AOT11S60/AOB11S60/AOTF11S60
600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
TM
采用先进的AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60已制作
αMOS
高压
这是旨在提供在开关应用高水平的性能和鲁棒性的过程。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
45A
0.399
11nC
2.7J
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
AOT11S60/AOB11S60
符号
V
DS
漏源电压
600
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF11S60
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
178
1.4
11
8
±30
11*
8*
45
2
60
120
38
0.3
100
20
-55到150
300
AOT11S60/AOB11S60
65
0.5
0.7
AOTF11S60
65
--
3.25
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
R
θCS
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
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600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=25°
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=150°
C
I
S
=5.5A,V
GS
= 0V ，T
J
=25°
民
600
650
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
700
-
10
-
3.5
0.35
0.98
0.84
-
-
545
37.3
30.8
93.6
1.42
16.5
11
2.8
3.8
20
20
59
20
250
21
3.3
最大
-
-
1
-
±100
4.1
0.399
1.11
-
11
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nΑ
V
V
A
A
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
C
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容，能量
相关
H
有效的输出电容，时间
相关
I
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0 480V ， F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5.5A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=5.5A,
R
G
=25
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G. L = 60mH ，我
AS
= 2A ，V
DD
= 150V ，起始物为
J
=25°
C
小时。
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
一。C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
J.波峰焊只允许在引线。
2/6
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α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
24
10V
20
12
16
I
D
(A)
12
8
4
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性@ 25°C
100
V
DS
=20V
10
125°C
R
DS （ ON）
(
)
V
GS
=10V
0.6
I
D
(A)
1
25°C
0.1
-55°C
0.9
1.2
V
GS
=4.5V
7V
6V
5.5V
4
5V
5V
0
0
5
10
V
GS
=4.5V
15
20
I
D
(A)
6V
8
5.5V
16
10V
7V
V
DS
（伏）
图2 ：在区域特性@ 125°C
0.3
0.01
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图3 ：传输特性
0.0
0
5
10
15
20
25
I
D
(A)
图4 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.2
3
归一化的导通电阻
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
BV
DSS
（归一化）
V
GS
=10V
I
D
=3.8A
1.1
1
0.9
-50
0
50
100
150
200
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
温度（℃）
图5 ：导通电阻与结温
T
J
(
o
C)
图6 ：分解与结温
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α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
3
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图7 ：体二极管的特性（注五）
10000
0
0
4
8
12
16
Q
g
（ NC ）
图8 ：栅极电荷特性
6
5
EOSS （ UJ ）
4
3
2
10
C
RSS
1
0
200
300
400
500
V
DS
（伏）
图9 ：电容特性
100
600
1
0
0
100
200
300
400
V
DS
（伏）
图10 ：科斯储存的能量
500
600
E
OSS
V
GS
（伏）
25°C
9
125°C
15
12
V
DS
=480V
I
D
=5.5A
6
电容（pF）
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
100
R
DS （ ON）
有限
10s
100
10s
10
I
D
（安培）
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
1
DC
1ms
10ms
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图11 ：最大正向偏置安全
为AOT （ B） 11S60 （注F）工作区
100
1000
100s
1
DC
1ms
10ms
0.1s
1s
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图12 ：最大正向偏置安全
对于AOTF11S60 （注F）工作区
100
1000
4/6
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α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
120
12
60
额定电流我
D
(A)
25
75
100
125
T
例
(°C)
图13 ：雪崩能量
50
150
175
90
E
AS
（兆焦耳）
9
6
30
3
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
25
50
150
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.7°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
T
on
T
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗为AOT （B ） 11S60 （注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.25°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
T
on
T
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图16 ：为AOTF11S60归最大瞬态热阻抗（注F）
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600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
该AOT11S60& AOB11S60 & AOTF11S60已
采用先进的制造
αMOS
TM
高压
被设计为提供高层次的过程
性能和鲁棒性的开关应用。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着
雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源
设计。
产品概述
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
45A
0.399
11nC
2.7J
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT11S60L & AOB11S60L & AOTF11S60L
顶视图
TO-220
TO-220F(3kVAC;1s)
D
TO-263
D
2
PAK
D
AOT11S60
G
D
S
G
AOTF11S60
D
S
G
AOB11S60
G
S
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
AOT11S60/AOB11S60
参数
符号
漏源电压
V
DS
600
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
G
C
AOTF11S60
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
178
1.4
11
8
±30
11*
8*
45
2
60
120
38
0.3
100
20
-55到150
300
AOT11S60/AOB11S60
65
0.5
0.7
AOTF11S60
65
--
3.25
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
H
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
J
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
R
θCS
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
第5版： 2012年9月
www.aosmd.com
第1页6
AOT11S60/AOB11S60/AOTF11S60
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=25°
C
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=150°
C
I
S
=5.5A,V
GS
= 0V ，T
J
=25°
民
600
650
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
700
-
10
-
3.5
0.35
0.98
0.84
-
-
545
37.3
30.8
93.6
1.42
16.5
11
2.8
3.8
20
20
59
20
250
21
3.3
最大
-
-
1
-
±100
4.1
0.399
1.11
-
11
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nΑ
V
V
A
A
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
C
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容，能量
相关
H
有效的输出电容，时间
相关
I
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0 480V ， F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5.5A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=5.5A,
R
G
=25
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
C,
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
C
G. L = 60mH ，我
AS
= 2A ，V
DD
= 150V ，起始物为
J
=25°
小时。
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
一。C
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
J.波峰焊只允许在引线。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AOT11S60/AOB11S60/AOTF11S60
典型的电气和热特性
24
10V
20
12
16
I
D
(A)
12
8
4
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性@ 25°C
100
V
DS
=20V
10
125°C
R
DS （ ON）
(
)
V
GS
=10V
0.6
I
D
(A)
1
25°C
0.1
-55°C
0.9
1.2
V
GS
=4.5V
7V
6V
5.5V
4
5V
5V
0
0
5
10
V
GS
=4.5V
15
20
I
D
(A)
6V
8
5.5V
16
10V
7V
V
DS
（伏）
图2 ：在区域特性@ 125°C
0.3
0.01
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图3 ：传输特性
0.0
0
5
10
15
20
25
I
D
(A)
图4 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.2
3
归一化的导通电阻
2.5
2
1.5
1
0.5
0
-100
BV
DSS
（归一化）
V
GS
=10V
I
D
=3.8A
1.1
1
0.9
-50
0
50
100
150
200
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
温度（℃）
图5 ：导通电阻与结温
T
J
(
o
C)
图6 ：分解与结温
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第3页6
AOT11S60/AOB11S60/AOTF11S60
典型的电气和热特性
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
3
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图7 ：体二极管的特性（注五）
10000
0
0
4
8
12
16
Q
g
（ NC ）
图8 ：栅极电荷特性
6
5
EOSS （ UJ ）
4
3
2
10
C
RSS
1
0
200
300
400
500
V
DS
（伏）
图9 ：电容特性
100
600
1
0
0
100
200
300
400
V
DS
（伏）
图10 ：科斯储存的能量
500
600
E
OSS
V
GS
（伏）
25°C
9
125°C
15
12
V
DS
=480V
I
D
=5.5A
6
电容（pF）
1000
C
国际空间站
100
C
OSS
100
R
DS （ ON）
有限
10s
100
10s
10
I
D
（安培）
10
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
1
DC
1ms
10ms
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.01
1
10
V
DS
（伏）
图11 ：最大正向偏置安全
为AOT （ B） 11S60 （注F）工作区
100
1000
100s
1
DC
1ms
10ms
0.1s
1s
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图12 ：最大正向偏置安全
对于AOTF11S60 （注F）工作区
100
1000
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第4 6
AOT11S60/AOB11S60/AOTF11S60
典型的电气和热特性
120
12
60
额定电流我
D
(A)
25
75
100
125
T
例
(°C)
图13 ：雪崩能量
50
150
175
90
E
AS
（兆焦耳）
9
6
30
3
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
25
50
150
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.7°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.000001
T
on
T
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗为AOT （B ） 11S60 （注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.25°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
T
on
T
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图16 ：为AOTF11S60归最大瞬态热阻抗（注F）
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