特点
单2.7V - 3.6V电源
快速读取访问时间 - 200纳秒
自动页写操作
- 内部地址和数据锁存为64字节
内部控制定时器
快速写周期时间
- 页写周期时间： 10 ms最大
- 1到64字节页写操作
低功耗
- 15毫安工作电流
– 20
A
CMOS待机电流
硬件和软件数据保护
数据轮询写入检测结束
高可靠性的CMOS技术
- 耐力： 10,000次
- 数据保存：10年
JEDEC批准字节宽引脚
商用和工业温度范围
256K （ 32K ×8 ）
电池电压
并行
EEPROM的
AT28BV256
描述
该AT28BV256是一个高性能的电可擦除和可编程只读
只有记忆。它的内存256K是由8位， 32,768字。制造
捕获的原始图像与Atmel先进的非易失性CMOS技术，该器件提供接入
倍至200 ns的只有54毫瓦的功耗。当设备被取消，
在CMOS待机电流小于200
A.
（续）
销刀豆网络gurations
引脚名称
A0 - A14
CE
OE
WE
I / O0 - I / O7
NC
DC
功能
地址
芯片使能
OUTPUT ENABLE
写使能
数据输入/输出
无连接
不连接
PLCC
顶视图
A7
A12
A14
DC
VCC
WE
A13
PDIP ， SOIC
顶视图
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
TSOP
顶视图
A8
A9
A11
NC
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
GND
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
I/O1
I/O2
GND
DC
I/O3
I/O4
I/O5
14
15
16
17
18
19
20
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
NC
I/O0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
4
3
2
1
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
启0273G -九十九分之十一
注： PLCC封装引脚1和17
是请勿连接。
1
该AT28BV256就像在读一个静态RAM访问
或写周期，而无需外部元件。
该器件包含一个64字节页寄存器允许写入
多达64个字节同时进行。在写周期期间，在
地址和数据的164个字节被内部地锁存，
释放地址和数据总线，用于其它操作。跟着
降脂的写周期开始，该设备将automat-
ically使用一个内部控制计时器写锁存的数据。
在写入周期结束时可以通过数据轮询来检测
的I / O7 。一旦写周期结束时已经检测到一个
用于读出或写入新的访问可以开始。
Atmel的28BV256具有附加功能，以确保高
质量和可制造性。该器件采用内部
延长耐力和改进的数据纠错
保持特性。一个可选的软件数据保护
化机制，可以防止无意
写道。该装置还包括一个额外的64个字节的
EEPROM设备识别或跟踪。
框图
绝对最大额定值*
高温下偏置................................ -55 ° C至+ 125°C
存储温度..................................... -65 ° C至+ 150°C
所有输入电压（包括NC引脚）
相对于地面...................................- 0.6V至+ 6.25V
所有输出电压
相对于地面.............................- 0.6V至V
CC
+ 0.6V
在OE和A9电压
相对于地面...................................- 0.6V至+ 13.5V
*注意：
强调超越“绝对下上市
最大额定值“，可能会造成永久性损坏
年龄到设备。这是一个值仅为
该器件在这些或任何功能操作
超出所指示的其他条件
本规范的业务部门所不
暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响
器件的可靠性
2
AT28BV256
AT28BV256
设备操作
阅读：
该AT28BV256访问就像一个静态RAM 。
当CE和OE为低电平和WE是高电平时，数据存储
在由地址引脚确定的存储位置是
上认定的输出。的输出被放置在高
阻抗状态时，无论CE或OE为高电平。这双
线控制为设计人员提供灵活性，防止总线CON-
张力在他们的系统。
写字节：
在WE或CE输入，低脉冲
CE或WE低（分别）和OE高开始写
周期。的地址被锁存的CE的下降沿或
WE，以先到为准最后。该数据由第一锁存
上升CE或WE的边缘。一旦一个字节写入已
开始它会自动时间本身来完成。一旦
编程操作已经启动并且在持续时间
吨的化
WC
，一个读操作将有效是轮询
操作。
页写：
的页写操作
AT28BV256允许数据的164个字节将被写入
在一个单一的内部编程周期的设备。一
以同样的方式作为一个启动页面写操作
字节写;写入的第一个字节之后可被1至
63的附加字节。每个连续的字节必须被写入
150内
-S（T
BLC
）前一字节。如果T
BLC
极限
超标AT28BV256将停止接受数据，并
开始内部编程操作。所有字节
一个页中的写操作必须驻留在同一个
A14输入 - 由A6的状态定义页面。为
每次我们前高后低过渡时期页写操作
灰，A6 - A14必须是相同的。
在A0到A5输入用于指定字节以内
页面是将被写入。该字节可以在任何被加载
命令，并且可以在相同的负载周期内改变。只
这是书写指定的字节将被写入;避孕
其他字节埃森循环内页不
发生。
数据查询：
该AT28BV256具有数据查询
来表示一个写周期的结束。在一个字节或页
写周期的最后一个字节写入遗嘱试图读
结果，在写入数据的补码被呈现
在I / O7 。一旦写周期已经完成，真
数据是对所有的输出有效，并且在下一个写周期可以
开始。数据轮询可能在写操作期间开始随时
周期。
触发位：
除了数据投票的AT28BV256
提供了另一种方法，用于确定写操作的结束
周期。在写操作中，连续尝试
从设备读取数据会导致I / O6来回切换
间为1和0 。一旦写入完成后， I / O6
将停止切换，有效的数据将被读取。读
触发位可以在写周期开始，在任何时间。
数据保护：
如果不采取预防措施， inad-
vertent写在主机的转换，可能会发生系
统供电。爱特梅尔已经将硬件
和软件功能，将防止内存
意外写入。
硬件保护：
硬件保护功能
防止意外写入AT28BV256在后续
荷兰国际集团的方式：（1 ）V
CC
上电延时一次V
CC
已达到
1.8V （典型值） ，设备将自动超时10毫秒
（典型值）允许写入前; （二）写禁止控股
OE低，CE高任一个或WE高抑制写
周期;及（c）噪声滤波器的脉冲小于15纳秒（典型
CAL ）在WE或CE输入将不会启动写周期。
软件数据保护：
软件控制
数据保护功能已在实施
AT28BV256 。软件数据保护（ SDP ）有助于防止
无意中写的数据损坏的设备。
SDP可以在上电期间防止意外的写入与
掉电以及系的任何其他潜在的时期
统不稳定。
该AT28BV256只能使用该软件编写
数据保护功能。一系列的三个写命令
用具体的数据具体的地址，必须提交
写作中的字节或页模式之前的设备。该
同样的三个写命令必须开始每个写操作
化。所有的软件写命令必须服从页面
模式写时序规格。在3字节的数据
命令序列没有被写入到设备;该
在该指令序列的地址可使用一样
在设备的任何其他地点。
任何试图写入设备没有3个字节
序列将启动内部写定时器。任何数据都不会
写入设备;然而，在t的持续时间
WC
读
操作将是有效的轮询操作。
设备标识：
一个额外的64字节的EEPROM
存储器可用来对装置标识该用户。
通过提高A9至12V
±
0.5V和使用地址位置
7FC0H到7FFFH中的附加字节可以被写入或
从以相同的方式读出作为常规存储器
数组。
3
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