

电源电流

B版本

0.4

–0.6

二进制

偏移二进制码

(1.05

REF

） / GAIN

–(1.05

REF

） / GAIN

–(1.05

REF

） / GAIN

(0.8

REF

） / GAIN

(2.1

REF

） / GAIN

+2.7 +3.3至

单位

V最大

V分钟

最大

pF的典型值

条件/评论

SINK

= 800

除MCLK OUT 。

= 5 V.

SINK

= 100

除MCLK OUT 。

= 3 V.

来源

= 200

除MCLK OUT 。

= 5 V.

来源

= 100

除MCLK OUT 。

= 3 V.

单极性模式

双极性模式

V最大

V分钟

V最大

V MIN到V最大

GAIN为选定的PGA增益（ 1至128 ）

对于指定的性能

数字I / PS = 0 V或V

。外部MCLK IN和

CLK DIS = 1

BUF位= 0。 F

CLKIN

= 1兆赫。 1到128的收益

BUF位= 1 F

CLKIN

= 1兆赫。 1到128的收益

BUF位= 0。 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。的1至4个增益

BUF位= 0。 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。为8 128的收益

BUF位= 1 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。的1至4个增益

BUF位= 1 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。为8 128的收益

对于指定的性能

数字I / PS = 0 V或V

。外部MCLK IN和

CLK DIS = 1 。

BUF位= 0。 F

CLKIN

= 1兆赫。 1到128的收益

BUF位= 1 F

CLKIN

= 1兆赫。 1到128的收益

BUF位= 0。 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。的1至4个增益

BUF位= 0。 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。为8 128的收益

BUF位= 1 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。的1至4个增益

BUF位= 1 F

CLKIN

= 2.4576兆赫。为8 128的收益

外部MCLK IN = 0 V或V

. V

= 5 V见图9

外部MCLK IN = 0 V或V

. V

= 3 V

电压

电源电流

0.32

0.6

0.4

0.6

0.7

1.1

4.75至5.25

最大mA

V MIN到V最大

待机（电源关闭）电流

电源抑制

0.45

0.7

0.6

0.85

0.9

1.3

见注19

最大mA

最大

dB典型值

笔记

温度范围如下： B版本， -40 ° C至+ 85°C 。

这些数字是从定性或者设计产品初始发布成立。

校准是一个有效的转换，这些错误将转换噪声的表一和表三所示的顺序。这适用于校准后

温度的兴趣。

校准在任何温度下会删除这些漂移误差。

正满量程误差包括零刻度误差（单极性偏移误差或双极性零误差），并适用于单极性和双极性输入范围。

满量程漂移包括零刻度漂移（单极性偏移漂移或双极性零漂移），并适用于单极性和双极性输入范围。

增益误差不包括零刻度误差。它的计算公式为满量程误差为单极性单极性范围和满量程误差双极零误差，失调误差

双极性范围。

增益误差漂移不包括单极性失调漂移/双极性零点漂移。这实际上是一部分的漂移，如果零刻度校准只进行。

这种共模电压范围内是允许的，前提是关于模拟输入的输入电压不更积极比V

+ 30 mV或去比负

GND - 30毫伏。部件的功能与电压下降到GND - 200毫伏，但在高温下的漏电。

上AIN（+ ）的模拟输入电压范围这里给出关于对AIN的电压（ - ）上的AD7705并给出相对于对所述公共输入

AD7706 。在模拟输入端的电压绝对不应该去比V更积极

+ 30毫伏，或者去更负比GND - 30 mV的为特定性能，输入

GND的电压 - 200毫伏可以被容纳，但在高温下增加的泄漏。

REF

= REF IN （ + ） - REF IN （ - ）。

这些逻辑输出电平适用于输出，只有当它被装入一个CMOS负载的MCLK 。

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。

校准后，如果模拟输入超过正满量程时，转换器将输出全1 。如果模拟输入电压低于负满量程时，器件将输出全0 。

这些校准和量程限制适用于所提供的绝对电压模拟量输入不超过V

+ 30 mV或走得更负比GND - 30毫伏。偏移

校准限制既适用于单极零点和双极零点。

使用时在MCLK引脚的时钟源设备晶体或陶瓷谐振器时， V

电流和功耗会因晶体发生变化或

谐振器类型（见时钟和振荡器电路部分）。

如果外部主时钟继续在待机模式下运行，待机电流增加至150

一般在5 V和75

在3 V.当使用晶体或陶瓷

在MCLK引脚作为时钟源设备谐振器中，内部振荡器继续在待机模式下运行，而功耗取决于晶体

或谐振器类型（见待机模式部分）。

测量直流和适用于所选择的通带。 PSRR在50赫兹将超过120分贝25赫兹或50赫兹的滤波器陷波。 PSRR在60赫兹将超过120分贝过滤器

20 Hz或60 Hz的陷波。

RR取决于增益和V

收益

= 3 V

= 5 V

8–128

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

–3–

AD7705/AD7706

时序特性

1, 2

参数

CLKIN3 ， 4

CLKIN LO

CLKIN HI

读操作

5 5

9 6

写操作

在T限制

民

, T

最大

（B版）

400

2.5

0.4

CLKIN

0.4

CLKIN

500

CLKIN

100

120

100

120

100

= +2.7 V至5.25 V ; GND = 0 V ; F

CLKIN

= 2.4576兆赫;输入逻辑0 = 0 V ，逻辑1 = V

除非另有说明）。

单位

千赫分钟

兆赫最大

ns（最小值）

NS NOM

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

ns（最大值）

ns（最小值）

条件/评论

主时钟频率：晶体振荡器或外部提供

对于指定的性能

主时钟输入低电平时间。吨

CLKIN

= 1/f

CLKIN

主时钟输入高电平时间

DRDY

高时间

RESET

脉宽

DRDY

建立时间

下降沿到SCLK上升沿建立时间

SCLK下降沿到数据有效延迟

= +5 V

= +3.0 V

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

上升沿到SCLK上升沿保持时间

SCLK上升沿后的总线释放时间

= +5 V

= +3.0 V

SCLK下降沿到

DRDY

高

下降沿到SCLK上升沿建立时间

数据有效到SCLK上升沿建立时间

数据有效到SCLK上升沿保持时间

SCLK高脉冲宽度

SCLK低脉冲宽度

上升沿到SCLK上升沿保持时间

笔记

在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。所有输入信号均指定tR = tF = 5 ns的10％的规定（ 90 ％V的

），并定时从1.6 V的电压电平

参见图16和图17 。

CLKIN

占空比的范围是45 ％至55％。 F

CLKIN

必须提供每当AD7705 / AD7706不处于待机模式。如果没有时钟存在在这种情况下，该设备

可以得出比规定更高的电流，并可能成为未校准。

在AD7705 / AD7706的产品测试和f

CLKIN

在2.4576兆赫（ 1兆赫一些我

测试）。它是由特性保证在400 kHz的工作。

这些数字是测量图1所示的负载电路，并根据需要定义为跨越V中的输出时间

或V

极限。

这些数字是从所采取的数据输出来改变0.5V的所测量的时间推导的时装载有图1中的电路测量的数目是

然后外推回除去的充电或放电的50 pF电容的效果。这意味着，在时序特性所给出的时间是

真正的总线释放了一部分的时间，因此独立于外部总线负载电容。

DRDY

返回从器件的输出更新之后的第一次读取后高。同样的数据可以被再次读取，如果需要的话，同时

DRDY

高，虽然护理

应采取后续读取不发生接近下一个输出更新。

SINK

（ 800 A在V

= +5V

100 A在V

= +3V)

输出

针

50pF

+1.6V

来源

（ 200 A在V

= +5V

100 A在V

= +3V)

图1.负载电路的访问时间和总线释放时间

–4–

REV 。一

AD7705/AD7706

绝对最大额定值*

= + 25 ° C除非另有说明）

到GND 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 -0.3 V至+7 V

模拟输入电压至GND 。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

基准输入电压至GND 。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

数字输入电压至GND 。。。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

数字输出电压至GND 。。。。。。 0.3 V到V

+ 0.3 V

工作温度范围

商业（B版）。。。。。。。。。。。。。。 -40 ° C至+ 85°C

存储温度范围。。。。。。。。。。。。 -65∞C至+ 150∞C

结温。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 150°C

塑料DIP封装，功率耗散。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 105 ° C / W

焊接温度（焊接， 10秒）。。。。。。。。。。 + 260℃

SOIC封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 75 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

SSOP封装，功率耗散。。。。。。。。。。。。。。。 450毫瓦

热阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 139 ° C / W

焊接温度，焊接

气相（60秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 215℃

红外（ 15秒）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 + 220℃

ESD额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 >4000 V

*注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-

新界东北损坏设备。这是一个压力只有额定值。的功能操作

器件在这些或以上的任何其他条件，在操作说明

本规范的部分，是不是暗示。暴露在绝对最大额定值

长时间条件下可能影响器件的可靠性。

订购指南

模型

AD7705BN

AD7705BR

AD7705BRU

EVAL-AD7705EB

AD7706BN

AD7706BR

AD7706BRU

EVAL-AD7706EB

供应

2.7 V至5.25 V

温度

范围

-40 ° C至+ 85°C

评估板

-40 ° C至+ 85°C

评估板

包

描述

塑料DIP

SOIC

TSSOP

塑料DIP

SOIC

TSSOP

包

选项

N-16

R-16

RU-16

N-16

R-16

RU-16

REV 。一

–5–