AOL1208
30V N沟道MOSFET
概述
该AOL1208采用沟槽MOSFET技术，是
独特的优化，为客户提供最有效的高
高频开关performance.Power损失
由于最小化，以一种极其低R的组合
DS （ ON）
和C
RSS
。此外，开关特性得到很好的控制
用"Schottky style"软恢复体二极管。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
50A
< 11MΩ
< 15MΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
UltraSO-8
TM
顶视图
底部视图
D
D
S
G
S
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
30
±20
50
36
120
11
9
27
36
50
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
24
40
2.4
最大
30
50
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
冯0 ： 2010年2月
www.aosmd.com
第1页6
AOL1208
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
260
18
0.7
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
5
2
1.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.3
120
9
T
J
=125°C
13
12
49
0.7
1
40
850
380
30
1.4
16
7
2.5
3.5
6
3
19.5
4
9
18
12
23
15
28
1110
540
51
2.1
20
8.0
4
3.6
11
16
15
1.8
2.4
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定网络板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级包是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2010年2月
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第2 6
AOL1208
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1400
1200
C
国际空间站
1000
800
600
400
200
0
0
2
8
10
12
14
16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
6
18
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
200
160
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
10s
100us
1ms
120
80
40
0
0.0001
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2010年2月
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第4 6
AOL1208
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
100.0
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注F）
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=125°C
T
A
=150°C
10.0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注F）
功耗（ W）
10000
T
A
=25°C
1000
额定电流我
D
(A)
100
17
5
2
10
功率（W）的
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
1000
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
1
0.1
P
D
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
0.01
0.001
0.00001
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2010年2月
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AOL1208
30V N沟道MOSFET
概述
该AOL1208采用沟槽MOSFET技术，具有独特的优化，以提供最有效的高
高频开关performance.Power损失由于最小化，以极低的R组合
DS （ ON）
和C
RSS
。此外，开关特性得到很好的控制了"Schottky style"软恢复体二极管。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
30V
50A
< 11MΩ
< 15MΩ
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
C
C
最大
30
±20
50
36
120
11
9
27
36
50
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
24
40
2.4
最大
30
50
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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AOL1208
30V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=15A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
260
18
0.7
12
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
5
2
1.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.3
120
9
T
J
=125°C
13
12
49
0.7
1
40
850
380
30
1.4
16
7
2.5
3.5
6
3
19.5
4
9
18
12
23
15
28
1110
540
51
2.1
20
8.0
4
3.6
11
16
15
1.8
2.4
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定网络板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级包是有限的。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。
2/6
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30V N沟道MOSFET
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
1400
1200
C
国际空间站
1000
800
600
400
200
0
0
2
8
10
12
14
16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
6
18
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
200
160
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
C
=25°C
10s
100us
1ms
120
80
40
0
0.0001
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
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30V N沟道MOSFET
Q1 - CHANNEL ：典型的电气和热性能
100.0
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注F）
T
A
=25°C
T
A
=100°C
T
A
=125°C
T
A
=150°C
10.0
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注F）
功耗（ W）
10000
T
A
=25°C
1000
额定电流我
D
(A)
100
17
5
2
10
功率（W）的
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
1000
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
1
0.1
P
D
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
0.01
0.001
0.00001
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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