公司简介
v
我公司不仅销售半导½零配件，还提供整个半导½解决方案。
v
我们与三星电机，三星电子，LG电子等中小型公司的合½非常密切。
v
我公司在韩½代理Intersil(包括Elantec半导½和Xicor公司)、研诺
逻辑科技、茂达等公司的半导½零配件。
v
我公司以积极的心态解决客户的问题。
聪有限公司
合½伙伴
产品应用和销售
电视，笔记本PC ， DVD -R ， CD-R / W，手机，液晶显示模块
运算放大器，缓冲器，多路复用器，同步分离器，比较器
DC - DC转换器， LD驱动器，振荡器，充电器IC ， PWM续
手机，笔记本PC ， PDA ， MP3播放器
电荷泵，智能开关， LDO
DC / DC转换器，复位IC ，电池充电器
机顶盒，显示器，液晶电视，手机，汽车音响，导航
DC / DC ， LDO ，场效应管，过压保护IC ，充电IC ， PWM续
聪有限公司
AOP608
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.3A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.3A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
24.1
40
33.7
22
0.77
1
6.3
404
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
9.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=6.3A
4.6
1.6
2.5
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 6.3A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
40
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.3
3
33
46
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
3.4
15
2.8
21.2
15.8
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.3A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP608
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=30V
I
D
= 6.3A
电容（pF）
800
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
（安培）
10ms
1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10s
DC
0.1s
40
10s
功率（W）的
100s
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP608
P沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.6A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-20
34.7
56
50.6
12
-0.75
-1
-5.5
657
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
143
63
6.5
14.2
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，我
D
=-5.5A
7.1
2.2
4.1
7.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=3.6,
R
根
=3
I
F
= -5.5A ，的di / dt = 100A / μs的
8
26.5
11.5
21.9
14.9
45
70
63
-1.9
民
-40
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
2
答： R的值
θJA
测量与安装在电路板设计的设备。当前的铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的特定1英寸FR-4板与2盎司评级是基于吨
≤
10秒热阻
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
B： Repetitiveis的热阻抗的总和结点到导R
θJL
并导致环境。
C.第r
θJA
等级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
在图1至6,12,14特性获得引线80
s
脉冲，对环境温度。
D.该staticis热阻抗的总和结tousing
θJL
并导致占空比0.5 ％以下。
D.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2oz.duty周期的0.5 ％以下。
图E的静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲，铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
2
E.这些测试使用的评价进行。
SOA曲线提供了安装在1 FR- 4板2盎司单pulsethe设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA1 ：八月提供了一个单脉冲评级。
转曲线2005年
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP608
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.3A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.3A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
24.1
40
33.7
22
0.77
1
6.3
404
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
9.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=6.3A
4.6
1.6
2.5
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=3,
R
根
=3
I
F
= 6.3A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
40
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.3
3
33
46
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
3.4
15
2.8
21.2
15.8
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.3A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP608
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=30V
I
D
= 6.3A
电容（pF）
800
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
10
20
30
40
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
（安培）
10ms
1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10s
DC
0.1s
40
10s
功率（W）的
100s
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOP608
P沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-5.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.6A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-20
34.7
56
50.6
12
-0.75
-1
-5.5
657
V
GS
=0V, V
DS
= -20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
143
63
6.5
14.2
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，我
D
=-5.5A
7.1
2.2
4.1
7.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -20V ，R
L
=3.6,
R
根
=3
I
F
= -5.5A ，的di / dt = 100A / μs的
8
26.5
11.5
21.9
14.9
45
70
63
-1.9
民
-40
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
2
答： R的值
θJA
测量与安装在电路板设计的设备。当前的铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的特定1英寸FR-4板与2盎司评级是基于吨
≤
10秒热阻
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
B： Repetitiveis的热阻抗的总和结点到导R
θJL
并导致环境。
C.第r
θJA
等级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
在图1至6,12,14特性获得引线80
s
脉冲，对环境温度。
D.该staticis热阻抗的总和结tousing
θJL
并导致占空比0.5 ％以下。
D.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2oz.duty周期的0.5 ％以下。
图E的静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲，铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
2
E.这些测试使用的评价进行。
SOA曲线提供了安装在1 FR- 4板2盎司单pulsethe设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA1 ：八月提供了一个单脉冲评级。
转曲线2005年
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2881677436 复制
