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AOT2610L
60V N沟道MOSFET
概述
该AOT2610L采用沟道MOSFET技术,
拥有独特的优化,以提供最有效的高
高频开关性能。两者的传导和
开关功率损耗是由于最小化到一个
的R极低组合
DS ( ON)
,西塞和科斯。
该器件非常适合于升压转换器和同步
整流器消费,电信,工业电源
而LED背光源。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=4.5V)
60V
55A
< 10.7mΩ
< 13.5mΩ
100 % UIS测试
100% R
g
经过测试
顶视图
D
TO220
底部视图
D
S
G
D
S
G
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
55
39
140
9
7
36
65
75
37.5
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12
48
1.65
最大
15
60
2.0
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
冯0 : 2012年11月
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第1页6
AOT2610L
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS ,
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.4
140
8.7
15.7
10.7
85
0.72
1
55
2007
V
GS
=0V, V
DS
= 30V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
0.6
177
12.5
1.2
20.6
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ,我
D
=20A
8.5
5
2.2
8.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ,R
L
=1.5,
R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 500A / μs的
3.5
27
3
19
69.5
1.8
30
13
10.7
18.9
13.5
2
60
1
5
±100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计,和175℃的最高温度,可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比,以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
冯0 : 2012年11月
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第2 6
AOD2610
典型的电气和热特性
100
10V
80
4.5V
4V
80
100
V
DS
=5V
60
I
D
(A)
3.5V
I
D
(A)
40
60
40
125°C
20
V
GS
=3V
0
1
2
3
4
5
20
25°C
0
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
14
归一化的导通电阻
2.4
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
15
20
25
30
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压(注五)
5
10
0
25
50
75
100
125
150
175
200
温度( δ
C)
0
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
V
GS
=10V
I
D
=20A
12
R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=4.5V
10
8
V
GS
=10V
6
17
5
2
V
GS
=4.5V
10
I
D
=20A
24
I
D
=20A
1.0E+02
1.0E+01
20
125°C
R
DS ( ON)
(m)
I
S
(A)
16
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°C
125°C
40
12
8
25°C
4
2
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
4
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
冯0 : 2011年10月
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第3页6
AOD2610
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=20A
8
电容(pF)
2400
C
国际空间站
2000
1600
1200
800
400
C
RSS
0
0
10
15
20
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
5
25
0
0
30
40
50
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
10
20
60
C
OSS
V
GS
(伏)
6
4
2
1000.0
100.0
I
D
(安培)
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
(伏)
100
1000
10s
10s
功率(W)的
500
400
300
200
100
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
脉冲宽度(S )
18
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
R
DS ( ON)
有限
100s
1ms
10ms
DC
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
17
5
2
10
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.0°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
40
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
冯0 : 2011年10月
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第4 6
AOT2610L
典型的电气和热特性
1000
I
AR
(A )峰值雪崩电流
80
70
T
A
=25°C
100
T
A
=150°C
功耗( W)
T
A
=100°C
60
50
40
30
20
10
1
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
(注三)
0
0
25
75
100
125
150
T
C)
图13 :功率降容(注F)
50
175
10
T
A
=125°C
60
50
额定电流我
D
(A)
功率(W)的
40
30
20
10
10000
T
A
=25°C
1000
100
10
17
5
2
10
1
0
0
75
100
125
150
T
C)
图14 :电流降评级(注F)
25
50
175
1E-05
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
R
θJA
=60°C/W
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
冯0 : 2012年11月
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    AOT2610L
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