AOT11N60/AOTF11N60
600V ，11A N沟道MOSFET
概述
采用先进的高电压MOSFET工艺是这样的AOT11N60 & AOTF11N60已经制造
旨在提供流行的AC- DC applications.By提供高水平的性能和健壮性
低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的
和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
700V@150℃
11A
< 0.65Ω
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
AOT11N60
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
AOTF11N60
600
±30
11*
8*
39
4.8
345
690
5
50
0.4
-55到150
300
AOTF11N60L
单位
V
V
V
GS
C
T
C
=25°
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
G
11
8
11*
8*
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
AOTF11N60L
65
--
3.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
C
单plused雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
A
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
AOT11N60
65
0.5
0.46
272
2.2
37.9
0.3
AOTF11N60
65
--
2.5
最大外壳到散热器
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
1/6
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AOT11N60/AOTF11N60
600V ，11A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
1320
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
100
6.5
1.7
24
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=11A
1656
146
11.2
3.5
30.6
9.6
9.6
39
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=11A,
R
G
=25
I
F
=11A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
400
4.7
58
92
42
500
5.9
600
7.1
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=5.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=5.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.3
3.9
0.56
12
0.73
1
11
39
1990
195
16
5.3
37
600
700
0.67
1
10
±100
4.5
0.65
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=11A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 4.8A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
2/6
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AOT11N60/AOTF11N60
600V ，11A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.46°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.001
0.000001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图13 ：为AOT11N60归最大瞬态热阻抗（注F）
0.00001
0.0001
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图14： AOTF11N60归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图15 ：为AOTF11N60归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
5/6
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AOT11N60/AOTF11N60
600V ，11A N沟道MOSFET
概述
该AOT11N60 & AOTF11N60已制作
采用先进的高电压MOSFET的过程，是
旨在提供高水平的性能和
鲁棒性流行AC- DC applications.By提供
低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
同时保证雪崩
这些功能部件可以快速通过进入新的
和现有的离线电源设计。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
700V@150℃
11A
< 0.65Ω
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
对于无卤添加"L"后缀号码：
AOT11N60L & AOTF11N60L
顶视图
TO-220
TO-220F
D
G
D
S
AOTF11N60
G
D
S
S
AOT11N60
G
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
AOT11N60
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
AOTF11N60
600
±30
11*
8*
39
4.8
345
690
5
50
0.4
-55到150
300
AOTF11N60L
单位
V
V
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
AOT11N60
65
0.5
0.46
272
2.2
11
8
11*
8*
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°
C
°
C
AOTF11N60L
65
--
3.3
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
重复性雪崩能量
C
单plused雪崩能量
G
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°
C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
37.9
0.3
AOTF11N60
65
--
2.5
R
θCS
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
*漏电流受最高结温。
冯0 ： 2012年1月
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第1页6
AOT11N60/AOTF11N60
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
1320
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
100
6.5
1.7
24
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=11A
1656
146
11.2
3.5
30.6
9.6
9.6
39
V
GS
=10V, V
DS
= 300V ，我
D
=11A,
R
G
=25
I
F
=11A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
400
4.7
58
92
42
500
5.9
600
7.1
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=5.5A
V
DS
= 40V ，我
D
=5.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.3
3.9
0.56
12
0.73
1
11
39
1990
195
16
5.3
37
600
700
0.67
1
10
±100
4.5
0.65
V
V/
o
C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=11A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 ° C，额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G. L = 60mH ，我
AS
= 4.8A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 25Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
REV0 ： 2012年1月
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第2 6
AOT11N60/AOTF11N60
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.46°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
单脉冲
0.01
0.001
0.000001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图13 ：为AOT11N60归最大瞬态热阻抗（注F）
0.00001
0.0001
1
10
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图14： AOTF11N60归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3.3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
1E-05
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图15 ：为AOTF11N60归最大瞬态热阻抗（注F）
T
on
T
REV0 ： 2012年1月
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分页： 5 6
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