SRFET
AON6712
N沟道增强型网络场效晶体管
TM
概述
该AON6712采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极charge.This设备
是适合用作在SMPS和一个高侧开关
一般用途的应用。
标准产品
AON6712是无铅的（符合ROHS &索尼259
特定网络阳离子） 。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 20A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 6.5mΩ （V
GS
= 4.5V)
顶视图
适合SOIC8
足迹！
S
S
S
G
D
D
D
D
G
D
SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
S
DFN5X6
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
B ，J
当前
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
C
最大
30
±12
30
30
80
16
13
42
264
62.5
25
2.5
1.6
-55到150
单位
V
V
A
漏电流脉冲
连续漏极
T
A
=25°C
H
当前
T
A
=70°C
C
雪崩电流
重复雪崩能量L = 0.3mH
功耗
功耗
B
A
A
mJ
W
W
°C
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结到外壳
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14.2
42
1.2
最大
20
50
2.0
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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AON6712
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1.4
80
4.3
6.8
5.2
100
0.35
0.5
5
3940
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
590
255
0.72
72.8
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
35.0
10.4
12.4
9.8
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.83,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
I
F
= 20A ，的di / dt = 300A / μs的
8.4
45
10
36
32
43
1.1
95
5120
5.5
9.0
6.5
1.7
民
30
0.1
10
0.1
2.3
典型值
最大
单位
V
mA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
限制的情况下额外的散热器被使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结点到外壳R和外壳到环境的总和。
θJC
E.图的静态特性1 6使用<300 μs的脉冲，占空比0.5 ％以下得到。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=150°C.
G.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。国家海洋局
A
曲线提供了单个脉冲的评价。
H.表面安装在一个1 2 FR-4板与2盎司铜。
J.最大电流是由接合线的限制。
REV0 ： 2008年2月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AON6712
典型的电气和热特性
10
V
DS
=15V
I
D
=18A
6000
5000
电容（pF）
4000
3000
2000
1000
0
0
20
40
60
80
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
R
DS （ ON）
有限
10s
10ms
DC
1ms
200
160
功率（W）的
120
80
40
0
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
对案例（注F）
0.001
10s
100s
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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AON6712
典型的电气和热特性
140
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
120
100
80
60
40
20
0
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
A
=25°C
75
功耗（ W）
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
60
45
30
15
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
40
35
额定电流我
D
(A)
30
功率（W）的
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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