AON6974A
30V双路非对称N沟道AlphaMOS
概述
最新的沟槽功率AlphaMOS （ αMOS LV ）技术
集成的肖特基二极管（ SRFET ）上低端
非常低的RDS（on ），在4.5V
GS
低栅极电荷
高电流能力
符合RoHS和无卤素标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
100 ％ UIS测试
Q1
30V
28A
<5.2m
<9.5m
Q2
30V
32A
<3.3m
<5.0m
应用
在电脑，服务器和POL DC / DC转换器
在电信和工业隔离DC / DC转换器
100 ％通过Rg测试
DFN5X6B
顶视图
底部视图
顶视图
底部视图
PIN1
PIN1
Q2 ： SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
最大Q1
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.05mH
V
DS
穗
功耗
功耗
B
C
C
最大Q2
30
±20
32
25
144
30
24
50
63
36
33
13
4.3
2.7
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
E
AS
V
穗
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
100ns
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
±20
28
22
112
22
17
32
26
36
31
12
3.6
2.3
A
A
mJ
V
W
W
°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型Q1
29
56
3.3
典型Q2
24
50
3
最大Q1 Q2最大
35
29
67
60
4
3.8
单位
° C / W
° C / W
° C / W
冯0 ： 2012年11月
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分页： 10 1
AON6974A
Q1电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1.4
1.8
4.3
6
7
91
0.7
1
28
1037
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
0.7
441
61
1.5
15.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
6.8
3.0
3.6
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
1
5
±100
2.2
5.2
7.2
9.5
A
nA
V
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2.3
22
10
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
3.3
18
4.3
12.7
17.2
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
≤
10秒和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级包是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2012年11月
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第10 2
AON6974A
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
8
电容（pF）
1000
800
600
400
200
C
RSS
0
0
5
10
15
20
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
1400
1200
C
国际空间站
V
GS
（伏）
6
4
2
1000.0
100.0
200
160
100us
1ms
100ms
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
R
DS （ ON）
有限
10s
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
DC
0.0
0.01
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=4°C/W
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2012年11月
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第10 4
AON6974A
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
40
40
功耗（ W）
额定电流我
D
(A)
0
25
50
75
100
125
150
30
30
20
20
10
10
0
T
例
(°C)
°
图12 ：功率降容（注F）
10000
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图13 ：电流降评级（注F）
T
A
=25°C
1000
功率（W）的
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=67°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2012年11月
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第10个5
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