AOD468/AOI468
300V ， 11.5A N沟道MOSFET
概述
使用该AOD468 & AOI468已经制造
其被设计先进的高电压MOSFET工艺
提供高水平的性能和鲁棒性
流行的AC- DC applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些
零部件可以快速通过进入新的和现有的离线
电源designs.These部分是理想的提振
转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
350V@150℃
11.5A
<0.42
100 ％ UIS测试！
100% R
g
测试了！
TO252
DPAK
顶视图
底部视图
D
D
S
G
S
G
G
顶视图
TO251A
IPAK
底部视图
D
D
S
S
D
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
B
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
300
±30
11.5
8.3
29
3.8
216
430
5
150
1
-50至175
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
B
o
功耗
减免上述25℃
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
最大外壳到散热器
最大结到外壳
D，F
A
A，G
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
45
-
0.7
最大
55
0.5
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
REV0 ： 2010年12月
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第1页6
AOD468/AOI468
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
= 240V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
= 40V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.4
4
0.31
11
0.74
1
12
29
500
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
55
3
1.3
10
V
GS
=10V, V
DS
= 240V ，我
D
=12A
632
90
7
2.7
12.8
4.4
4.3
18
V
GS
=10V, V
DS
= 150V ，我
D
=12A,
R
G
=25
I
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
130
1
31
36
20
170
1.3
205
1.6
790
125
11
4.1
16
300
350
0.29
1
10
±100
4.5
0.42
V
o
V / C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175 ℃，在一个TO252封装，使用结到外壳的热阻，并且是在环境更有益
上功耗限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 3.8A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 10Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AOD468/AOI468
典型的电气和热特性
15
V
DS
=240V
I
D
=12A
电容（pF）
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
C
RSS
12
V
GS
（伏）
9
6
3
10
0
0
12
16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
8
20
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
100
10s
10
I
D
（安培）
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
800
600
100s
1ms
10ms
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
400
0.1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
200
0.01
100
1000
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
1
10
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
REV0 ： 2010年12月
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第4 6
AOD468/AOI468
典型的电气和热特性
180
150
120
90
60
30
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：电流降评级（注二）
额定电流我
D
(A)
9
12
功耗（ W）
6
3
400
300
功率（W）的
T
A
=25°C
200
100
0
0.01
0.1
10
100
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
1
1000
10
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
0.1
0.01
P
D
T
on
0.001
单脉冲
0.0001
0.0001
T
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
REV0 ： 2010年12月
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AOD468/AOI468
300V ， 11.5A N沟道MOSFET
概述
概述
使用，其被设计先进的高电压MOSFET工艺的AOD468 & AOI468已经制造
提供高水平的性能和鲁棒性流行AC- DC applications.By提供低R
DS （ ON）
, C
国际空间站
和C
RSS
随着雪崩能力保证这些部件可以快速通过进入新的和现有的离线
电源designs.These部分是理想的升压转换器和同步整流器的消费者，
电信，工业电源和LED背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
100 ％ UIS测试！
100% R
g
测试了！
350V@150℃
11.5A
<0.42
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏极
B
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
符号
V
DS
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
最大
300
±30
11.5
8.3
29
3.8
216
430
5
150
1
-50至175
300
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
W/
o
C
°C
°C
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
T
C
=25°C
功耗
B
减免上述25
o
C
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
热特性
参数
最大结点到环境
最大外壳到散热器
最大结到外壳
D，F
A
A，G
符号
R
θJA
R
θCS
R
θJC
典型
45
-
0.7
最大
55
0.5
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/6
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AOD468/AOI468
300V ， 11.5A N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=300V, V
GS
=0V
V
DS
= 240V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
V
DS
= 40V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3.4
4
0.31
11
0.74
1
12
29
500
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
55
3
1.3
10
V
GS
=10V, V
DS
= 240V ，我
D
=12A
632
90
7
2.7
12.8
4.4
4.3
18
V
GS
=10V, V
DS
= 150V ，我
D
=12A,
R
G
=25
I
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
130
1
31
36
20
170
1.3
205
1.6
790
125
11
4.1
16
300
350
0.29
1
10
±100
4.5
0.42
V
V / C
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
o
参数
条件
民
典型值
最大
单位
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=12A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175 ℃，在一个TO252封装，使用结到外壳的热阻，并且是在环境更有益
上功耗限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 3.8A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 10Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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300V ， 11.5A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
15
V
DS
=240V
I
D
=12A
电容（pF）
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
C
RSS
12
V
GS
（伏）
9
6
3
10
0
0
12
16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
8
20
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
100
10s
10
I
D
（安培）
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
800
600
100s
1ms
10ms
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
400
0.1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
200
0.01
100
1000
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
1
10
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
4/6
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300V ， 11.5A N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
180
150
120
90
60
30
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：电流降评级（注二）
额定电流我
D
(A)
9
12
功耗（ W）
6
3
400
300
功率（W）的
T
A
=25°C
200
100
0
0.01
0.1
10
100
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
1
1000
10
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
0.1
0.01
P
D
T
on
0.001
单脉冲
0.0001
0.0001
T
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
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