AOT9N40
400V ， 8A N沟道MOSFET
概述
该AOT9N40采用了先进的高被制造
被设计为提供高电压MOSFET工艺
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性
applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
designs.These零件是理想的升压转换器和
同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
500V@150℃
8A
< 0.8Ω
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT9N40L
顶视图
TO-220
D
G
G
D
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOT9N40
400
±30
8
5
22
3.2
150
300
5
132
1
-55到150
300
AOT9N40
65
0.5
0.95
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W / C
°C
°C
单位
° C / W
° C / W
° C / W
o
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
o
功耗
减免上述25℃
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
A，D
最大结点到环境
最大外壳到散热器
最大结到外壳
A
冯0 ： 2010年12月
www.aosmd.com
第1页5
AOT9N40
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=400V, V
GS
=0V
V
DS
= 320V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
V
DS
= 40V ，我
D
=4A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.4
4
0.64
8
0.75
1
8
22
500
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
45
2
1.2
10
V
GS
=10V, V
DS
= 320V ，我
D
=8A
630
73
5.7
2.6
13.1
3.9
4.8
17
V
GS
=10V, V
DS
= 200V ，我
D
=8A,
R
G
=25
I
F
=8A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
150
1.5
52
25
30
195
1.9
240
2.3
760
100
9
4.0
16
400
500
0.4
1
10
±100
4.5
0.8
V
o
V / C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=8A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗ANCE ，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 3.2A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2010年12月
www.aosmd.com
页2的5
AOT9N40
典型的电气和热特性
15
V
DS
=320V
I
D
=8A
电容（pF）
10000
12
V
GS
（伏）
1000
C
国际空间站
9
100
C
OSS
10
C
RSS
6
3
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°C)
图9 ：电流降评级（注二）
I
D
（安培）
100
额定电流我
D
(A)
10
10s
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
1
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
10
100
1000
0.01
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全
对于AOT9N40 （注F）工作区
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.95°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
T
on
单脉冲
T
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11： AOT9N40归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2010年12月
www.aosmd.com
第4 5
AOT9N40
400V ， 8A N沟道MOSFET
概述
该AOT9N40使用，旨在提供高先进的高电压MOSFET工艺制造
在流行的AC- DC的性能和鲁棒性applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
沿
雪崩能力保证这部分可以迅速地采用到新的和现有的离线电源
designs.These零件是理想的升压转换器和同步整流器的消费，电信，工业
电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
500V@150℃
8A
< 0.8Ω
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOT9N40
400
±30
8
5
22
3.2
150
300
5
132
1
-55到150
300
AOT9N40
65
0.5
0.95
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W / C
°C
°C
单位
° C / W
° C / W
° C / W
o
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
o
功耗
减免上述25℃
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
A，D
最大结点到环境
最大外壳到散热器
最大结到外壳
A
1/5
www.freescale.net.cn
AOT9N40
400V ， 8A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=400V, V
GS
=0V
V
DS
= 320V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=4A
V
DS
= 40V ，我
D
=4A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.4
4
0.64
8
0.75
1
8
22
500
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
45
2
1.2
10
V
GS
=10V, V
DS
= 320V ，我
D
=8A
630
73
5.7
2.6
13.1
3.9
4.8
17
V
GS
=10V, V
DS
= 200V ，我
D
=8A,
R
G
=25
I
F
=8A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
150
1.5
52
25
30
195
1.9
240
2.3
760
100
9
4.0
16
400
500
0.4
1
10
±100
4.5
0.8
V
V / C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
o
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=8A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗ANCE ，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 3.2A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
2/5
www.freescale.net.cn
AOT9N40
400V ， 8A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=320V
I
D
=8A
电容（pF）
10000
12
V
GS
（伏）
1000
C
国际空间站
9
100
C
OSS
10
C
RSS
6
3
0
0
4
8
12
16
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°C)
图9 ：电流降评级（注二）
I
D
（安培）
100
额定电流我
D
(A)
10
10s
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
1
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
1
10
100
1000
0.01
V
DS
（伏）
图10 ：最大正向偏置安全
对于AOT9N40 （注F）工作区
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.95°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
T
on
单脉冲
T
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11： AOT9N40归最大瞬态热阻抗（注F）
4/5
www.freescale.net.cn
QQ：2880707522 复制
